正在瀏覽一些舊筆記，偶然發(fā)現(xiàn)了我了解死時(shí)間的那一天。不，這不是我們都試圖忽視的致命時(shí)刻；在此期間，在半橋或全橋中打開和關(guān)閉 FET 至關(guān)重要。那么它是什么，為什么 FET 的開關(guān)如此重要？當(dāng)數(shù)字電路
2021-06-14 17:08:00
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SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計(jì)，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:003205 
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
描述該設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 200VAC-400VAC 的輸入范圍。24V 的輸入由額定最高 50W 的功率生成。主要特色高壓
2018-08-09 08:06:58
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)
2019-03-27 06:20:11
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中 SiC MOSFET 用于高頻開關(guān)，Si IGBT 用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng) 器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅 IGBT/SiC MOS 混合式多電平配置。客戶
2018-10-30 11:48:08
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)？
2021-02-22 07:16:36
1，在當(dāng)代無功補(bǔ)償已經(jīng)推廣到全世界，將總發(fā)電量增大50%左右，證據(jù)是無功功率需要量比有功功率多。 2，如果沒有無功補(bǔ)償，就會(huì)缺少50%以上總電能，有50%企業(yè)因缺電而停產(chǎn)。3，意外發(fā)現(xiàn)：無功補(bǔ)償
2022-12-15 21:07:26
在無功補(bǔ)償中，意外發(fā)現(xiàn)節(jié)電原理與實(shí)踐相矛盾，表現(xiàn)是：無功補(bǔ)償負(fù)載做功增大案例無法解答。1，公認(rèn)無功補(bǔ)償原理：因?yàn)榘惭b電容器，線路功率因數(shù)提高，所以從電源輸出的總電流減l小。如果此觀點(diǎn)正確，負(fù)載電流
2022-12-14 13:56:03
`描述此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2015-04-28 17:08:04
描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
的好處。雖然增強(qiáng)型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設(shè)計(jì)，并提供了大大提高性能和效率的設(shè)計(jì)路徑。高壓設(shè)計(jì)案例開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設(shè)計(jì)都采用
2017-05-03 10:41:53
意外的 ID 代碼？，發(fā)現(xiàn)板是原始的。板載 stlink 已更新為最新版本。如果我用谷歌搜索這個(gè)錯(cuò)誤，就會(huì)有人試圖刷新 ST 克隆 mcus，但我的是原裝的。 這是我的 openocd.cfg 文件
2023-02-02 07:46:20
先說聲對(duì)不起。，這些天導(dǎo)師那邊一堆事。時(shí)間不夠。終于找到點(diǎn)時(shí)間便說下我的新發(fā)現(xiàn)。好了不說廢話了，接著上次的說。我在機(jī)智云開發(fā)者界面中添加了一個(gè)設(shè)備。為了方便我今天又加了一個(gè)用寵物屋做模板的一個(gè)
2015-10-19 22:12:27
此乃小弟最近新發(fā)現(xiàn)的問題，望各位大神不吝賜教！謝謝！
2020-03-08 23:17:19
我是個(gè)初學(xué)者，現(xiàn)在有個(gè)問題想咨詢各位高手。我想用串口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)送、接收好保存，三個(gè)部分是分開寫的。想實(shí)現(xiàn)發(fā)送一幀數(shù)據(jù)（是XY坐標(biāo)值），從儀器返回一幀數(shù)據(jù)（返回坐標(biāo)值和測(cè)量值），返回成功則提取數(shù)據(jù)并保存，返回失敗則要重新發(fā)送這一點(diǎn)的坐標(biāo)值。問題就是：返回失敗時(shí)，怎樣讓程序重新發(fā)送這一點(diǎn)？
2015-11-18 18:43:50
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡(jiǎn)化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
給大家介紹個(gè)新發(fā)現(xiàn)的單片機(jī)內(nèi)存調(diào)試工具M(jìn)CUMonitor,其界面簡(jiǎn)單，操作方便。對(duì)于調(diào)試內(nèi)存數(shù)據(jù)的連續(xù)變化，有很大的好處。開發(fā)人員移植也很方便，只要在串口通訊端口對(duì)接開發(fā)的庫(kù)。即可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存變量
2018-01-16 17:27:58
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
在現(xiàn)實(shí)生活中，冗余服務(wù)器問題一直都很讓人糾結(jié)。有時(shí)我們甚至想過要用4臺(tái)exchange2010實(shí)現(xiàn)CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁啊！現(xiàn)在你可以輕松了。偶的新發(fā)現(xiàn)就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
新發(fā)現(xiàn)了一個(gè)比較簡(jiǎn)潔的光立方原理圖發(fā)給大家了
2016-12-14 18:23:01
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
描述該設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 200VAC-400VAC 的輸入范圍。24V 的輸入由額定最高 50W 的功率生成。特性高壓交流
2022-09-28 06:02:14
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
描述焊接可能看起來有點(diǎn)令人生畏，但它比看起來更容易，它是一種為您打開 DIY 項(xiàng)目世界的技能。這個(gè)項(xiàng)目不僅是學(xué)習(xí)如何焊接的完美方式，而且是向您的朋友和家人展示您新發(fā)現(xiàn)的技能的完美方式。與其他簡(jiǎn)單
2022-09-07 07:30:00
希望自動(dòng)發(fā)送暫停后，重新發(fā)送，計(jì)數(shù)器可以清零。怎么實(shí)現(xiàn)？？？
2013-04-08 15:15:02
棄 Windows 而擁抱 Linux 之后，我有這些新發(fā)現(xiàn)！
2019-04-10 16:28:00
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新發(fā)現(xiàn)的論壇，路過
2015-06-25 10:31:09
了。 固有優(yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
穩(wěn)壓電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。 由于用處不同；每個(gè)廠家都對(duì)不同用處FET做了專門優(yōu)化。以致同樣耐壓/電流的FET；有多個(gè)
2021-11-12 07:10:09
彩電自動(dòng)搜臺(tái)露存的新發(fā)現(xiàn) 作者： 王記鎖 春節(jié)剛過，親戚一臺(tái)康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01865 傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱，傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:43956 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171052 新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)
勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)一種新的方法，可克服傳統(tǒng)固態(tài)
2010-04-20 09:14:09983 J-FET開關(guān)電路工作原理
1、簡(jiǎn)單開關(guān)控制電路
圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳
2010-05-24 15:42:302900 
雖然電池的多孔電極中的電化學(xué)反應(yīng)已經(jīng)被理論家們描述過了，但是它卻從來沒被直接測(cè)量過。現(xiàn)在，MIT的一個(gè)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)找到了一種方法來直接測(cè)量基礎(chǔ)的電荷轉(zhuǎn)移速率——并有驚人發(fā)現(xiàn)。
2014-04-24 10:16:537700 近期，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。 石墨烯之父又有新發(fā)現(xiàn) 超級(jí)半導(dǎo)體材料浮出水面 近十年來，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。
2016-12-01 09:34:111064 從1989年6月第一輛路虎發(fā)現(xiàn)誕生以來，這款底盤、懸架、轉(zhuǎn)向和制動(dòng)系統(tǒng)都源于攬勝的新車型已經(jīng)有了五代家族成員。
2017-03-02 17:27:38643 路虎的全新一代發(fā)現(xiàn)（以下稱全新發(fā)現(xiàn)為發(fā)現(xiàn)5，現(xiàn)款則稱發(fā)現(xiàn)4）終于上市了。由于造型和平臺(tái)相對(duì)于發(fā)現(xiàn)4的“顛覆”，發(fā)現(xiàn)5自發(fā)布以來也確實(shí)引發(fā)了相當(dāng)大的爭(zhēng)議。不過在這里車云菌想說的是，如果到現(xiàn)在你還在罵發(fā)現(xiàn)5（的設(shè)計(jì)師），那只能說明你真的不懂路虎。因?yàn)閺娜魏谓嵌瓤矗?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)5的這種轉(zhuǎn)變都是一種必然。
2017-03-03 16:54:411034 美國(guó)國(guó)家航空航天局（NASA）召開新聞發(fā)布會(huì)，公開了火星新發(fā)現(xiàn)——好奇號(hào)火星探測(cè)器在火星上發(fā)現(xiàn)了有機(jī)分子。
2018-06-11 08:29:505266 路虎最近車型更新?lián)Q代動(dòng)作頻繁，甚至彪悍硬派的發(fā)現(xiàn)系列也重新改頭換臉大改款。全新一代發(fā)現(xiàn)在海外發(fā)布后，沒過多久便進(jìn)入了中國(guó)市場(chǎng)，引入速度非常迅猛。全新一代發(fā)現(xiàn)外形不再方正，變得更加圓潤(rùn)，車頭更有家族式
2018-07-15 09:53:007932 在這些新發(fā)現(xiàn)的行星中，一顆可能宜居的“超級(jí)地球”存在液態(tài)海洋。編號(hào)為“K2-155d”的這顆行星大小是地球1.6倍，位于其宿主恒星的宜居帶內(nèi)。
2018-08-10 11:02:203177 在實(shí)驗(yàn)科學(xué)中，新發(fā)現(xiàn)的（或重新發(fā)現(xiàn)的）合成技術(shù)在加速感興趣的領(lǐng)域中立即提供增強(qiáng)的性能和簡(jiǎn)單性是一件罕見的事情。然而，1980年代末重新發(fā)現(xiàn)脈沖激光沉積（PLD）的情況就是如此。自從發(fā)現(xiàn)激光器
2018-10-19 16:51:56
13 新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:002723 我們很高興與大家分享 DeepMind 在論證人工智能研究如何推動(dòng)并加速科學(xué)新發(fā)現(xiàn)方面的首個(gè)重要里程碑
2019-04-29 16:30:372851 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 我國(guó)第一顆空間X射線天文衛(wèi)星慧眼衛(wèi)星又有新發(fā)現(xiàn)！ 22日，記者從中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所（以下簡(jiǎn)稱中科院高能所）獲悉，來自該所等國(guó)內(nèi)外單位的研究人員利用慧眼衛(wèi)星在高于200千電子伏特(keV
2020-09-29 15:07:011671 近日，在國(guó)家天文臺(tái)研究團(tuán)隊(duì)的努力奮斗下，他們利用“中國(guó)天眼”FAST望遠(yuǎn)鏡在觀測(cè)中取得了最新的研究進(jìn)展，截至今年3月前，共計(jì)發(fā)現(xiàn)了201顆新脈沖星。
2021-05-20 16:04:433544 UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1317 9月30日，微克科技旗下「Wearfit PRO」APP應(yīng)用發(fā)布重磅升級(jí)，全新發(fā)現(xiàn)頁(yè)功能上線，為用戶精準(zhǔn)推送運(yùn)動(dòng)健康短視頻+健康資訊文章等內(nèi)容，用戶可以在使用Wearfit PRO記錄個(gè)人運(yùn)動(dòng)健康
2021-09-30 17:38:191480 
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試（DPT）結(jié)果驗(yàn)證。
2022-05-05 10:43:232008 
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068 當(dāng)然，（近乎）完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長(zhǎng)時(shí)間了，但我們?cè)谶@里不是在談?wù)摍C(jī)械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān)，當(dāng)打開時(shí)沒有電阻，關(guān)閉時(shí)具有無限電阻和耐壓，并且能夠通過簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)
2022-08-03 09:50:17684 
SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對(duì)于最大限度地減少開關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)通過封裝和電路電感產(chǎn)生高電平的電壓過沖和隨后
2022-08-04 09:30:05729 
幾十年來，基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2008 年開始商用，采用碳化硅 (SiC
2022-08-05 08:05:00962 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SiC FET的300VDC 800VDC輸入54W 4通道輸出PSR反激設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 09:59:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SiC FET的200VAC至400VAC輸入、24V 50W輸出PSR反激參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 09:26:112 表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)
2022-09-23 16:44:35576 
超級(jí)計(jì)算機(jī)被用來建模和模擬科學(xué)計(jì)算中最復(fù)雜的過程，通常是為了洞察新發(fā)現(xiàn)，否則這些新發(fā)現(xiàn)將不實(shí)際或不可能在物理上演示。
2022-10-11 11:53:50559 
超級(jí)計(jì)算機(jī)用于建模和模擬科學(xué)計(jì)算中最復(fù)雜的過程，通常是為了洞察新發(fā)現(xiàn)，否則這些新發(fā)現(xiàn)在物理上是不切實(shí)際的或不可能演示的。
2022-10-12 10:01:20467 超級(jí)計(jì)算機(jī)用于建模和模擬科學(xué)計(jì)算中最復(fù)雜的過程，通常是為了洞察新發(fā)現(xiàn)，否則這些新發(fā)現(xiàn)在物理上是不切實(shí)際的或不可能演示的。
2022-10-12 10:04:24505 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu)）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:23666 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17665 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:09446 OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565 
從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，代際發(fā)展更快，自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以來，SiC FET 現(xiàn)已達(dá)到第 <> 代。
2023-02-17 09:20:03155 
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加，使得碳化硅 （SiC） FET 因其快速開關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。
2023-02-21 09:26:42417 
Mike Zhu，Qorvo 高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用工程師 EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。 引言 在功率水平
2023-03-22 20:30:03338 機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02400 
圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個(gè)構(gòu)想，許多工程師都在尋找能夠有效實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今，人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢(shì)的理想開關(guān)。了解應(yīng)對(duì)方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。 與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴(kuò)大了其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-29 18:10:01225 
聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:29250 
本文作者：Qorvo應(yīng)用工程師Mike Zhu SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關(guān)速度
2023-09-20 18:15:01233 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)！
2023-11-29 16:49:23277 
SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34191 
Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:5266
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