本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環境下,仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。 碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏
2020-09-24 16:22:14
,碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的優勢,但代價是在某些方面參數碳化硅MOSFET性能比較差。這就要求設計人員需要花時間充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能,并考慮如何向新拓撲架構過渡。有一點
2023-03-14 14:05:02
,因此碳化硅功率器件有低的結到環境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
討論一下SiC器件。 碳化硅,不那么新的材料 第一次記錄在案的SiC材料實驗是在1849年左右,這種材料已經廣泛用于防彈背心或磨料。IGBT的發明者之一早在1993年就討論了與硅(Si)器件相比
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多,如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近,UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流,其關斷過程很快,開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
作用下的界面完整性;此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻,尤其是應用于汽車的模塊。AC/PCT(高溫蒸煮測試) 高溫蒸煮測試是把被測對象放進高溫高濕高氣壓的環境中,考驗晶片鈍化層的優良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板;在引擎室中,由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求,現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下,碳化硅的機械強度都很高。25℃下,SiC的彈性模量,拉伸強度為1.75公斤/平方厘米,抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
明顯優勢,可以用來做成高耐壓的肖特基二極管,目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費、工業、汽車、軍工等領域有廣泛應用。 03 碳化硅肖特基二極管結構簡析 肖特基二極管:以金屬為陽極,以N
2023-02-28 16:55:45
。 相對應的,硅材料的禁帶寬度較低,在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高,而高的漏電流會造成熱擊穿,這限制了器件在高溫環境和大功率耗散條件下工作。 碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
度又決定了碳化硅(SiC)陶瓷線路板的的高擊穿場強和高工作溫度。其優點主要可以概括為以下幾點:1) 高溫工作SiC在物理特性上擁有高度穩定的晶體結構,其能帶寬度可達2.2eV至3.3eV,幾乎是Si
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%,這使
2018-11-15 11:59:01
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
無不積極研發經濟型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響,該如何選擇呢?首先
2022-03-29 10:58:06
效率方面,相較于硅晶體管在單極(Unipolar)操作下無法支持高電壓,碳化硅即便是在高電壓條件下,一樣可以支持單極操作,因此其功率損失、轉換效率等指針性能的表現,也顯著優于硅組件。目前大功率電力設備
2021-09-23 15:02:11
,在這些環境中,傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能,包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
的整體系統尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強
2023-02-28 16:48:24
的反向恢復損耗更低(一般在14ns左右),同時關斷速度較快,這就便于變換器更多的工作在高于諧振頻率的范圍內工作,實現寬輸出電壓范圍。因此,在此模式下使用碳化硅MOSFET可以減小關斷損耗和體二極管
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管,基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上,實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。 基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
,導通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開關頻率;同時,碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V,客戶根據需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 優先穩定正電壓,保證開通穩定。 2)碳化硅MOSFET:不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業,率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 來源:中國電子報 日前,國際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成,未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25872 前言:碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節,襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢,隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后,更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 特斯拉碳化硅技術怎么樣?特斯拉碳化硅技術成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優點,碳化硅技術能夠幫助電動汽車實現快速充電,增加續航;這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值,繼續升高溫度,導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅的應用越來越廣泛,而現在科技市場的大力發展,碳化硅的功勞也是不容小覷,碳化硅在工業方面的應用可以說是比較廣泛、經濟的一種,那么碳化硅用途主要有哪些方面呢? 碳化硅主要有四大應用:磨料、耐火材料
2023-02-05 16:21:2111784 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-05 16:34:591314 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
2023-02-12 17:05:562167 碳化硅的應用主要在于它的半導體性能與力學性能兩個方面。高溫下與氧反應。
2023-02-20 18:19:211686 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 碳化硅晶片是一種新型的半導體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102271 首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結構單元SiC構成,每個SiC結構單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971 和應用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.1反應
2022-01-04 14:11:56775 6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.6
2021-12-31 10:31:17722 碳化硅硬度高,耐磨性好,碳化硅晶片硬度大,莫氏硬度分布在9.2~9.6之間,化學穩定性高,幾乎不與任何強酸或強堿發生反應,切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經驗,現將
2022-12-08 16:50:461673 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042 碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 和IGBT的區別。 1. 結構差異: 碳化硅是一種化合物半導體材料,由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性,使其在高溫和高功率應用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結構通常更復雜,由多個寄生二極管組成,因此其電子流動路徑更復
2023-12-08 11:35:531791 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:31196 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294
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