外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4710449 設(shè)計(jì)外延片參數(shù),第一次外延,制備光子晶體,第二次外延,制備臺面和電極。
2023-05-22 11:43:351467 一些后處理步驟,例如研磨、化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、SiC外延、注入、檢測、化學(xué)氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)。SiC晶圓因其半透明性質(zhì)和材料硬度而面臨許多挑戰(zhàn),這需要對關(guān)鍵工藝步驟設(shè)備進(jìn)行
2019-05-12 23:04:07
我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前,西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
`各位大神,小弟初學(xué)LV,想編一個工藝流程仿真計(jì)算的軟件,類似這樣一個東西如圖所示:先設(shè)置每一個單體設(shè)備的具體參數(shù),然后運(yùn)行,得出工藝流程仿真計(jì)算的結(jié)果,計(jì)算模型有很多公式,可以直接編程。但要想達(dá)到
2015-11-17 17:18:22
有沒有能否切割晶圓/硅材質(zhì)濾光片的代工廠介紹下呀
2022-09-09 15:56:04
架上,放入充滿氮?dú)獾拿芊庑『袃?nèi)以免在運(yùn)輸過程中被氧化或沾污十、發(fā)往封測Die(裸片)經(jīng)過封測,就成了我們電子數(shù)碼產(chǎn)品上的芯片。晶圓的制造在半導(dǎo)體領(lǐng)域,科技含量相當(dāng)?shù)母撸夹g(shù)工藝要求非常高。而我國半導(dǎo)體
2019-09-17 09:05:06
`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序(Wafer Fabrication)、晶圓針測工序(Wafer Probe)、構(gòu)裝工序(Packaging)、測試工序(Initial
2011-12-01 15:43:10
有人又將其稱為圓片級-芯片尺寸封裝(WLP-CSP),以晶圓圓片為加工對象,在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合,即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起,以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
細(xì)間距的晶圓級CSP時,將其當(dāng)做倒裝晶片并采用助焊劑浸蘸的方法進(jìn)行組裝,以取代傳統(tǒng)的焊膏印刷組裝,如圖2所示,首先將晶圓級CSP浸蘸在設(shè)定厚度的助焊劑薄膜中,然后貼裝,再回流焊接,最后底部填充(如果有要求)。關(guān)于錫膏裝配和助焊劑裝配的優(yōu)缺點(diǎn)。圖1 工藝流程1——錫膏裝配圖2 工藝流程2——助焊劑裝配
2018-09-06 16:24:04
時間。
更加環(huán)保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上,基于氮化鎵的充電器,從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡,只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
晶圓低得多的成本。更重要的是,行業(yè)發(fā)展已為硅基氮化鎵在商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)、庫存維護(hù)、適應(yīng)需求激增等方面打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),緩解了供應(yīng)短缺的擔(dān)憂。只要碳化硅基氮化鎵繼續(xù)依賴耗時、高成本的制造工藝,這種擔(dān)擾就將
2017-08-15 17:47:34
光電子應(yīng)用正在推動砷化鎵(GaAs)晶圓和外延片市場進(jìn)入一個新時代!在GaAs射頻市場獲得成功之后,GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α1痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造,氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
尺寸相同的LDMOS的4到6倍。盡管MACOM氮化鎵的材料成本因氮化鎵外延淀積而略高于 LDMOS,但MACOM的晶片加工流程相較LDMOS可以節(jié)省50%的制造步驟,從而單片晶圓的加工成本差異幾乎可以
2017-08-30 10:51:37
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢,采用硅來做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
PCB工藝流程詳解PCB工藝流程詳解
2013-05-22 14:46:02
; b. FR-4是環(huán)氧樹脂的一種,主要用于線路板行業(yè); c.環(huán)氧樹脂的反應(yīng): 二、工藝流程圖: 三、排板: 1.將黑化板、P片按要求進(jìn)行排列。 2. 過程:選P片→切P片→排P片→排棕化板→排P
2018-09-19 16:28:07
PCB制造工藝流程是怎樣的?
2021-11-04 06:44:39
誰能闡述一下PCB四層板的制作工藝流程?
2020-02-24 16:48:14
介紹(二)32.表面處理介紹(三)33.成型工序介紹(一)34.成型工序介紹(二)35.測試FQC包裝36.IPC標(biāo)準(zhǔn)及其它標(biāo)準(zhǔn)介紹PCB工程設(shè)計(jì),工藝流程基礎(chǔ)知識下載鏈接`
2021-07-14 23:25:50
本文主要介紹:單面電路板、雙面板噴錫板、雙面板鍍鎳金、多層板噴錫板、多層板鍍鎳金、多層板沉鎳金板;這幾種電路板不同的工藝流程做詳細(xì)的介紹。 1、單面板工藝流程 下料磨邊→鉆孔→外層圖形→(全板
2018-09-17 17:41:04
Memory、PLL 鎖相環(huán)電路、起振電路與溫補(bǔ)電路。上面六幅圖揭示了整個SITIME晶振生產(chǎn)工藝流程,SITIME MEMS 電子發(fā)燒友振采用上下兩個晶圓疊加的方式,外部用 IC 通用的塑料做為封裝。不僅大大減少的石英晶振的工序,而且更全面提升了產(chǎn)品性能。
2017-04-06 14:22:11
, 以及在回流焊接機(jī)之后加上PCA下板機(jī)(PCA Un-loader ),另外,成品PCA可能需要進(jìn)行清洗和進(jìn)行老 化測試,下面的流程圖(圖1)描述了典型的貼裝生產(chǎn)基本工藝流程。 上面簡單介紹了SMT貼
2018-08-31 14:55:23
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時
2012-08-15 16:31:14
GaN 襯底上獲得高性能的薄膜器件,必須使 GaN 襯底的表面沒有劃痕和損壞。因此,晶圓工藝的最后一步 CMP 對后續(xù)同質(zhì)外延 GaN 薄膜和相關(guān)器件的質(zhì)量起著極其重要的作用。CMP 和干蝕刻似乎
2021-07-07 10:26:01
:LED芯片的制造工藝流程 LED芯片的制造工藝流程圖外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形
2015-03-11 17:08:06
% 的能源浪費(fèi),相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn),制造一顆片氮化鎵功率芯片,可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
鎵晶圓的制作成為可能。Na Flux (Na Flux)工藝是將 Na/GaN溶液置于壓力30-40的氮?dú)庵校谠撊芤褐腥芙獾⑹蛊滹柡停纱藢?dǎo)致氮化鎵晶體沉淀。此項(xiàng)技術(shù)由山根久典教授于日本東北大學(xué)
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
2.倒裝晶片的裝配工藝流程介紹 相對于其他的IC元件,如BGA和CSP等,倒裝晶片裝配工藝有其特殊性,該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因?yàn)橹竸埩粑铮▽煽啃缘挠绊懀┘皹蜻B的危險(xiǎn),將倒裝
2018-11-23 16:00:22
芯片焊接的工藝流程 倒裝芯片焊接的一般工藝流程為 (1)芯片上凸點(diǎn)制作; (2)拾取芯片; (3)印刷焊膏或?qū)щ娔z; (4)倒裝焊接(貼放芯片); (5)再流焊或熱固化(或紫外固化
2020-07-06 17:53:32
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu),謝謝
2013-12-11 12:50:27
關(guān)于黑孔化工藝流程和工藝說明,看完你就懂了
2021-04-23 06:42:18
) - 平整和拋光晶圓片的工藝,采用化學(xué)移除和機(jī)械拋光兩種方式。此工藝在前道工藝中使用。Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer
2011-12-01 14:20:47
哪些 MCU 產(chǎn)品以裸片或晶圓的形式提供?
2023-01-30 08:59:17
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
不同的工藝流程做詳細(xì)的介紹。 1、單面板工藝流程下料磨邊→鉆孔→外層圖形→(全板鍍金)→蝕刻→檢驗(yàn)→絲印阻焊→(熱風(fēng)整平)→絲印字符→外形加工→測試→檢驗(yàn)。 2、雙面板噴錫板工藝流程下料磨邊→鉆孔→沉銅
2017-12-19 09:52:32
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀,關(guān)于測試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分,尤其是精度部分希望交流,資料可發(fā)g-optics@163.com,多謝!`
2018-11-20 20:25:37
晶體管管芯的工藝流程?光刻的工藝流程?pcb制版工藝流程?薄膜制備工藝流程?求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
在硅頂部生長氮化鎵外延層,可以使用現(xiàn)有的硅制造供應(yīng)鏈而免于使用昂貴的特定生產(chǎn)地點(diǎn)。供應(yīng)鏈利用現(xiàn)成的大直徑硅晶圓以低成本進(jìn)行量產(chǎn),并與具備豐富經(jīng)驗(yàn)的合作伙伴進(jìn)行大批量后端生產(chǎn)。由于氮化鎵器件比硅器件
2023-06-25 14:17:47
有沒有人了解晶圓片輻照后的退火過程?我公司有輻照設(shè)備,但苦于不了解退火的過程
2012-09-12 13:35:04
樣板貼片的工藝流程是什么
2021-04-26 06:43:58
本科畢業(yè)設(shè)計(jì)需要閃存的工藝流程,但是在知網(wǎng)和webofscience我都沒找到,希望有大佬可以幫幫忙。謝謝了
2022-04-18 21:51:10
繼續(xù)發(fā)展。我們預(yù)言激光工藝將在單位晶圓裸片數(shù)量和縮短投資回收期方面有進(jìn)一步的發(fā)展。  
2010-01-13 17:01:57
`什么是硅晶圓呢,硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎?其實(shí)二者是一個概念。集成電路(IC)是指在一半導(dǎo)體基板上,利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
芯片制作工藝流程 工藝流程1) 表面清洗 晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2) 初次氧化 有熱氧化法生成SiO2 緩沖層,用來減小后續(xù)
2019-08-16 11:09:49
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
芯片生產(chǎn)工藝流程是怎樣的?
2021-06-08 06:49:47
本文主要介紹:單面線路板、雙面板噴錫板、雙面板鍍鎳金、多層線路板噴錫板、多層線路板鍍鎳金、多層板沉鎳金板;這幾種線路板不同的工藝流程做詳細(xì)的介紹。1.單面板工藝流程下料磨邊→鉆孔→外層圖形→(全板
2017-06-21 15:28:52
請?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
12英寸晶圓片的外觀檢測方案?那類探針臺可以全自動解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測試? 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
貼片電阻的生產(chǎn)工藝流程如何
2021-03-11 07:27:02
、通訊等許多行業(yè)上的最終產(chǎn)品,它可以包括CPU、內(nèi)存單元和其它各種專業(yè)應(yīng)用芯片。本文有關(guān)超大規(guī)模集成電路的一些基本概念、主要生產(chǎn)工藝流程及其產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)等做一個簡要介紹。
2019-07-29 06:05:53
各位大神,目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少,知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
長期收購藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
` 集成電路按生產(chǎn)過程分類可歸納為前道測試和后到測試;集成電路測試技術(shù)員必須了解并熟悉測試對象—硅晶圓。測試技術(shù)員應(yīng)該了解硅片的幾何尺寸形狀、加工工藝流程、主要質(zhì)量指標(biāo)和基本檢測方法;集成電路晶圓測試基礎(chǔ)教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
硫酸渣制磚工藝流程
含鐵量較低,
2009-03-30 20:10:201174 利用鉻渣制鈣鐵粉工藝流程
圖 利用鉻渣制鈣鐵粉工藝流程鉻渣制成的鈣鐵粉
2009-03-30 20:13:30702 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-23 08:35:54539 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05525 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識,LED外延片--襯底材料,評價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 工藝流程
2016-02-24 11:02:190 一般來說,GaN 的成長須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解,另外一方面由動力學(xué)仿真也得知NH3 和MO Gas 會進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。 LED 外延片工藝流程如下: 襯底
2017-10-19 09:42:3811 本文開始介紹了mlcc的定義與特性其次詳細(xì)的闡述了mlcc的工藝流程,最后介紹了mlcc的應(yīng)用領(lǐng)域及MLCC在IC電源中的應(yīng)用詳情。
2018-03-15 14:53:0425239 CMOS工藝流程介紹1.襯底選擇:選擇合適的襯底,或者外延片,本流程是帶外延的襯底;2. 開始:Pad ox
2018-03-16 10:40:16108618 的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是,在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時,展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181381 近日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,其控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡稱“聚能晶源”)成功研制“8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延
2018-12-20 14:45:206608 涂覆工藝流程無論是手工浸、刷、噴、還是選擇性涂覆工藝,其工藝流程都是相同的。工藝流程如下:
2020-01-06 11:18:4718974 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇:選擇合適的襯底,或者外延片,本流程是帶外延的襯底;
2. 開始:Pad oxide 氧化,如果直接淀積氮化硅,氮化硅對襯底應(yīng)力過大,容易出問題;
2020-06-02 08:00:000 近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:301340 最近做芯片和外延的研究,發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大,大到改變試驗(yàn)設(shè)計(jì)的“世界觀”。基板襯底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:584302 從晶圓到芯片,有哪些工藝流程?晶圓制造工藝流程步驟如下: 1.表面清洗 2.初次氧化 3.CVD 4.涂敷光刻膠 5.用干法氧化法將氮化硅去除 6.去除光刻膠 7.用熱磷酸去除氮化硅層 8.退火處理
2021-12-30 11:11:1617302 CMOS工藝流程介紹,帶圖片。
n阱的形成 1. 外延生長
2022-07-01 11:23:2027 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長,可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 固相外延,是指固體源在襯底上生長一層單晶層,如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時,硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長法,需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲,為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來,在國家政策支持下,我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:426163 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法(MOCVD)生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:413722 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù),它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046 功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括:在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕),進(jìn)行芯片封裝,對加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測試,其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。
2023-02-24 15:34:133185 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462467 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 無壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。燒結(jié)銀的燒結(jié)工藝流程就顯得尤為重要
2022-04-08 10:11:34778 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:540 外延工藝的介紹,單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下,進(jìn)行材料外延技術(shù),下圖為分子束外延的核心組成,包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10968 襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161
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