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電子發燒友網>模擬技術>砷化鎵芯片和硅芯片區別 砷化鎵芯片的襯底是什么

砷化鎵芯片和硅芯片區別 砷化鎵芯片的襯底是什么

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2017-08-15 17:47:34

氮化的卓越表現:推動主流射頻應用實現規模、供應安全和快速應對能力

和意法半導體今天聯合宣布將基氮化技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃,這標志著氮化供應鏈生態系統的重要轉折點,未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在晶圓制造方面的規模和出色運營完美結合
2018-08-17 09:49:42

硅片鍵合碎片問題

襯底襯底金金鍵合后,晶圓粉碎是什么原因,偶發性異常,找不出規律,有大佬清楚嗎,求助!
2023-03-01 14:54:11

詳解貼片式光電耦合器

目前極大多數的光耦輸入部分采用紅外發光二極管,輸出部分采用光電二極管、光電三極管及光觸發可控。這是因為峰值波長900~940nm的紅外發光二極管能與光電器件的響應峰值波長
2019-07-10 07:23:56

詳解:半導體的定義及分類

的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有、鍺、等,而更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。  半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51

請問芯片化學腐蝕開封的配酸比例和溫度多少比較合適呀?

目前使用發煙硝酸:硫酸比例5:3,溫度90,開封出來有部分芯片崩邊了,求合適的配酸比例和溫度
2022-03-29 18:44:42

請問一下VGA應用中器件注定要改變一統的局面?

請問一下VGA應用中器件注定要改變一統的局面?
2021-05-21 07:05:36

誰發明了氮化功率芯片

,是氮化功率芯片發展的關鍵人物。 首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發工作。他在、碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

紅外探測器外延片

各位大神,目前國內賣銦紅外探測器的有不少,知道銦等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07

高純(Ga)

用于化合物半導體襯底:GaN氮化 、GaAs 、GaP磷化鎵外延: MBE, LPE ,VPE 
2022-01-17 13:46:39

XU1006-QB是變送器

XU1006-QB變送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 發射器在整個頻段具有 +17.0 dBm 輸出三階截距。該器件是一個平衡的電阻式 pHEMT 混頻器,后跟一個
2022-12-28 15:31:26

MAVR-011020-1411是一款倒裝芯片超突變變容二極管

MAVR-011020-1411可焊接 GaAs 恒定伽馬倒裝芯片變容二極管MAVR-011020-1411 是一款倒裝芯片超突變變容二極管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的,采用專為
2023-02-09 15:09:46

MAVR-000120-12030W是一種倒裝芯片超突變變容二極管

MAVR-000120-12030W  GaAs超突變MACOM 的 MA46H120 系列是一種倒裝芯片超突變變容二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的,采用
2023-02-10 11:22:13

MAVR-000120-14110P是一種倒裝芯片超突變變容二極管

MAVR-000120-14110PGaAs超突變MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種倒裝芯片超突變變容二極管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的,采用專為實現高器件
2023-02-13 11:30:35

MADZ-011001是一款太赫茲截止頻率的倒裝芯片肖特基勢壘二極管

MADZ-011001肖特基二極管 W 波段MADZ-011001 是一款太赫茲截止頻率的倒裝芯片肖特基勢壘二極管。該二極管是在 OMCVD 外延晶圓上制造的,采用專為實現高器件均勻性和極低
2023-02-13 15:01:52

高線性度與優異溫度特性的霍爾元件-JM8630 替代HG-166A

)材料靈敏度較高,是Si材料的八倍以上,且隨溫度變化很小(0.03-0.05%/度)主要用于線性傳感應用,也可用于高端開關傳感應用。(GaAs)霍爾元件有
2023-03-09 17:42:14

SW-209-PIN

SW-209-PIN匹配 GaAs SPST 開關 DC - 3.0 GHz     MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關
2023-04-18 15:19:22

用于電動摩托 + Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3

GaAs的靈敏度比Si材料高1個數量級、溫漂小1個數量級,是優異的線性磁傳感霍爾材料。芯片特征:● + Si混合可編程線性霍爾效應IC● 單電源:VDD 3
2023-05-31 10:02:47

FSX027X 場效應管 HEMT 芯片

FSX027X型號簡介Sumitomo的FSX027X是一種通用場效應管,設計用于介質高達12GHz的電源應用。這些設備具有廣泛的動態適用于中功率、寬帶、線性驅動放大器或振蕩器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16

FLK017XP 場效應管 HEMT 芯片

FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率場效應管,設計用于Ku頻段的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45

用于電動摩托 + Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3

鈞敏科技發布于 2023-06-06 10:26:33

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