晶體管輸出伏安特性，是指一個確定的基極電流Ib下，集電極電流Ic與與輸入電壓Uce的關系，理想狀態下如下圖關系，集電極電流與輸入電壓沒有關系，是由基極電流決定的。
2023-02-23 13:50:52
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的內部結構，可以在內部工作原理中引導和直流電，以調節它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負-正-負（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
用NPN型功率晶體管擴流的CW200集成穩壓電源
2008-11-12 14:50:56
。晶體管NPN型和PNP型結晶體管工作狀態晶體管的工作原理類似于電子開關。它可以打開和關閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
目標：設計一共射極直流增益β>150的NPN雙極型晶體管，并分析其輸入特性和輸出特性。1）MDRAW工具設計一個雙極型晶體管（平面工藝）；2）在MDRAW下對器件必要的位置進行網格加密；3
2014-05-26 19:51:59
，PHP型管置換PNP型管。特性相近用于置換的晶體管應與原晶體管的特性相近，它們的主要參數值及特性曲線應相差不多。晶體管的主要參數近20個，要求所有這些參數都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述
2015-07-07 16:56:34
題庫來源：特種作業模考題庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號幅頻特性不擴展的理由擴展共射級放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
的應用。二、晶體管分類及其工作原理晶體管泛指所有半導體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨。▲ 剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點陣液晶屏，顯示內容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
紹了各種電路印制電路板的實際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
之間）和發射結（B、E極之間），發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
。 7．音頻功率放大互補對管的選用音頻功率放大器的低放電路和功率輸出電路，一般均采用互補推挽對管（通常由1只NPN型晶體管和1只PNP型晶體管組成）。選用時要求兩管配對，即性能參數要一致。 低放電路中
2012-01-28 11:27:38
很少一部分在基區被復合，大部分電子是在集電結的強電場的作用下，集中到了集電極，構成了集電極電流的主體，所以，此時的集電極電流要遠大于從基極注入的電流，這就是晶體管放大功能的物理模型。此時，是以NPN型
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區域對應于 晶體管的三個工作狀態（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN
2019-05-09 23:12:18
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數振蕩器，移相器，串聯調節器，斬波放大器等。 點擊鏈接進入舊版 ：晶體管電路設計與制作
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬。《晶體管電路設計與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
伏安特性是指加在二 極 管兩端的電 壓u與流過=極管的電 流，之間的關系，即，I=f（U）。2CP12（普通型硅=極管）和2AP9（普通型鍺二 極 管）的伏安特。11.png
2020-10-27 10:17:50
1三極管基本特性晶體管分為三極管和場效應管，三極管電路的學習更具普遍性，場效應管的應用我們放到后面電源管理的章節介紹。晶體管都可分為N型和P型，具體到三極管就是NPN三極管和PNP三極管。我們主要
2021-12-30 07:30:30
字（可選）
PNP 和 NPN 晶體管
晶體管的種類繁多，每種晶體管的特性各不相同，各有其優點和缺點。某些類型的晶體管主要用于開關應用。其他的可用于開關和放大。盡管如此，其他晶體管仍屬于自己的專業組
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅動功率高，但驅動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認識到這種設計對發射極-跟隨電路的諸多優勢，并為這一概念申請了專利。 達林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的兩種主要類型是什么？晶體管基本上分為兩種類型;它們是雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。BJT再次分為NPN和PNP晶體管。5.晶體管有多少種？兩種類型晶體管有兩種類型，它們在電路中
2023-02-03 09:32:55
伏安特性分析儀簡稱IV分析儀，專門用來測量二極管的伏安特性曲線、晶體管三極管的輸出特性曲線，以及MOS場效應管的輸出特性曲線。
IV分析儀相當于實驗室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接
2023-04-27 16:28:47
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
VT稱為增強型MOS管的開啟電壓。 單極型晶體管特點 輸入電阻高，可達107~1015Ω，絕緣柵型場效應管（IGFET）可高達1015Ω。 噪聲低，熱穩定性好，工藝簡單，易集成，器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導通，則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
（1）場效應晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應晶體管
2019-03-28 11:37:20
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
基于LabVIEW的三極管伏安特性測量1. 內容利用LabVIEW設計一個三極管伏安特性測量程序，采用電壓掃描法實現對三極管伏安特性的分析。2. 要求
2016-07-05 10:34:20
基于單片機的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
。對于NPN，它是灌電流。 達林頓晶體管開關 這涉及使用多個開關晶體管，因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中，一個小輸入雙極結型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
怎樣去設計掃描信號發生器？掃描信號發生器的階梯波和鋸齒波有什么關系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優點？
2021-04-15 06:13:59
黑色，則晶體管為NPN型;如果固定測試引線是紅色引線，則管子是PNP型晶體管。 注意：鍺管用R×100測量，硅管用R×1k測量。 ○ 確定發射器和集電極 使用萬用表測量除基極電極外兩極的電阻。更換
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進行數據采集？如何用LabVIEW顯示單結晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
小功率管2N930 NPN LOW POWER 硅 晶體管 [53kb]2N1613 NPN - 音頻 output ,Video, Driver [NTE128][28KB]2N2222A NPN
2021-05-25 06:28:22
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
小弟想問，有誰可以告訴我。晶體管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 還是PNP。如果找不到同一樣的晶體管(transistor)那我該買什么晶體管(transistor)來替換。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
變化。因這一變化點在3V以下，故產品為合格。關于數字晶體管的溫度特性根據環境溫度、VBE、hFE、R1、R2變化。hFE的溫度變化率約為0.5％/oCVBE的溫度系數約為－2mV/oC(-1.8
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的小變化將導致集電極電流的大變化。關于Beta的最后一點。相同類型和部件號的晶體管的Beta值會有很大的差異。例如，BC107 NPN雙極型晶體管的直流電流增益Beta值介于110和450之間（數據表值
2020-11-02 09:25:24
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
求購雙極晶體管BD249C，NPN，30個，要求現貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
二極管的伏安特性是什么？溫度對二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
儀器僅對NPN 型晶體管進行測試，若要測試PNP 型管，需將電路內的晶體管改型，3DG 改為3CG ， 3CG 改為3DG ， VD1 應反接，電源正、負極互換(振蕩電路極性不變)。電路中， NE555
2008-07-25 13:34:04
不導通。當UA＞UG時，P1N1結正偏將發生空穴注入，P1N1P2N2結構開通，A-K間導通并出現負阻現象。其過程及伏安特性與單結晶體管十分相似，區別僅在于：單結晶體管的負阻特性出現在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
電極-發射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負載線與輸入特性曲線的交點為什么就是Q點？
2019-04-01 06:36:50
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
頻率特性變化的密勒效應，再比如基于晶體管的負反饋、差分放大電路的設計。這些內容如果認真的去看《晶體管電路設計》，同時結合李老師的電路板進行實際的電路搭建和測試分析，相信每一個位用心的同學都會有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
硅NPN RF晶體管BFX89、BFY90，專為VHF/UHF放大器、振蕩器、轉換器應用BFX89和BFY90硅NPN RF晶體管采用TO-72封裝方式封裝。它們的實物如圖1所示，專為VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
NPN型和PNP型晶體管電路
2009-06-08 23:13:053255 
單結晶體管具有負租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。
圖1-31中電源電壓UBB的
2009-07-31 17:22:552649 
NPN晶體管,NPN晶體管是什么意思
１９４７年１２月２３日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，３位科學家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博
2010-03-05 11:11:425389 NPN晶體管共發電路:
2012-04-17 15:14:451718 
Multisim 10的元器件庫提供數千種電路元器件供實驗選用，虛擬測試儀器儀表種類齊全，有一般實驗用的通用儀器，但沒有晶體管圖示儀，只能測試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線，不具備測試
2019-01-04 09:18:004248 
晶體管配置是NPN晶體管。我們還了解到雙極晶體管的結可以以三種不同的方式偏置 -公共基極，公共發射極和公共集電極。在本教程中，關于雙極晶體管，我們將更詳細地討論使用雙極NPN晶體管的“共發射極”配置，并舉例說明NPN晶體管的構造以及晶體管電流特性
2019-06-25 15:14:168110 
本文檔的主要內容詳細介紹的是晶體管的特性與參數詳細資料說明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數
2019-06-17 08:00:00
23 今天為大家介紹晶體管由兩個PN結構成，分為NPN型和PNP型兩類，根據使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111255 
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