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電子發燒友網>模擬技術>SiC(碳化硅)元件推動電動車新走向

SiC(碳化硅)元件推動電動車新走向

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2023-02-21 10:12:241680

SiC碳化硅二極管的特性和優勢

什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

SIC碳化硅MOSFET的制造工藝

介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結構,晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:22:28480

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636

5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621

碳化硅SiC)和通往800 V電動汽車的道路

 電動汽車(EV)電池系統從400V到800V的轉變使碳化硅SiC)半導體在牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC/DC轉換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

競爭激烈,碳化硅市場需求猛增

來源:TechSugar 碳化硅器件正處于起飛之時。 編輯:感知芯視界 相對于硅材料,碳化硅具有諸多優勢,這也讓它在越來越多領域得到廣泛應用,并逐漸有取代之勢。 電動車和新能源推動碳化硅需求增
2023-08-14 12:27:01468

基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發指南-結構和規格

基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發指南-結構和規格
2023-11-27 16:15:55331

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時間,奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時Lucid也發布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大優勢

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項碳化硅SiC)長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。 隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入,高壓純電動車因其能效更高、續航里
2023-12-22 08:20:01284

碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

碳化硅SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

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