N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N
2009-09-16 09:41:43
23374 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2020-07-13 10:35:002214 
用P溝道MOSFET設計反向電壓保護電路
2022-04-29 17:42:3614397 
用N溝道MOSFET設計反向電壓保護電路
2022-04-29 17:59:3415884 
層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。
2023-02-27 18:03:475383 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31780 
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
MOSFET 晶體管是可以電壓驅動電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機控制器。這是一個典型的 MOSFET開關電路。由于電動機負載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
問題1：最近，我們公司的技術專家在調試中發現，MOSFET驅動電壓過高，會導致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里
2016-12-21 11:39:07
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
和工作原理 功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在
2019-06-14 00:37:57
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
N溝道MOSFET驅動電路LTC4446資料下載內容主要介紹了：LTC4446功能和特點LTC4446引腳功能LTC4446內部方框圖LTC4446應用電路
2021-04-15 06:53:16
;<p align="left">這款FDN359AN是N溝道邏輯電平MOSFET的生產采用飛兆半導體先進的PowerTrench進程，特別是
2010-04-15 09:51:37
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶咨詢關于MOS管的時候，總會被問到一個問題：怎么選擇合適的MOS管？關于這一個問題，昨天針對這個問題，在電壓、電流方面已經做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進的溝槽技術[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
在公共漏極和參考GND之間的電機，使用雙電源簡單地連接以生成雙向開關。一旦輸入電壓為低，則連接在電路中的P溝道 MOSFET將被打開，而N溝道MOSFET將被關閉，因為其柵極到源極結為負偏置，因此電路中
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
型號：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封裝: DFN3*3-8L溝道：P溝道種類：絕緣柵(MOSFET)G16P03 原裝，G16P03庫存現貨熱銷售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用
2020-11-05 16:48:43
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標準 ?電視主要電源?低導通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
Q2體二極管中的電流比正常工作狀況下大很多。導致了MOSFET Q2的P-N結上存儲更多電荷。 在t2~t3時段，MOSFET Q2施加門極信號，在t0~t1時段劇增的諧振電流流經MOSFET Q2溝道
2019-09-17 09:05:04
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
LT4320HMSE理想二極管橋控制器的典型應用電路。 LT4320是理想的二極管橋控制器，可驅動四個N溝道MOSFET，支持典型的DC至600Hz的電壓整流。通過最大化可用電壓并降低功耗，理想的二極管橋簡化了電源設計并降低了電源成本，特別是在低壓應用中
2019-10-25 06:18:48
編輯-Z場效應晶體管是一種電壓控制器件，根據場效應管的結構分為結型場效應（簡稱JFET）和絕緣柵場效應（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據導電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
Multisim10.0元件庫沒P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結型FET增強型FET，耗盡型沒P的啊
2012-11-03 10:45:54
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8腳貼片封裝，實為一只復合MOSFET，內含一只P溝道和N溝道場效應管，如下圖所示，其最大漏源電流Idsm為7A，最大漏源電壓Vds為30V，該元件在TCL液晶電
2021-04-06 06:53:57
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現貨熱銷售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
`SUN2310SGP溝道增強型功率場效應管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術。這種高密度的工藝特別適用于減小導通電阻。適用于低壓應用，例如移動電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 暗星歸來 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因為要對電池進行管理，對充電過程和放電過程控制其何時開始充電、停止充電、何時放電、何時停止放電，所以用兩個N溝道增強型
2016-09-06 12:51:58
，簡稱場效晶體管。內部結構（以N-MOSFET為例）如下圖所示。在P型半導體襯底上制作兩個N+區，一個稱為源區，一個稱為漏區。漏、源之間是橫向距離溝道區。在溝道區的表面上，有一層由熱氧化生成的氧化層作為
2023-02-10 15:33:01
在通孔板上建立電路數小時后，我發現使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經過搜索，我發現我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當
2018-08-23 10:30:01
1、MSO的三個極怎么判定：MOS管符號上的三個腳的辨認要抓住關鍵地方。G極，不用說比較好認。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強型MOSFET 描述：TDM3412采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個器件適合用作負載開關或PWM應用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
—功率 MOSFET 的選型1 我的應用該選擇哪種類型的 MOSFET？前面說了，實際應用主要使用增強型功率 MOSFET，但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢？如果你對這個問題有疑問，下面的圖
2019-11-17 08:00:00
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
MOSFET，也可以直接驅動。對于一個橋式電路的上下橋臂，上管使用P溝道的功率MOSFET，可以直接驅動，驅動電路設計簡單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET，那么必須采用浮驅或自舉電路，驅動電路
2016-12-07 11:36:11
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動
2019-04-04 06:30:00
施加正電壓，打開漏極和源極引腳之間的通道，并允許電流流過 LED。P溝道MOSFETP溝道MOSFET開關電路圖二、場效應管MOSFET用作電機驅動電路N溝道MOSFET如下圖所示，兩個二極管反向偏置
2022-09-06 08:00:00
這是我設計的一個單片機驅動光耦控制電機轉停的電路，大家看下電路設計對嗎？單片機在光耦驅動位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
—功率 MOSFET 的選型1 我的應用該選擇哪種類型的 MOSFET？前面說了，實際應用主要使用增強型功率 MOSFET，但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢？如果你對這個問題有疑問，下面的圖
2019-11-17 08:00:00
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動IC。圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關斷、、、是不是設計問題？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 ♂霹靂 于 2014-5-5 01:42 編輯
如題類似IRF7416和FDJ128N,但是這兩種要么是P溝道,要么就是貼片封裝,但是我現在需要的是直插封裝啊....求大神給個型號,最好是任何一個電子市場都能買到的最常見的型號,最好是IRF的
2014-05-05 01:40:57
，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動，驅動簡單
2020-03-09 15:34:20
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動
2020-03-05 11:00:02
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當柵源電壓增加更多時，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
K9是單片機控制信號，OUT_12V_1是時鐘（脈沖）信號，IN1B會有幾種輸出狀態呢？光耦LTV-357T-D接P溝道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
現在在做一個500W的直流電機的驅動，電機的額定電流30A左右。在網上看到的這類驅動多是H橋的。實際應用中不需要正反轉，只用PWM調速即可，請問能否用一片MOSFET低側驅動器和一個N溝道的管子來驅動這個電機呢，會不會有什么問題呢。
2016-01-04 09:42:49
討論如何根據RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在
2011-08-17 14:18:59
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
20V N-溝道增強型MOSFET
20V N-溝道增強型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強型MOSFET管
N加P溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 隨著電能變換技術的發展，功率MOSFET在開關變換器中開始廣泛使用，為此美國硅通用半導體公司（Silicon General）推出SG3525。SG3525是用于驅動N溝道功率MOSFET。其產品一推出就受到廣泛
2010-09-25 16:44:45252 功率MOSFET的種類
按導電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道 增強型—
2009-04-14 22:08:473906 
N溝道增強型MOSFET
N溝道增強型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強型MOSFET的結構N 溝道增強型
2009-09-16 09:38:1810460 羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 MOSFET多數是載流子器件， N溝道MOSFET在導電過程中有電子流動。 P溝道在導電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521283 
MOSFET及其應用優勢，以幫助設計人員在許多工業應用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結構，與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444 
LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅動器數據表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅動器數據表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅動器數據表
2021-05-26 08:42:545 瑞盟 MS35711T 器件是一款步進電機控制器， 它使用外部 N 溝道MOSFET 來驅動一個雙極步進電機或兩個刷式直流電機。完美替代 TI DRV8711。
2022-07-22 09:42:081048 
由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:212478 PPM723T201E0 P溝道MOSFET手冊免費下載。
2022-12-30 16:30:420 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB10ZH
2023-02-21 18:21:260 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45515 在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005293 
這是使用單個N溝道MOSFET的直流電機驅動器電路。在該電路中，直流電機繼續沿一個方向運行，直到按下開關時它的方向反轉。該電路可在不同項目中用作電機驅動器。事實上，它只需要很少的組件，并且可以很容易
2023-06-18 11:14:54512 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15644 
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