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電子發燒友網>模擬技術>針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策

針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策

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2022-11-11 11:06:141503

SIC功率器件的發展現狀!

近年來,SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善,已經接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020

SiC功率元器件的開發背景和優點

SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上,實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生浪涌。從本文開始,將介紹針對產生SiC功率元器件浪涌對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策

本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導通時,SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項

關于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產生浪涌,在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明,如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707

SiC功率元器件的開發背景和優點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346

SiC-SBD特征以及與Si二極管的比較

SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

什么是柵極-源極電壓產生浪涌

忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓,當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時,可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌,需要對此采取對策。在本文中,我們將對相應的對策進行探討。
2023-02-28 11:36:50551

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法

紹的需要準確測量柵極和源極之間產生浪涌。在這里,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731

R課堂 | SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-總結

本文是“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極-源極電壓產生浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法

紹的需要準確測量柵極和源極之間產生浪涌。在這里,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協議

SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54139

新聞 | 羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協議

SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業 ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287

R課堂 | 漏極和源極之間產生浪涌

緩沖電路來降低線路電感,這是非常重要的。 首先,為您介紹 SiC MOSFET 功率轉換電路中,發生在漏極和源極之間的浪涌。 ·? 漏極和源極之間產生浪涌 ·?緩沖電路的種類和選擇 ·?C緩沖電路的設計 ·?RC緩沖電路的設計 ·?放電型RCD緩沖電路的設計
2023-06-21 08:35:02425

一文看懂SiC功率器件

范圍內控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145

碳化硅(SiC功率器件在新能源汽車中的深入應用解析

采用多芯片并聯的SiC功率模塊,會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無法發揮SiC器件的優良性能;SiC功率模塊雜散參數較大,可靠性不高。 (2)SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
2024-03-04 10:35:49132

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43107

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