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SiC-MOSFET的特征

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在探討“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340

低邊SiC MOSFET導通時的行為

本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301

功率晶體管的特征與定位

從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00538

高耐壓超級結MOSFET的種類與特征

上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要。
2023-02-10 09:41:011301

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC MOSFETSiC IGBT的區別

  在SiC MOSFET的開發與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產品陣容

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331

SiC MOSFET的結構及特性

SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構,主要有二種:平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構,
2023-02-16 09:40:102938

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-設計案例電路

上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。準諧振方式:上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章,結束了部件選型相關的內容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 小結

此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”,本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET
2023-02-17 09:25:08480

功率晶體管的結構與特征比較

Junction)結構的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結構,不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。
2023-02-23 11:26:58464

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講,體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的,也被稱為“寄生二極管”或“內部二極管”。對于MOSFET來說,體二極管的性能是重要的參數之一,在應用中使用時,其性能發揮著至關重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19481

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜,通過工藝開發和元器件結構優化,實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784

SiC MOSFET學習筆記(三)SiC驅動方案

如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應用環境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479

SiC-MOSFET與IGBT的區別是什么

相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗,實現了高頻率工作,有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導通電阻較小,可減少相同導通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后,近日,國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606

SiC MOSFET的橋式結構

SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157

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