TIP122是一個(gè) 達(dá)林頓對(duì) NPN 晶體管 ，由一對(duì)達(dá)林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:45
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達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53513 
8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無(wú)線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開(kāi)關(guān)電路，試計(jì)算當(dāng)5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時(shí)的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路，只能用來(lái)計(jì)算交流分量，不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 （4）晶體管的輸入電阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式進(jìn)行估算： 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號(hào)的高反壓大功率開(kāi)關(guān)晶體管。 6．達(dá)林頓管的選用達(dá)林頓管廣泛應(yīng)用于音頻功率輸出、開(kāi)關(guān)控制、電源調(diào)整、繼電器驅(qū)動(dòng)、高增益放大等電路中。 繼電器驅(qū)動(dòng)電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
ULN2000、ULN2800是高壓大電流達(dá)林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品,具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負(fù)載能力強(qiáng)等特點(diǎn)
2011-05-31 13:46:55
。 PNP+NPN的接法與此類同。 如下圖所示，兩級(jí)放大器元件同為NPN型晶體管，將前級(jí)晶體管的射極電流直接引入下一級(jí)的基極，當(dāng)作下級(jí)的輸入。「同極型達(dá)林頓」連接,是使用相同類型的晶體管.而「異極型
2019-08-06 11:02:53
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用，低噪聲和高增益放大器。該設(shè)備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴(yán)格
2021-03-30 11:21:24
概述：M54585FP是三菱半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款8 UNIT 500毫安的達(dá)林頓晶體管陣列與鉗位二極管。它為20腳封裝。
2021-05-19 07:59:41
M54585P是三菱半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款8 UNIT 500毫安的達(dá)林頓晶體管陣列與鉗位二極管。它分別雙列18腳和20腳封裝。
2021-04-22 07:40:27
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
電流。為了使基極電流在 PNP 晶體管中流動(dòng)，基極必須比發(fā)射極（電流必須離開(kāi)基極）更負(fù)，對(duì)于硅器件大約 0.7 伏，對(duì)于鍺器件，基極電流和集電極電流的負(fù)值約為0.3 伏，用于計(jì)算基極電阻、基極電流或
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
2003 音頻IC可替換型號(hào)：ULN2003 UF2003 QL2003 VTSR2003概述與特點(diǎn) 2003是一個(gè)單片高電壓、高電流的達(dá)林頓晶體管陣列集成電路。它是由7對(duì)NPN達(dá)林頓管組成的，它
2010-10-27 10:20:32
了功率晶體管的性能。如 (1)開(kāi)關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
作放大器來(lái)提供增益。一旦您需要額外的增益，那么這些晶體管就會(huì)像放大器一樣發(fā)揮更好的作用。
功率晶體管
這些晶體管適用于使用大量功率的情況。該晶體管的集電極端子與金屬基極端子相連，因此它就像散熱器一樣可以
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
10K 1LED 1JST 連接器 01x02 1測(cè)試點(diǎn) 1電路說(shuō)明：請(qǐng)注意，該電路是使用 KiCAD EDA 設(shè)計(jì)的。兩個(gè)晶體管相互連接以充當(dāng)達(dá)林頓對(duì)。晶體管Q1首先放大增益，然后進(jìn)一步放大并由
2022-08-30 07:23:58
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點(diǎn)是什么？ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用？怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
的典型結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)面積較大，電流分布均勻，易于提高耐壓和耗散熱量；缺點(diǎn)是電流增益較低，一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖2、達(dá)林頓GTR結(jié)構(gòu)(a
2018-01-15 11:59:52
的典型結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)面積較大，電流分布均勻，易于提高耐壓和耗散熱量；缺點(diǎn)是電流增益較低，一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖2、達(dá)林頓GTR結(jié)構(gòu)(a
2018-01-25 11:27:53
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
多種多樣。（六）按功能和用途分類晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏
2012-07-11 11:36:52
必須將基端子接地，如圖6所示。 圖6.PNP晶體管的開(kāi)關(guān)電路 用于計(jì)算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計(jì)算中使用的公式相同。區(qū)別在于開(kāi)關(guān)電流。對(duì)于PNP，開(kāi)關(guān)電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
還可以分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)PN結(jié)的正向電阻。正向電阻較大的一個(gè)是發(fā)射極，另一個(gè)是集電極。 IV 達(dá)林頓 T檢測(cè)方法 1. 普通達(dá)林頓晶體管的檢測(cè) 在普通達(dá)林頓晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)或多個(gè)晶體管集電極
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開(kāi)關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開(kāi)關(guān)
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管 高電壓、放大 (Comp.to MPSA43) [73KB]中、大功率管2N3055 NPN- 功率放大. (Comp. to MJE2955)2N6283 達(dá)林頓管, NPN-功率放大
2021-05-25 06:28:22
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
見(jiàn)證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發(fā)明了“結(jié)型晶體管 ”。1948年7月1日，美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》只用了8個(gè)句子的篇幅，簡(jiǎn)短地公開(kāi)了貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管的消息。“一石激起千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業(yè)“引爆”出強(qiáng)烈的沖擊波。電子計(jì)算機(jī)終于就要大步跨進(jìn)第二代的門(mén)檻！
2012-08-02 23:55:11
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
ULN2803概述ULN2803，采用AP=DIP18,AFW=SOL18封裝方式。八路NPN達(dá)林頓連接晶體管陣系列特別適用于低邏輯電平數(shù)字電路（諸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS）和較高
2013-06-21 15:18:01
JFET與晶體管混合的達(dá)林頓電路圖
2009-08-08 16:35:251018 
采用達(dá)林頓晶體管的電燈開(kāi)關(guān)電路圖
2009-08-15 17:12:112496 
晶體管的達(dá)林頓鏈接電路圖
2009-08-15 17:24:093008 
達(dá)林頓晶體管,達(dá)林頓晶體管是什么意思
達(dá)林頓管(Darlington Transistor)又稱復(fù)合管。它采用復(fù)合連接方式,將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接在一起，以組成
2010-03-05 10:50:163525 ，其電流增益大得多，可用于需要電流放大或開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。達(dá)林頓晶體管可以由兩個(gè)單獨(dú)連接的雙極晶體管或單個(gè)封裝的單個(gè)器件制成，標(biāo)準(zhǔn)配置為：基極，發(fā)射極和集電極連接引線，可提供多種外殼類型和電壓（和電流） NPN和PNP版本的評(píng)級(jí)。
2019-06-25 10:38:419439 
以其發(fā)明者Sidney Darlington命名的達(dá)林頓晶體管連接在一起的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)NPN或PNP雙極結(jié)型晶體管（BJT）的排列。一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到另一個(gè)晶體管的基極，以產(chǎn)生更靈敏的晶體管，其電流增益大得多，可用于需要電流放大或開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。
2020-08-04 08:00:00
0 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV46
2023-02-07 19:26:110 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV26_BCV46
2023-02-08 18:44:270 NPN達(dá)林頓晶體管-BCV47
2023-02-08 18:59:160 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV46-Q
2023-02-09 21:22:550 NPN達(dá)林頓晶體管-BCV47-Q
2023-02-15 18:39:410 達(dá)林頓晶體管，這是一種高增益的雙極型功率晶體管，其實(shí)質(zhì)是由兩只或更多晶體管復(fù)合組成的達(dá)林頓或超a對(duì)（darlington pair或Pmultip丨丨er ），復(fù)合對(duì)中一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到下一
2023-02-19 16:30:014444 
NPN達(dá)林頓晶體管-BCV27
2023-02-20 19:41:580 NPN達(dá)林頓晶體管-BSP51
2023-02-21 19:17:060 NPN達(dá)林頓晶體管-BSP50
2023-02-21 19:25:000 PNP 達(dá)林頓晶體管-BSP62
2023-02-21 19:30:450 PNP 達(dá)林頓晶體管-BSP61
2023-02-21 19:31:000 PNP 達(dá)林頓晶體管-BSP60
2023-02-21 19:31:130 NPN達(dá)林頓晶體管-BSP52
2023-02-23 18:55:330 達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對(duì)雙極晶體管結(jié)型晶體管（BJT），設(shè)計(jì)用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 10:06:49747 
達(dá)林頓晶體管除常用于步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器外，還可以用于什么？ 達(dá)林頓晶體管是一種強(qiáng)大的電子元件，因其高增益和低輸入電阻而受到廣泛的應(yīng)用。除了步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，它還可以用于許多其他應(yīng)用。在本文中，我們將探討
2023-10-23 09:22:28452 許多達(dá)林頓陣列也可用，其中多個(gè)達(dá)林頓晶體管對(duì)包含在同一個(gè)封裝中。通常，它們包含在 IC 封裝中，因?yàn)樗鼈兺ǔＳ糜隍?qū)動(dòng)顯示器等。這使得達(dá)林頓晶體管對(duì)非常易于使用，并可集成到新的電子電路設(shè)計(jì)中。
2024-01-09 15:30:41243 
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