功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
大功率晶體三極管的檢測 利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法,對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是,由于大功率三極管的工作電流比較大,因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT(雙極型晶體管),大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上,魚目混珠的產(chǎn)品太多,特別是大功率的IGBT,全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
`一文解析大功率TVS二極管與小功率TVS二極管的區(qū)別TVS二極管采購的路上,還在為這些問題煩惱:TVS管種類那么多,它們之間有什么關(guān)系區(qū)別呢?TVS管型號那么多,如何選擇合適型號的TVS管呢
2018-09-27 17:36:26
mA最大功率耗散200 mW最大工作溫度+ 100 C最小工作溫度- 55 C封裝SOP-4包裝3000PCS/REEL絕緣電壓3750 Vrms最小正向二極管電壓1 V輸出
2012-08-16 16:34:23
,發(fā)射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。正常時,鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容,來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
彩色電視機中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V,耗散功率應(yīng)大于或等于50W,最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機行輸出管的耗散功率應(yīng)大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統(tǒng)設(shè)計的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時,該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
650W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
大功率開關(guān)應(yīng)用的可靠性方面,晶閘管要優(yōu)于晶體管,這是半導(dǎo)體器件原理所決定的。目前,新型晶閘管的發(fā)展速度非常之快,目的是解決普通晶閘管存在無法門極關(guān)斷的缺點,國外(目前僅有ABB公司)最新推出的TGO
2018-10-17 10:05:39
,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100%大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
MP1584 輸出最大功率是多少?
2016-07-15 10:38:36
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展,性能有望進一步提升。從下一篇開始,將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點,但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
;BJT種類很多,按照頻率分,有高頻管,低頻管,按照功率分,有小、中、大功率管,按照半導(dǎo)體材料分,有硅管和鍺管等;其構(gòu)成的放大電路形式有:共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電路
2010-08-13 11:36:51
、形狀有密切關(guān)系,國內(nèi) 磁芯材料的研制成功,為研制第三代大功率全固態(tài)短波發(fā)射機掃清了 最后的、重要的技術(shù)障礙。 第三代大功率短波通信發(fā)射機的功放及電源均實現(xiàn)了模塊化,并 采用了冗余設(shè)計的方案,再加晶體管
2021-12-16 10:24:19
大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。4.4 特性頻率(fT)當(dāng)晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r,電流放大因子β會隨著頻率的增加而降低。特征頻率是晶體管β值降低到1的頻率。特征頻率小于或等于
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對,由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應(yīng)用中的用途,以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點。 什么是鰭式場效應(yīng)晶體管? 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個放大器和一個
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
本文對從電話線上獲取較大功率電源的幾種電路進行了分析,比較它們的優(yōu)缺點,并給出各個電路的適用場合。
2021-04-21 07:05:52
、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場效應(yīng)晶體管時,要求兩管的各項參數(shù)要一致(配對),要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
,另外偏置電路比較簡單,設(shè)計的放大電路增益高,線性好。 本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)來設(shè)計的,采取AB類推挽式功率放大方式,其工作頻段為O 6M~10MHz,輸出
2019-06-19 06:30:29
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
輸出LLC轉(zhuǎn)換器,以進行效率和功率密度比較。初級晶體管選擇LLC具有多種優(yōu)勢,因為它具有完全諧振行為,允許在整個范圍內(nèi)進行軟開關(guān)導(dǎo)通,這本質(zhì)上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;
(1)容易關(guān)斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:4943
大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用
摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅(qū)動電路的設(shè)計,分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:403188 大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;
(1)容易關(guān)斷,
2009-07-29 16:09:521762
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06349 TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 晶體管,大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達林頓、音頻功放開關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 本文開始介紹了cob光源的概念和cob光源特點,其次闡述了cob光源的制作工藝以及大功率cob光源的優(yōu)缺點,最后介紹了大功率cob光源的應(yīng)用。
2018-03-26 17:02:085907 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊
2021-08-11 14:14:110 硅NPN大功率晶體管2SC2246中文手冊免費下載。
2022-03-21 17:21:5311 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 100 V、3A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61003PY
2023-02-27 18:49:420 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYC
2023-02-27 18:50:310 100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451 60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280 60V、3A NPN大功率雙極晶體管-PHPT60603NY
2023-02-27 18:51:450 40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038 100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140 100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430 晶體管輸出和繼電器輸出的優(yōu)缺點 晶體管輸出和繼電器輸出是兩種常見的輸出方式,它們都有它們自己的優(yōu)點和缺點。在不同的電路方案中,選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">輸出方式可幫助電路性能更好的實現(xiàn)。 一、晶體管輸出 晶體管輸出
2023-08-25 15:35:251857 大功率數(shù)字電源的優(yōu)缺點 一、引言 數(shù)字電源是一種能夠提供穩(wěn)定、可靠、高效、精確電壓與電流輸出的電源設(shè)備。數(shù)字電源分為低功率(小于100W)與大功率(大于100W)數(shù)字電源。本篇文章主要討論大功率數(shù)字
2023-10-16 16:25:11538
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