電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:00
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有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC403 - microBUCK SiC403 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with Programmable LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
效率，并實現了全球節能。事實上，有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。 就像二十世紀八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
中國企業底氣。中國企業集體在功率器件新賽道SiC產業鏈上發力，包括材料、器件、設備等各環節，投資相當火熱。今年下半年，這些投資陸續開花結果，各種好消息接踵而至。 11月24日，由中建二局承建的深圳市
2022-12-27 15:05:47
目前在做幾條生產線，每條線每臺PLC的IP設置都是一模一樣的，每條線各有一臺PC（labview）做監控，每臺PC上就一個網口，連在每條線的交換機上，現在想把每條線PC的數據串起來，怎么在不增加硬件的情況下弄呢，請教一下各位
2017-09-14 15:32:01
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
如果從測試的類型上來看，從實驗室到產線測試，一個電控模塊會包含表征測試、系統驗證測試、軟硬件在環測試、路測和產線下線測試這樣幾個不同階段。為什么儀表廠商、特別是射頻儀表的廠商會越來越多地進入到
2019-07-18 06:16:01
在使用浩辰CAD制圖軟件繪圖過程中經常需要將多條線合并為多段線，比如想計算房間面積，直接選房間輪廓線沒有得到結果，把輪廓線合并后，就可以清晰可見房間面積了。這種情況一般可以通過合并多線段的CAD
2020-01-14 14:46:08
和板卡信息丟失
2. PSoC Programmermer沒法擦除指定flash，都是整個128K擦除，例如在flash中分配一個row來存儲產線校準數據，如何保證在燒寫images后，保留產線校準數據呢？謝謝
2024-02-27 06:02:59
請教：EPM240T可以建CONST數組嗎？如果不行，可以建變量數組，會耗用芯片內部多大資源？什么資源？比如一個8位寬度數據，建256個。 wire [7:0] xxx[255:0];會耗用多大資源？用WIRE還是用REG比較好？
2016-02-01 08:49:06
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
上半年先進制程及成熟制程產能已被客戶全部預訂一空。大陸方面，中芯國際早已著手進行大規模擴產；華潤微、華虹半導體等廠商均表示8寸晶圓產線全部滿負荷運行。ST單片機的熱門型號漲幅更是一度達到了200%，并且交
2021-07-23 07:09:00
1.請問一下條件結構怎樣多條件輸入，比如說隨機數節點隨機產生0到1的數，當我獲取到0.2,0.55,0.9三個數的時候，開始執行后面的程序。這個多條件不同步怎么實現的呢
2016-04-06 20:26:02
labview“繪制多條直線”控件如何實現同一個圖片顯示控件上可以顯示多種顏色線？（現在是同一圖片上同一時刻只能顯示一種顏色，下一時刻圖片上線的顏色又會全部變成另一種顏色。）想要實現的是新圖片某一時刻顯示的線有不同的顏色？
2018-03-27 17:06:17
“測”精準數據
“數”據匯總分析
“智”能開啟高質生產
八軸智能測徑儀在高溫、高速的軋鋼產線中兢兢業業的檢測數據，為工作人員提供智能化服務，讓不合格品無所遁形。
1、適應環境情況
軋材速度
2023-09-01 17:42:22
項目名稱：風電伺服驅動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業控制領域有十余年的產品開發經驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統伺服驅動器的開發，是一個國產化項目，也是SiC器件應用的領域
2020-04-24 18:03:59
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
VIPER12A、VIPER22A：優質國產電源管理IC特價銷售：BIPER12A—0.72元/PCSBIPER22A—0.77元/PCS，性能絕對可靠，完全替代ST產VIPER12A
2013-08-17 11:20:24
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
如圖，，這是什么問題？？？有沒有大神能告訴我一下。。。。另外，，怎樣創建“繪制多條曲線”的“直線結束點”的輸入控件，，要自己創建，，有數組，怎樣生成要求的格式？xy這兩個名字怎么命名？
2014-05-07 14:59:09
分享一個不錯的遙控模塊產線測試解決方案
2021-06-18 07:37:57
臺產鋰電保護MOS：AO8810,AO8822,D2017M,A1870,4410,4407***產低壓MOSFET系列：SI2301,SI2300,SI2302,SI3400,SI3401
2011-12-13 10:19:26
如何用labview在三維圖里畫多條線？
2014-11-08 12:08:54
`如何使用機器視覺識別這個零件的缺口并準確定位出位置和角度信息?包括使用幾個相機如何動作識別等等希望大家看看 給些思路`
2013-07-02 21:04:21
中低端片式電阻市場，國內片式電阻產業開始面臨被“卡脖子”的風險。積極應對客戶需求，成立富捷電阻事業部，產能250億只/月 在這種內外交困的市場環境下，國產元器件行業紛紛加強布局，發展技術緊抓擴產
2021-12-31 11:56:10
ZNH-MES40型 工業4.0生產線實訓系統一、概述ZNH-MES40型 工業4.0生產線實訓系統可實現雕刻代木材料頭像的自動化無人車間。整線無人化車間主要由模擬 MES 系統、總控單元、立體倉庫
2021-07-01 08:26:56
作為應用全SiC模塊的應用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎上，介紹使用專用柵極驅動器對開關特性的改善情況。全SiC模塊的驅動模式與基本結構這里會針對下述條件與電路結構，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
`捷配產線智能升級!雙面板優惠讓利如下：1㎡打樣內優惠50元/㎡，24小時出貨2㎡批量以上價格低至350元/㎡ 48小時極速出貨生益板材低至400元/㎡建滔板材低至380元/㎡國紀板材低至350元/㎡逾期退款，順豐包郵!下單官網： https://www.jiepei.com/G34`
2018-12-21 14:44:43
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
，實現快速自動建庫，并且輸出多種EDA格式。與傳統的EDA建庫相比，智能建庫將可以大幅縮短建庫時間，全面提高效率和準確率。為昕科技旨在通過新技術加速完善國產EDA布局，面向電子系統/產品研發全流程，提供
2022-04-06 15:10:51
6 等無線通信新技術的廣泛應用，預計全球 2035 年需求量將達到 3125 億只，存在 1000 億供需缺口。圖：2019-2025 年全球晶振市場需求及產量來源：中國產業信息網，西南證券圖
2022-12-23 12:11:24
無線充電藍牙測試方案（主要分研發測試 & 產線測試方案）
2020-07-08 16:13:10
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
目前國產led驅動芯片的質量怎么樣？有沒有使用國產芯片的?
2018-04-10 10:54:37
`走線或Slide 的時候顯示才這樣 相當難看怎么弄掉那個缺口`[attach]***[/attach]
2013-03-29 09:44:37
專案執行分為三個主要階段：規范和用例定義，技術開發，原型展示研發。WINSIC4AP項目中的SIC技術制造SiC元件需要使用專用生產線，系因半導體的物理特性（摻雜劑的極低擴散性和晶格的復雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
轉轍機缺口監測問題一直是鐵路信號系統特別是信號維修部門關注的熱點。隨著鐵路高速、高密度行車區段的不斷增加，為了確保行車安全，對行車道岔運行質量與狀態穩定性監測無為重要。
2020-03-30 07:48:45
`幫忙看下這個電解電容外殼上一個H型商標是什么什么公司產的？`
2013-04-15 09:12:19
建圳達電纜 建圳達電纜建圳達電纜建圳達電纜澳洲扁平線-技術特性導體面積m㎡額定電流電氣性能暴露在空氣中A包圍在熱的絕緣內A埋與管道中A20℃時的最 ?直流電阻 ohm
2021-11-10 19:19:41
建圳達電纜建圳達ul1007電子線建圳達ul電子線建圳達ul電子線，ul1007證書正規線材導體規格：UL 1007 電子線為電器設備內部連線，在生產UL1007 電子線領域， 通用標稱是以AWG
2022-04-18 08:52:51
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266541 本文介紹了適用于MPLAB工具設計的多條忠告。
2018-06-05 17:28:00
7 關鍵詞：AMOLED , 國產手機 , 換屏 , LCD 2014-8-13 11:35:04 上傳 下載附件 (36.7 KB) AMOLED屏幕一直以來是三星最引以為傲的顯示技術，自2010
2019-01-13 20:49:01182 MT-018: 有意為之的非線性DAC
2021-03-21 03:31:307 在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 6 等無線通信新技術的廣泛應用，預計全球 2035 年需求量將達到 3125 億只，存在 1000 億供需缺口。 ? 圖：2019-2025 年全球晶振市場需求及產量 來源：中國產業信息網，西南證券 ? 圖：不同設備需要晶振數量 來源：上海證券研究所 國內市場上，智研咨詢
2022-12-23 00:00:10781 6 等無線通信新技術的廣泛應用，預計全球 2035 年需求量將達到 3125 億只，存在 1000 億供需缺口。 ? 圖：2019-2025 年全球晶振市場需求及產量 來源：中國產業信息網，西南證券 ? 圖：不同設備需要晶振數量 來源：上海證券研究所 國內市場上，智研咨詢
2022-12-23 13:20:02745 自己的模板 研究 報告《 2023國產sic上車關鍵年》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? SiC? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-03-11 13:15:02332 國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:551018 
市場空間巨大，SiC國產化趨勢加速
2023-01-13 09:07:052 2023年國產SiC上車
2023-10-31 23:02:000
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