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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>UnitedSiC FET射流計(jì)算機(jī)消除SiC FET選擇中的猜忌

UnitedSiC FET射流計(jì)算機(jī)消除SiC FET選擇中的猜忌

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2021-09-14 14:47:19612

5. 電子計(jì)算機(jī)的應(yīng)用,計(jì)算機(jī)應(yīng)用基礎(chǔ)(試卷版)5|計(jì)算機(jī)應(yīng)用基礎(chǔ)試卷 精選資料分享

計(jì)算機(jī)應(yīng)用基礎(chǔ)5一、單選題1、第二代計(jì)算機(jī)不僅能夠處理文字,而且能夠方便處理______。A:視頻信息B:圖形信息C:動(dòng)畫(huà)信息D:語(yǔ)音信息答案: B2、電子計(jì)算機(jī)按規(guī)模劃分,可以分為_(kāi)____。A
2021-09-13 09:08:15

FET 應(yīng)用電路

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計(jì)算機(jī)在教學(xué)的應(yīng)用

,主要學(xué)習(xí)機(jī)械的設(shè)計(jì)以及與之相關(guān)的加工技術(shù),其它與機(jī)械“無(wú)關(guān)”的課程學(xué)不學(xué)無(wú)所謂。所以,在計(jì)算機(jī)控制類(lèi)課程的教學(xué)過(guò)程,大多數(shù)同學(xué)表現(xiàn)消極,僅求考核過(guò)關(guān)。有的機(jī)械制造及其自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)的學(xué)生甚至認(rèn)為計(jì)算機(jī)控制類(lèi)...
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原標(biāo)題:電氣自動(dòng)化在電力系統(tǒng)的應(yīng)用分析近年來(lái),隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)、信息技術(shù)的發(fā)展,以計(jì)算機(jī)軟件、硬件為主的電力控制逐漸實(shí)現(xiàn),這一是電力自動(dòng)化技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。它在工作,是以計(jì)算機(jī)操作為基礎(chǔ),以
2021-09-08 06:06:58

計(jì)算機(jī)應(yīng)用

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2021-12-27 06:50:59

計(jì)算機(jī)抗干擾能力的措施

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計(jì)算機(jī)接地不良對(duì)人體健康的討論

消除共模干擾,計(jì)算機(jī)在開(kāi)關(guān)電源處安裝Y電容。但存在這樣一個(gè)問(wèn)題,一旦計(jì)算機(jī)接地不良則會(huì)導(dǎo)致計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括與其連接的電器如打印機(jī)等帶上110V的工頻電壓,形成工頻電場(chǎng),因計(jì)算機(jī)是與人密切接觸的電器
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計(jì)算機(jī)接地不良的后果

消除共模干擾,計(jì)算機(jī)在開(kāi)關(guān)電源處安裝Y電容。但存在這樣一個(gè)問(wèn)題,一旦計(jì)算機(jī)接地不良則會(huì)導(dǎo)致計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括與其連接的電器如打印機(jī)等帶上110V的工頻電壓,形成工頻電場(chǎng),因計(jì)算機(jī)是與人密切接觸的電器
2015-11-02 16:28:53

計(jì)算機(jī)是怎樣去區(qū)分指令和數(shù)據(jù)的

什么是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)硬件和計(jì)算機(jī)軟件?硬件和軟件哪個(gè)更重要?馮?諾依曼計(jì)算機(jī)的特點(diǎn)是什么?指令和數(shù)據(jù)都存于存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)如何區(qū)分它們?
2021-08-18 07:53:45

計(jì)算機(jī)由哪幾部分組成?計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)是怎樣的?

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2021-09-18 07:09:02

計(jì)算機(jī)電源的"白金"效率標(biāo)準(zhǔn)

作者:Michael O'Loughlin,德州儀器 (TI) 高級(jí)應(yīng)用工程師引言80+TM 和計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計(jì)劃 (Climate Savers Computing) TM 給計(jì)算機(jī)
2018-09-26 10:17:45

計(jì)算機(jī)的定義及分類(lèi)

一?計(jì)算機(jī)概述計(jì)算機(jī)(computer)俗稱(chēng)電腦,是現(xiàn)代一種用于高速計(jì)算的電子計(jì)算機(jī)器,可以進(jìn)行數(shù)值計(jì)算,又可以進(jìn)行邏輯計(jì)算,還具有存儲(chǔ)記憶功能。是能夠按照程序運(yùn)行,自動(dòng)、高速處理海量數(shù)據(jù)的現(xiàn)代化
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計(jì)算機(jī)的組成原理是什么?

計(jì)算機(jī)組成原理-處理器??本文根據(jù)徐文浩老師的計(jì)算機(jī)組成原理記錄:計(jì)算機(jī)組成原理??CSDN base64 圖片顯示有問(wèn)題, 想要個(gè)人筆記的可以私我計(jì)算機(jī)組成原理-處理器1 建立數(shù)據(jù)通路1.1 周期
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2021-09-28 08:31:27

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的軟件系統(tǒng)

專(zhuān)用計(jì)算機(jī)現(xiàn)代計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度最高可達(dá)每秒幾萬(wàn)億次幾十億次幾億次幾萬(wàn)次計(jì)算機(jī)輔助制造是計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域之一其英文縮寫(xiě)是所謂的信息是指基本素材非數(shù)值數(shù)據(jù)數(shù)值數(shù)據(jù)處理后的數(shù)據(jù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的軟件系統(tǒng)包括系統(tǒng)軟件和應(yīng)...
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2021-09-10 08:41:04

什么是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)硬件和計(jì)算機(jī)軟件?

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使用FET的音頻AGC電路

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計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)應(yīng)注意哪些問(wèn)題?

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工業(yè)計(jì)算機(jī)的應(yīng)用

工業(yè)計(jì)算機(jī)在半導(dǎo)體設(shè)備上的應(yīng)用,具體在哪一方面。比如說(shuō)圖像處理使用什么樣的計(jì)算機(jī),工業(yè)控制使用哪一方面的計(jì)算機(jī)?
2023-09-12 14:19:59

正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

,在低壓側(cè) FET 關(guān)閉且主體二極管形成電流以后,高壓側(cè) FET 才開(kāi)啟。當(dāng)高壓側(cè) FET 開(kāi)啟時(shí),其恢復(fù)該主體二極管,并且會(huì)有一個(gè)電流峰值讓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓出現(xiàn)振鈴。但是,由于所用MOSFET體
2018-11-28 11:01:36

請(qǐng)問(wèn)計(jì)算機(jī)的組成原理是什么?

請(qǐng)問(wèn)計(jì)算機(jī)的組成原理是什么?
2021-10-27 07:46:59

請(qǐng)問(wèn)整個(gè)計(jì)算機(jī)是如何工作的?

請(qǐng)問(wèn)整個(gè)計(jì)算機(jī)是如何工作的?
2021-10-25 07:13:57

通用量子計(jì)算機(jī)詳解

通用量子計(jì)算機(jī)和容錯(cuò)量子計(jì)算――概念、現(xiàn)狀和展望
2020-12-28 06:06:12

采用SiC-FET的PSR反激參考設(shè)計(jì)

描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700,適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出:25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07

集成型FET的大量?jī)?yōu)勢(shì)

電路板布局,那將后患無(wú)窮!事情并不像看上去那么糟糕,封裝與 IC 技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)創(chuàng)建了有助于解決這些問(wèn)題的全新產(chǎn)品類(lèi)型。具有集成型電源開(kāi)關(guān) (FET) 的電源控制 IC 正在快速占據(jù)負(fù)載點(diǎn)市場(chǎng)。DC
2018-09-18 11:43:42

高性能計(jì)算機(jī)的發(fā)展歷史是怎樣的?

高性能計(jì)算機(jī)的發(fā)展史高性能計(jì)算機(jī)的內(nèi)容高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用高性能計(jì)算機(jī)的現(xiàn)狀高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域高性能計(jì)算機(jī)的未來(lái)展望
2019-09-10 10:42:36

計(jì)算機(jī)應(yīng)用基礎(chǔ)教案

介紹什么是計(jì)算機(jī),計(jì)算機(jī)的特點(diǎn),計(jì)算機(jī)的應(yīng)用與發(fā)展:什么是計(jì)算機(jī)計(jì)算機(jī)的發(fā)展;計(jì)算機(jī)的分類(lèi);計(jì)算機(jī)的主要應(yīng)用;計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng):結(jié)合具體實(shí)例
2008-09-25 12:45:050

CPCI計(jì)算機(jī)

Compacc 是基于PICMG 標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)用嵌入式計(jì)算機(jī)總線標(biāo)準(zhǔn)。蘇州惠普聯(lián)電子有限公司的CompactPCI 產(chǎn)品群是基于CPCI標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式計(jì)算機(jī)的產(chǎn)品系列,它的商業(yè)化應(yīng)用及發(fā)展取決于國(guó)際插件式計(jì)算機(jī),設(shè)備及其他硬件軟件的廣泛應(yīng)用。
2022-04-22 09:47:55

FET的特性與應(yīng)用電路

FET的特性與應(yīng)用電路電界效應(yīng)半導(dǎo)體(FET: Field Effect Transistor,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史,兩者最大差異是FET 的消費(fèi)電力比一般電晶體更低,目前FET 大多應(yīng)用
2009-09-21 17:38:1532

D2-PAK封裝的UF3C SiC FET

UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列,并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003614

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開(kāi)關(guān)型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767

不同類(lèi)型的邊緣計(jì)算機(jī)如何選擇

從不同類(lèi)型的邊緣計(jì)算機(jī)中選擇合適的邊緣電腦對(duì)系統(tǒng)的生存和壽命至關(guān)重要。也就是說(shuō),在選擇適合您的解決方案之前,應(yīng)考慮以下因素:邊緣計(jì)算機(jī)環(huán)境中的污染物邊緣計(jì)算機(jī)環(huán)境的溫度邊緣計(jì)算機(jī)可能會(huì)受到的沖擊和振動(dòng)
2020-12-24 19:00:57619

UnitedSiCFET-Jet計(jì)算器讓SiC FET選擇過(guò)程不再充滿(mǎn)猜測(cè)

為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
2021-03-19 09:42:401891

UnitedSiC SiC FET用戶(hù)手冊(cè)

UnitedSiC SiC FET用戶(hù)手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1317

UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢(shì)的第四代SiC FET

2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí),它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚,以 6毫歐 器件為例,品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半,由于體二極管反向恢復(fù)能量,動(dòng)態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:29947

UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝

UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573458

使用在線計(jì)算FET-Jet Calculator的簡(jiǎn)單示例

碳化硅電子元件是最苛刻的工業(yè)、家用、汽車(chē)電源開(kāi)關(guān)操作的流行解決方案。實(shí)現(xiàn)此類(lèi)電路需要設(shè)計(jì)人員遵循精確的計(jì)算線和數(shù)學(xué)公式,這就是 UnitedSiC 推出 FET-Jet Calculator 的原因
2022-07-26 08:03:221056

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明:面向高性能應(yīng)用的新型SiC和GaN FET器件分析

第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強(qiáng)大,導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V,是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:20465

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068

UnitedSiC提供七個(gè)采用七引腳設(shè)計(jì)的新750V SiC FET

許多人選擇“七”這個(gè)數(shù)字是因?yàn)樗摹靶疫\(yùn)”屬性,而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因?yàn)槠邆€(gè)引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。
2022-08-01 14:42:36744

SiC FET實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性的解決方案

為了滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效系統(tǒng)的需求,UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET,可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性,最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案,其穩(wěn)健的短路耐受時(shí)間額定值為 5微秒。
2022-08-03 08:04:48908

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明:如何優(yōu)化您的SiC器件

以及幾個(gè)變量。 UnitedSiC 推出了 FET-Jet 計(jì)算器 ,這是一種在線工具,用于選擇和比較不同電源應(yīng)用的性能。 計(jì)算機(jī) 讓我們來(lái)看看它的一些值得注意的功能: 在各種基于功率的應(yīng)用中輕松評(píng)估全系列 UnitedSiC FET 和二極管; AC-DC:PFC升壓、PFC圖騰、Vien
2022-08-04 09:37:52281

碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展

斷路器和限流應(yīng)用。例如,如果您用 1 mA 電流偏置 JFET 的柵極,并監(jiān)控柵極電壓 Vgs,請(qǐng)參見(jiàn)圖 1,您可以跟蹤器件的溫度,因?yàn)?Vgs 隨溫度線性下降。此屬性對(duì)于需要功率 FET (SiC
2022-08-05 10:31:17716

貿(mào)澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu))UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:35576

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FETSiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需:
2022-10-11 09:03:28556

貿(mào)澤電子開(kāi)售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu))750V UJ4C/SC SiC FET,采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:23666

SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)及起源和發(fā)展介紹

高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子,它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展,直至最新一代產(chǎn)品,并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子,它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì),但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,它的潛在損耗較高,整體效率低。
2022-11-14 09:05:17665

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET,能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效,且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:09446

OBC 充電器中的 SiC FET

OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565

充分挖掘 SiC FET 的性能

在電源轉(zhuǎn)換這一語(yǔ)境下,性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值:效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明,SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403

SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

從人類(lèi)的角度來(lái)看,幾代人過(guò)得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體領(lǐng)域,代際發(fā)展更快,自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以來(lái),SiC FET 現(xiàn)已達(dá)到第 <> 代。
2023-02-17 09:20:03155

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì),但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗更高,整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592

最大限度降低SiC FET的EMI的開(kāi)關(guān)損耗

對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加,使得碳化硅 (SiCFET 因其快速開(kāi)關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS(開(kāi)啟)和高壓額定值。
2023-02-21 09:26:42417

OBC 充電器中的 SiC FET 封裝小巧,功能強(qiáng)大

為 22kW 及以上的所有級(jí)別電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)領(lǐng)域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC(如今為 Qorvo)SiC FET 具有獨(dú)特的 Si
2023-03-22 20:30:03338

UnitedSiC FET-Jet 計(jì)算器,讓 SiC FET選擇過(guò)程不再全憑猜測(cè)

仿真器可以提供許多信息,但無(wú)法告知哪些功率晶體管可以?xún)?yōu)化您的設(shè)計(jì),也無(wú)法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會(huì)損壞。這就是在線 FET-Jet 計(jì)算器的優(yōu)勢(shì)所在。閱讀本博客,了解該軟件如何簡(jiǎn)化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:02259

UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 計(jì)算器,性能邁向新高度

進(jìn)行功率設(shè)計(jì)時(shí),如何選擇合適的部件可能非常棘手,有時(shí)還讓人極度煩惱。對(duì)于 SiC FETSiC 肖特基二極管,利用 FET-Jet 計(jì)算器(第 2 版)可以幫您免除盲目猜測(cè)的煩惱。閱讀
2023-05-19 13:45:02291

使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案

機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過(guò)采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問(wèn)題,并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02400

SiC FET — “圖騰” 象征?

圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個(gè)構(gòu)想,許多工程師都在尋找能夠有效實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今,人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢(shì)的理想開(kāi)關(guān)。了解應(yīng)對(duì)方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212

聯(lián)合SiCFET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果

聯(lián)合SiCFET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — 進(jìn)行正確的比較

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:29250

SiC FET設(shè)計(jì)PCB有哪些注意事項(xiàng)?

本文作者:Qorvo應(yīng)用工程師Mike Zhu SiC FET(即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。此類(lèi)器件具有超快的開(kāi)關(guān)速度
2023-09-20 18:15:01233

如何設(shè)計(jì)一種適用于SiC FET的PCB呢?

SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208

還沒(méi)使用SiC FET?快來(lái)看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)!

還沒(méi)使用SiC FET?快來(lái)看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)!
2023-11-29 16:49:23277

SiC FET神應(yīng)用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率

SiC FET神應(yīng)用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155

UnitedSiC SiC FET用戶(hù)指南

UnitedSiC SiC FET用戶(hù)指南
2023-12-06 15:32:24172

充分挖掘SiC FET的性能

充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34191

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo,全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商,近日發(fā)布了其全新車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202

Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢(shì),穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位

在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均無(wú)法超越的。
2024-02-21 14:40:5266

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