的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。
2015-10-14 09:52:22
1925 在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:371062 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 充電系統(tǒng)卻一直在研發(fā)中，今天我們就來(lái)了解一款全SiC功率器件的車載無(wú)線充電系統(tǒng)。今天介紹的這個(gè)研究是一款全SiC功率器件的車載無(wú)線充電系統(tǒng)，功率為50KW，載波頻率為85KHz，功率密度為9.5KW
2021-04-19 21:42:44
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2應(yīng)用要點(diǎn)緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī)，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對(duì)戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
工作等SiC的特征所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。通過與Si的比較來(lái)進(jìn)行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對(duì)大功率時(shí)，有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
本文將介紹全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)—緩沖電容器。在高速開關(guān)大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會(huì)使開關(guān)
2018-11-27 16:39:33
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
有關(guān)運(yùn)放全功率帶寬的問題，全功率帶寬應(yīng)該怎么測(cè)試？ADA4857和AD8479兩款運(yùn)放全功率帶寬的測(cè)試條件不一樣，一個(gè)輸出電壓峰峰值為2V，另一個(gè)輸出電壓峰峰值為20V，應(yīng)該如何確定這個(gè)值？
2023-11-21 08:21:30
，換向電感只能在DBC設(shè)計(jì)的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH，對(duì)于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric
2017-05-10 11:32:57
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)。 為了提高功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中，較高的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
SIC9554是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85V～265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應(yīng)用。SIC9554內(nèi)置了高精度的采樣、補(bǔ)償電路，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流
2022-08-04 14:21:46
，LeapersSemiconductor使用其專利的電弧鍵合?技術(shù)（圖2）。 與許多汽車級(jí)功率半導(dǎo)體制造商使用的傳統(tǒng)鋁引線鍵合技術(shù)不同，電弧鍵合?專利芯片表面連接技術(shù)可確保滿足汽車應(yīng)用要求的SiC模塊的可靠性，同時(shí)顯著降低寄生電阻
2023-02-20 16:26:24
我閱讀了有關(guān)ADC全功率帶寬的求解過程，文件中說(shuō)明全功率帶寬由瞬態(tài)公式推導(dǎo)求得，此公式的來(lái)源是什么？
2023-11-30 06:05:22
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
羅姆開發(fā)了采用
SiC功率元件的
功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國(guó)Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因?yàn)椴捎昧藴?/div>
2011-10-12 09:48:461281 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)
2012-03-23 08:52:571591 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111336 何謂盲孔，好資料，有需要的可以下來(lái)看看。
2017-01-12 13:15:56
0 1月31日，三菱電機(jī)株式會(huì)社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級(jí)全SiC功率半導(dǎo)體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實(shí)現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:448596 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 據(jù)外媒報(bào)道，比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動(dòng)出行。
2020-04-22 15:54:253711 SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了，近年來(lái)出現(xiàn)了SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFETs）和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFETs）。SiC功率模塊也越來(lái)越多，包括混合SiC模塊
2020-11-13 14:11:431775 為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產(chǎn)品。 持續(xù)布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
近幾十年來(lái)，以新發(fā)展起來(lái)的第 3 代寬禁帶功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導(dǎo)體材料
2022-05-27 16:38:436 作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。
2022-06-21 14:40:571216 CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模塊 （IPM） 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 15:38:38740 
碳化硅半導(dǎo)體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認(rèn)為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)品路線圖中為 SiC 的使用奠定了基礎(chǔ)。包括 SiC 在內(nèi)的一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)是 EMI、過壓和過熱。
2022-08-05 09:39:25621 
當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。
2022-10-19 09:22:23899 在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:083923 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。
2023-02-10 09:41:02320 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18220 
國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:551018 
近日，賽晶首款車規(guī)級(jí)SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國(guó)紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國(guó)內(nèi)外與會(huì)專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來(lái)自高效電動(dòng)汽車模塊平臺(tái)
2023-05-31 16:49:15352 
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:22850 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
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