二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。與硅相比,碳化硅具有很多優點,如:碳化硅的禁帶寬度更大,這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261315 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
與硅相比,SiC有哪些優勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
0.5Ω,內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術:1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多,如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近,UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
充電器、電機和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實現高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇,也是意法半導體的戰略。碳化硅(SiC)技術是意
2023-02-24 15:03:59
反向恢復電流,其關斷過程很快,開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下,碳化硅的機械強度都很高。25℃下,SiC的彈性模量,拉伸強度為1.75公斤/平方厘米,抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
已經成為全球最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
` 本帖最后由 訊飛開放平臺 于 2018-6-25 11:35 編輯
全球最大的在線少兒英語品牌VIPKID今日確認完成5億美金的D+輪融資、寒武紀也宣布完成數億美元的B輪融資、這周投資界到底
2018-06-25 11:32:52
` 本帖最后由 訊飛開放平臺 于 2018-8-1 09:47 編輯
國 內1、「醫聯」完成10億元D輪融資,躋身互聯網醫療獨角獸之列醫療解決方案提供商醫聯(Medlinker) 今日宣布獲得
2018-08-01 09:34:25
本帖最后由 訊飛開放平臺 于 2018-8-27 09:05 編輯
國 內1、開思汽配完成B3輪融資,B輪累計融資達6.5億汽配交易平臺開思宣布已完成超過2.5億元的B3輪融資,此輪融資由灃源
2018-08-27 09:04:04
15、外賣代運營商食亨獲億元A輪融資16、速瑞醫療完成Pre-A輪融資,3D內窺鏡成像領域構建技術壁壘17、遠孚物流集團完成數億元B輪融資,高榕資本領投18、東旭藍天:投資入股能源區塊鏈技術服務商融鏈
2018-07-03 09:24:35
地圖HDMAP,安全測試以及位置云平臺結合, 為自動駕駛提供一雙基于 AI 與地圖大數據的“眼睛”。3、國家隊入場,全域醫療獲7億元B輪融資全域醫療技術有限公司完成7億元人民幣B輪融資,由中
2018-07-25 10:01:36
,此次IPO融資239.7億港元。周日雷軍表示,最近資本市場跌宕起伏,小米能夠成功上市就意味著巨大的成功。2、手握“乾芯”系列虹膜生物識別智能芯片,「虹識技術」完成1.2億元A+輪融資總部位于武漢的虹識
2018-07-10 09:28:50
的食材配送商。3、半導體激光芯片商長光華芯順利完成1.5億元B輪融資長光華芯順利完成1.5億元B輪融資,本輪融資的投資方為:國投創業、中科院創投、蘇州橙芯創投。長光華芯主要從事開發,生產和銷售高功率
2018-08-06 09:05:04
資本,中通快遞,馮侖跟投。去年 11 月,團隊獲得了金沙江創投的天使輪融資。高灃資本全程擔任獨家 FA。據了解,兩輪融資金額共 1 億元人民幣。5、三代測序應用公司“希望組”完成近億元B輪融資,遠毅資本
2018-07-04 08:52:16
資產獨家戰略入股,同時格致資產也躍居為游俠汽車第二大股東。游俠汽車已陸續完成A輪、B輪以及B+輪共三輪融資,累計融資規模超過12.5億美金,整體估值達到33.5億美金,目前處于新造車企領先地位。2
2018-08-23 09:11:27
成本、實現合同管理電子化。3、“愛學堂”完成B+輪2.3億元融資,將進一步布局智慧教育生態慕華成志旗下愛學堂宣布于今年7月末完成B+輪共計2.3億元融資,投資方為慕華金譽、金信、華宏資產。本輪融資將用
2018-09-04 09:43:50
國內1、愛錢幫完成B+輪融資 原百度副總裁陸復斌投資3億元并出任董事長互聯網金融平臺“愛錢幫”于日前完成3億元B+輪融資,由信義資本創始人,原百度副總裁陸復斌投資。同時,陸復斌出任愛錢幫董事長一職
2018-07-04 09:07:44
資源,總金額超過1.05億元。同時雙方將在供應鏈管理、倉儲服務、線上業務、市場拓展等多方面展開深入合作。4、鴨嘴獸獲A輪融資3000萬元,由安持資本領投2018年8月底,鴨嘴獸完成A輪融資3000萬元
2018-09-05 09:19:19
)------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題:羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播時間:2018
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件,可以降低驅動器損耗,提高開關頻率,降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業主要進步發展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域,在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
,在這些環境中,傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能,包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,獲得華大半導體有限公司投資,創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實現相比硅元器件更高的工作溫度,實現雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
。 近幾年,國內的碳化硅市場增速非常快,越來越多的企業開始使用碳化硅器件來替代傳統硅器件方案,上海瞻芯就是其中之一。上海瞻芯是一家由海歸博士領銜的碳化硅高科技芯片初創公司,致力于開發以碳化硅器件為核心
2020-07-07 11:42:42
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
近日,華秋完成近億元B+輪融資!為分享這份喜悅之情,華秋電路決定,6月份開展免費打樣活動,籍此讓更多用戶體驗高可靠打板服務!活動對象2020.1.1-2020.6.30 期間 注冊且未下過首單的用戶
2020-06-11 14:55:01
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
近日完成數億元C輪及C+融資,具體細節將擇期正式對外公布。不過,從接近AB輪融資方的信源透露,C輪投資方由“深創投”獨家進行戰略性股權投資,C+輪引入了美元基金,領投方投資額高達5000萬美金。該輪投資
2018-08-20 08:58:31
、Bus365宣布完成數億人民幣B輪融資,投中資本擔任獨家財務顧問國內最大的城際公路出行綜合服務運營平臺——北京盛威時代科技有限公司 ( Bus365)宣布于近日完成數億人民幣規模的B輪融資,領投方為軟銀
2018-08-14 08:46:30
將用于云屏企業數據安全綜合防護平臺產品的研發和市場營銷。了解更多4、美豪酒店集團獲億元投資,同程旅游領投、陜西文投跟投。5、二手書交易平臺「閱鄰」完成數千萬人民幣A 輪融資,已擴充品類至 3C 產品。6
2018-08-15 08:38:18
SiCMOSFET大規模被應用在新能源汽車上。
芯塔電子,一直以科技創新為動力,推動碳化硅(SiC)功率器件的研發與應用,是國內少數幾家獲得車規級認證的碳化硅功率器件廠商之一。
華秋旗下媒體社區平臺
2024-01-19 14:55:55
SiCMOSFET大規模被應用在新能源汽車上。
芯塔電子,一直以科技創新為動力,推動碳化硅(SiC)功率器件的研發與應用,是國內少數幾家獲得車規級認證的碳化硅功率器件廠商之一。
華秋旗下媒體社區平臺
2024-01-19 14:53:16
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
2020年11月,直驅型精準動力方案專家本末科技完成Pre-A輪數千萬級別融資,企業估值達數億元。本末科技曾入圍“香港科大商學院-安訊科技”2019【人工智能】百萬獎金國際創業大賽21強,...
2021-08-30 08:04:28
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者:大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級,并能夠監控和保護各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅半導體器件供應商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達資本在官方微信宣布,已完成對致瞻科技的投資。依托核心團隊10余年的碳化硅功率半導體設計和驅動系統研發經驗
2020-11-30 10:33:272199 國內領先的碳化硅(SiC)功率器件廠商深圳市森國科科技股份有限公司(以下簡稱“森國科”)宣布完成C輪億元級融資。
2021-12-17 10:15:122162 靈明光子完成數億元C輪融資。
2022-04-11 10:51:111521 Agarwal 的播客中,我們將發現 SiC 的好處和應用。 討論的文章: 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 近日,瑤芯微電子科技(上海)有限公司(以下簡稱“瑤芯微”)完成數億元C輪融資。本輪融資由盛石資本、同創偉業聯合領投,參與資本方包括基石資本、美的投資等,老股東中科創星、朗瑪峰創投及張江集團旗下基金
2022-11-03 14:35:12645 上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡稱“瞻芯電子”)宣布完成數億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團戰略直投基金、尚頎資本(上汽集團旗下私募股權投資平臺)在管基金聯合領投,星航資本持續加注,同時獲得
2022-12-21 09:22:54609 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來,全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 派恩杰在這一年取得了優秀的成績!近日,碳化硅功率器件設計及方案商派恩杰半導體(杭州)有限公司(下稱“派恩杰半導體”)在1月19日正式完成數億元A輪融資,不僅如此,在壬寅年,僅車規級功率MOS芯片
2023-01-22 13:53:447910 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發
電、光伏發電等新能源領域。
近年來,全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移
2023-02-16 15:28:254 什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743 熱烈祝賀半導體測試設備領軍企業加速科技完成數億元B+輪戰略融資!
2021-09-29 18:17:02754 6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092319 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料,已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力,封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806 致瞻科技成立于2019年,是一家聚焦于碳化硅功率模塊和先進電驅系統的高科技公司。為滿足自身的快速發展,致瞻科技于2021年落戶臨港浦江高科技園區,建設了超5000㎡先進碳化硅器件及電能變換實驗室。
2023-09-13 16:29:31605 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨特的優勢,但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優點和缺點。
2023-09-26 16:59:07475 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 ,但其未來應用前景廣闊,具有很高的實用性。 首先,碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件,碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導率,這意味著在高溫或高電壓應用中具有
2023-12-21 11:27:09286 近日,清純半導體宣布完成數億元Pre-B輪融資,這是清純半導體繼今年4月份完成數億元A+輪融資以來的又一融資進展。
2024-01-02 10:22:00180 隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353 傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現,為電力電子行業帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
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