分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率，省電池，省電費

碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率，在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6%

-同樣的電池容量，增加續(xù)航里程

-同樣的續(xù)航里程，減少電池包大小

-對于運營類車輛，減少用電成本

Tesla在Model S車型采用分立IGBT并聯(lián)電控產(chǎn)品TESLA:車型MODEL S P100D控制器峰值功率: 375 kW

編輯：黃飛

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控制器(170264) 控制器(170264)
SiC(61351) SiC(61351)
碳化硅(47293) 碳化硅(47293)
電驅(qū)系統(tǒng)(2274) 電驅(qū)系統(tǒng)(2274)

SiC功率器件和模塊！

在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。

2022-11-22 09:59:26

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2023年中國半導體分立器件銷售將達到4,428億元?

分立器件行業(yè)概況半導體分立器件是半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。從市場需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護理、安防電子

2023-05-26 14:24:29

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

閾值電壓的不穩(wěn)定性; 后來，太多的研究出版物都證明了這一點。SiC研究界的許多人在20世紀80年代末和90年代期間進一步研究了SiC-SiO 2系統(tǒng)中各種界面態(tài)的性質(zhì)。　　研究在90年代末和21世紀初

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟高效且可靠的高功率解決方案

可以通過在SiC功率器件上運行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進行了壓力測試，具有

2019-07-30 15:15:17

SiC SBD的器件結(jié)構(gòu)和特征

二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車

2019-03-14 06:20:14

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

通過電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！　?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低

2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

。首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢實現(xiàn)了Si IGBT很難實現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關(guān)

2018-11-27 16:38:39

SiC-SBD的發(fā)展歷程

-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應(yīng)的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時

2018-11-30 11:51:17

SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

推動電網(wǎng)柔性半導體化進程，SiC器件在新型電力系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。在可預(yù)見的未來，電力電子器件將向高頻、高效、高功率密度方向快速發(fā)展?！　?b class="flag-6" style="color: red">在電力系統(tǒng)領(lǐng)域，隨著對高電壓、大電流SiC器件需求的不斷增長

2023-02-27 14:22:06

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？

與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？

2021-07-12 08:07:35

SiC功率器件概述

1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型

2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件概述

）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

的最高工作溫度局限在175℃。SiC器件的高溫工作能力降低了對系統(tǒng)熱預(yù)算的要求。此外，SiC器件還具有較高的熱導率、高擊穿電場強度、高飽和漂移速率、高熱穩(wěn)定性和化學惰性，其擊穿電場強度比同類Si器件要高

2018-09-11 16:12:04

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點

2018-11-29 14:35:23

SiC大規(guī)模上車，三原因成加速上車“推手”

電驅(qū)系統(tǒng)將在2023年搭載上車。 SiC更適合電動汽車快充目前電動汽車續(xù)航里程已經(jīng)普遍達到500公里以上，基本可以解決大部分人的出行需求，但充電補能問題仍是新能源汽車普及的最大阻礙。截至2021年底

2022-12-27 15:05:47

分立器件封裝技術(shù)及產(chǎn)品的主要發(fā)展狀況

和雙極型功率晶體管的特點，現(xiàn)已開發(fā)出第5代技術(shù)的產(chǎn)品，在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流功率器件，從模塊化封裝轉(zhuǎn)向分立單管封裝，做成塑封器件，應(yīng)用于空調(diào)器、洗衣機、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中

2018-08-29 10:20:50

分立器件的功能范圍/環(huán)境要求/技術(shù)指標

，分析，并上傳數(shù)據(jù)至后臺數(shù)據(jù)庫實時監(jiān)控比對?！　?b class="flag-6" style="color: red">在測試過程中，如有的測試單元有故障，可手動結(jié)束測試?！　崿F(xiàn)計算機的指令信息以及來自測試平臺的狀態(tài)信息的綜合處理功能。　　當被測器件短路時，系統(tǒng)具有短路

2020-12-24 16:19:32

分立器件的實現(xiàn)的細節(jié)

?概述負載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級負載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實現(xiàn)的細節(jié)。電路分析如下圖所示R5模擬后級負載，Q1為開關(guān)，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導通，MOS管Q1的VGS

2021-10-28 08:28:45

分立器件綜合設(shè)計實驗

分立器件綜合設(shè)計實驗1、實驗?zāi)康蘑?掌握二極管的單向?qū)щ娞匦院投O管的鉗位作用；② 掌握三極管的開關(guān)作用和放大作用；③ 掌握發(fā)光二極管LED的應(yīng)用；2、實驗題目線間短路檢測電路的設(shè)計

2009-03-19 14:53:14

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機驅(qū)動器電路

2018-12-04 10:26:52

DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs

2022-02-17 07:44:04

GaN和SiC區(qū)別

半導體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC

2022-08-12 09:42:07

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝

的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出?！薄　∈袌鲅芯繖C構(gòu)Technavio指出，面向全球半導體應(yīng)用的SiC市場預(yù)計在2021年前達到大約

2018-10-23 16:22:24

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與

2023-03-29 15:06:13

Si功率元器件前言

所擁有的特性和特征的應(yīng)用事例。均分別包含基礎(chǔ)內(nèi)容。如果是幾十瓦的電源，有內(nèi)置功率元器件，可減少個別地選擇MOSFET或工作確認。然而，在大功率電路中，切實地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細

2018-11-28 14:34:33

eDM電驅(qū)模塊概述

及電動商用車。eDM電驅(qū)模塊是驅(qū)動電機和 eGearDrive 系統(tǒng)的集成，將變速和驅(qū)動模塊集成在一起，同樣具備輕量化、高效率、小尺寸、低噪音等特點，已經(jīng)在各大整車廠得到廣泛應(yīng)用。在

2021-08-26 16:32:16

【直播邀請】羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用

本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件

2018-07-27 17:20:31

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要

2020-04-24 18:09:12

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】特種電源開發(fā)

項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。

2020-04-24 17:57:09

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】風電伺服驅(qū)動控制器SiC器件試用

項目名稱：風電伺服驅(qū)動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動器的開發(fā)，是一個國產(chǎn)化項目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域

2020-04-24 18:03:59

【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源

700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開關(guān)時會在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成

2017-05-10 11:32:57

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應(yīng)用

EMI 如前文所說，反向恢復(fù)電流會流經(jīng)開關(guān)器件，從而增加開關(guān)器件開啟過程的尖峰電流。在系統(tǒng)工作過程中，變化的電壓信號和電流信號之間相互轉(zhuǎn)換，在回路中形成干擾源，造成系統(tǒng)電磁兼容的問題。改善電磁兼容問題通常

2023-10-07 10:12:26

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率

2023-06-16 06:04:07

為何使用 SiC MOSFET

要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關(guān)斷

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前

2021-09-15 07:42:00

什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？

（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電

2023-02-21 16:01:16

應(yīng)用，實際上已經(jīng)在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發(fā)揮著SiC-SBD的優(yōu)勢。關(guān)鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜相關(guān)產(chǎn)品信息＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND

2018-11-29 14:33:47

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

關(guān)于分立器件和集成電路的問題

分立器件和集成電路在電子未來的發(fā)展上是相對的嗎？在下無知學生party，請教各位，勿噴。感謝

2020-01-07 08:20:09

關(guān)于國內(nèi)分立器件芯片問題請教

目前國內(nèi)做分立器件芯片的有那幾家呀，分別是用多少寸芯片

2021-02-02 15:05:05

創(chuàng)建一個簡單分立元器件的步驟

　　第一步，按照我們前面的問答中詳細介紹，新建一個庫文件，如圖2-11所示，填寫名稱為RES，起始名稱為R，PCB封裝那一欄先可以不用填寫，分立器件，Part選擇1即可，其它按照默認設(shè)置

2020-09-07 17:43:47

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。

2023-09-05 06:13:28

功率元器件

有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進行講解。何謂SiC？物理特性

2018-11-29 14:39:47

半導體分立器件怎么分類？

請問半導體分立器件怎么分類？

2011-10-26 10:29:14

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

75A的混合碳化硅分立器件，并同時推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上，直接進行Pin To Pin替換驗證測試及使用，在同樣的設(shè)計系統(tǒng)中

2023-02-28 16:48:24

基于Matlab_Simulink直驅(qū)式永磁風力發(fā)電系統(tǒng)的建模與仿真

/Simulink 直驅(qū)式永磁風力發(fā)電系統(tǒng)的建模與仿真趙立鄴，孟鎮(zhèn)(沈陽農(nóng)業(yè)大學信息與電氣工程學院，沈陽 110161)摘要：直驅(qū)式風力發(fā)電系統(tǒng)不需要電勵磁、噪聲小、維護費用低、控制簡單，在風力發(fā)電系統(tǒng)中越來...

2021-07-06 07:41:00

如何改良SiC器件結(jié)構(gòu)

的高性價比功率芯片和模塊產(chǎn)品。　　傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導通電

2020-07-07 11:42:42

安森美半導體大力用于汽車功能電子化方案的擴展汽車認證的器件

供應(yīng)商正在減少對標準產(chǎn)品的關(guān)注，但安森美半導體繼續(xù)投資于汽車級標準分立器件的基本構(gòu)件模塊，同時擴大針對汽車功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標準的和高性能的分立器件陣容中，最新的擴展包括低正向電壓整流器

2018-10-25 08:53:48

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？

2021-02-22 07:16:36

手機各分立元器件識別與檢測

手機電路中的分立元器件主要包括電阻、電容、電感、晶體管等。本資料讓你掌握手機各類分立元器件的識別和檢測技能，為手機維修打基礎(chǔ)[hide] [/hide]

2011-12-15 14:17:28

有效實施更長距離電動汽車用SiC功率器件

雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟

2019-08-11 15:46:45

未來發(fā)展導向之Sic功率元器件

`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化

2017-07-22 14:12:43

正在漲價！這些分立器件廠商你都知道嗎？

較低端，汽車占比15%。2014年中國分立器件應(yīng)用最大的領(lǐng)域為計算機與外設(shè)，約30%；預(yù)計隨著國內(nèi)企業(yè)的研發(fā)與創(chuàng)新能力提升、以及產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶來的壓強系數(shù)的快速加強，未來國內(nèi)汽車等高端應(yīng)用占比也將向全球

2017-09-06 10:47:20

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)

2019-09-17 09:05:05

淺析SiC功率器件SiC SBD

2019-05-07 06:21:51

混合電驅(qū)傳輸系統(tǒng)詳解

作者：麥總前段時間的漢諾威展上，ACOPOStrak 官方就旗下電驅(qū)軌道產(chǎn)品做了最新的功能發(fā)布，宣稱 ACOPOStrak 現(xiàn)在已經(jīng)能和普通的傳輸技術(shù)整合在一起，集成到設(shè)備的物料輸送系統(tǒng)中了。話說

2019-07-19 06:48:05

直驅(qū)和雙饋風機技術(shù)流派大比對

“直驅(qū) VS 雙饋” 風機技術(shù)流派大比對在風電技術(shù)的選擇方面，隨著國內(nèi)風機大型化趨勢的升級，業(yè)內(nèi)對于直驅(qū)與雙饋技術(shù)孰優(yōu)孰劣的討論也越加激烈。今天我們就從發(fā)展歷史、運維情況、發(fā)展趨勢等方面來比對一下

2018-10-22 10:30:46

碳化硅SiC技術(shù)導入應(yīng)用的最大痛點

成本方面，采用新技術(shù)可以為汽車制造商節(jié)省很多金錢?！薄　∷睦碛墒牵寒敳捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC時，開關(guān)頻率可以設(shè)計得更高，這將提高器件的能效，降低無源元件的尺寸和成本，因為無源器件在應(yīng)用系統(tǒng)總成本中占比很高。此外，當

2023-02-27 14:28:47

第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實意義?！　?.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件

2017-06-16 10:37:22

請教關(guān)于Guarding 回路的在測試PCBA上的分立元件詳細應(yīng)用設(shè)計和元器件選型？

請教關(guān)于Guarding 回路的在測試PCBA上的分立元件詳細應(yīng)用設(shè)計和元器件選型？我在網(wǎng)上查過國外廠家安捷倫現(xiàn)在是德科技的ICT的相關(guān)資料以及一些***廠家的，沒有非常具體的，只是簡單原理性的介紹

2021-10-12 11:41:39

過壓故障保護模擬開關(guān)對分立保護器件的替代

的模擬開關(guān)和多路復(fù)用器代替分立保護器件能夠在模擬性能、魯棒性和解決方案尺寸方面提供顯著的優(yōu)勢。過電壓保護器件位于敏感下游電路和受到外部應(yīng)力的輸入端之間。一個例子是過程控制信號鏈中的傳感器輸入端

2019-07-26 08:37:28

集成柔性功率器件在FPGA或SoC電源中的應(yīng)用

室內(nèi)空間對比，PMIC解決方案必須的線路板室內(nèi)空間低10％。第三，集成器件必須的外界部件低于公司分立解決方案，這進一步減少了總體規(guī)格和成本費。降低物料（BOM）器件總數(shù)能夠提升可信性。　　因而，在設(shè)計方案必須好幾個電源軌的系統(tǒng)軟件時，尤其是在必須FPGA或SoC電源的運用中，請考慮到集成柔性功率器件。

2020-07-01 09:09:21

永磁同步電機，新能源車用驅(qū)器

電機電驅(qū)適配流程指的是將電機與電驅(qū)動系統(tǒng)相匹配的過程。在實際應(yīng)用中，電機和電驅(qū)動器可能具有不同的特性，例如電壓、功率、轉(zhuǎn)速范圍等。因此，為了實現(xiàn)最佳性能、效率和穩(wěn)定性，需要對它們進行適當

2024-01-05 19:33:50

分立器件詳述

安森美半導體（ON）是一家高產(chǎn)量、低成本的分立半導體器件生產(chǎn)商--提供廣泛的產(chǎn)品系列，包括6，000種以上不同的可靠獨立式和小尺寸集成分立器件滿足電信、消費電子、汽車、

2010-09-14 19:57:15

電源用分立器件

　　電源用分立器件包括雙極型晶體管開關(guān)、FET(場效應(yīng)晶體管)、整流二極管等。雙極型晶體管從門斷開

2006-04-16 22:46:01

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半導體分立器件的命名方法

半導體分立器件的命名方法表9 國產(chǎn)半導體分立器件型號命名法

2008-12-19 01:17:30

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我國半導體分立器件的命名方法

我國半導體分立器件的命名法表9 國產(chǎn)半導體分立器件型號命名法

2008-12-19 01:18:21

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美國半導體分立器件型號命名方法

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下： &nbs

2010-01-16 10:11:14

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日本半導體分立器件型號命名方法

日本半導體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下： &nbs

2010-02-06 14:36:46

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SiC器件的核心挑戰(zhàn)#硬聲創(chuàng)作季

SiC

電子學習發(fā)布于 2022-11-20 21:18:34

SiC半導體材料及其器件應(yīng)用

分析了SiC半導體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性，介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)，簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢

2011-11-01 17:23:20

介紹 SiC 新功率元器件

使用SiC的新功率元器件技術(shù)

2018-06-26 17:56:00

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SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在

2018-07-15 11:05:41

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集成MOSFET的分立器件能用什么進行替代？

電源設(shè)計小貼士42：可替代集成MOSFET的分立器件

2018-08-16 00:08:00

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從下游應(yīng)用市場來看半導體分立器件產(chǎn)品，且看半導體分立器件的前景如何？

半導體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。分立器件可廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品，其下游應(yīng)用市場可略分如下：家用電器、電源及充電器、綠色照明、網(wǎng)絡(luò)與通信、汽車電子、智能電表及儀器等。以下將從下游應(yīng)用市場來分析半導體分立器件產(chǎn)品的需求情況。

2018-08-20 09:21:00

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分立器件行業(yè)概況，分立器件行業(yè)現(xiàn)狀

與集成電路相比，分立器件的缺點是體積大，器件參數(shù)的隨機性高，電路規(guī)模大頻率高時，分布參數(shù)影響很大，設(shè)計和調(diào)試比較困難。但是由于集成電路本身的限制，分立器件依然發(fā)揮著重要的作用。在超大功率、高壓等高性能場合，分立器件表現(xiàn)出色，依然是不可或缺的存在。

2018-09-28 17:02:41

25830

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。

2022-10-31 09:03:23

666

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！

碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

2022-11-11 11:06:14

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SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

2020

DCT1401分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)

DCT1401 分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng) DCT1401 分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng) 能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù) （如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs

2023-02-24 09:56:48

分立器件是什么？

分立器件是指獨立的電子元件，通常由一個或多個電子器件組成。這些器件可以單獨使用，也可以與其他器件組合使用，以完成特定的電路功能。常見的分立器件包括二極管、晶體管、場效應(yīng)管、電容器、電阻器和電感器等。

2023-02-24 15:26:53

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分立功率器件知識分享

分立功率器件是指用于承載高功率信號的獨立電子器件。它們可以單獨使用，也可以與其他分立器件組合使用，以完成特定的功率放大和開關(guān)控制電路。

2023-02-24 15:31:57

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功率半導體分立器件你了解多少呢？

功率半導體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-05-26 09:51:40

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