? ? ? 晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。從外表上看兩個N區(qū)（或兩個P區(qū)）是對稱的，實際上發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大，集電區(qū)摻雜濃度低，且集電結(jié)面積大，基區(qū)要制造得很薄，厚度約在幾個微米至幾十個微米。

　　晶體三極管的開關(guān)特性

　　靜態(tài)特性：晶體三極管由集電結(jié)和發(fā)射結(jié)兩個PN結(jié)構(gòu)成。根據(jù)兩個PN結(jié)的偏置極性，三極管有截止、放大、飽和3種工作狀態(tài)。

　　動態(tài)特性：晶體三極管在飽和與截止兩種狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中具有的特性稱為三極管的動態(tài)特性。三極管的開關(guān)過程和二極管一樣，管子內(nèi)部也存在著電荷的建立與消失過程。因此，飽和與截止兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換也需要一定的時間才能完成。

　　晶體三極管的開關(guān)時間可以分為以下四種：

　　①延遲時間（td），是指從有基極電流開始到UCE降到其截止?fàn)顟B(tài)時對應(yīng)的值的90%的時間間隔。它產(chǎn)生的原因是基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電需要一個過程，發(fā)射結(jié)正向偏置電壓需要逐步建立。

　　②管壓降下降時間（tr），是指UCE從其截止?fàn)顟B(tài)時對應(yīng)的值的90%降到10%所需的時間。它產(chǎn)生的原因是積累基區(qū)載流子需要一定的時間。

　　③存儲時間（tstg），是指從基極電流反向時刻開始到UCE為其截止?fàn)顟B(tài)時對應(yīng)的值的10%的時間間隔。它產(chǎn)生的原因是基區(qū)過剩存儲電荷抽走需要一定的時間。過剩存儲電荷的多少取決于飽和深度，飽和深度越深，過剩存儲電荷越多，存儲時間值越大。

　　④管壓降上升時間（tf），是指UCE從其截止?fàn)顟B(tài)時對應(yīng)的值的10%上升到90%所需的時間。它產(chǎn)生的原因是基區(qū)電荷的繼續(xù)抽走和管內(nèi)載流子復(fù)合需要一定的時間。在這四個時間中，存儲時間tstg最長，可達微秒數(shù)量級，是影響晶體三極管開關(guān)速度的最主要因素。、

　　晶體管開關(guān)時間的測量

　　晶體管開關(guān)時間的測量可以通過使用一個時間計數(shù)器來實現(xiàn)，可以通過設(shè)置一個起始時間和一個結(jié)束時間，然后計算兩者之間的時間差來測量晶體管的開關(guān)時間。

　　可以使用一個外部時鐘信號來控制時間計數(shù)器，從而可以精確測量晶體管的開關(guān)時間。此外，還可以使用一個脈沖發(fā)生器來控制時間計數(shù)器，從而可以測量晶體管的開關(guān)時間。

　　晶體三極管作為一種新型的材料，被逐漸應(yīng)用于電路開關(guān)中。可以用于電路中的放大、濾波、檢測、控制和保護等應(yīng)用。它可以用于電路中的放大，可以用于濾波，可以用于檢測，可以用于控制，也可以用于保護電路。但是，在實際應(yīng)用中，我們需要采取合理、有效的措施加快晶體三極管的開關(guān)速度，以提高電路運行的效率，從而為電路的運行提供保障。

　　文章綜合參考網(wǎng)（楊全忠）、家電維修資料網(wǎng)、暢學(xué)電子