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電子發燒友網>模擬技術>碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎?

碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎?

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2023-04-07 11:16:201221

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預備起飛

逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24278

碳化硅MOSFET芯片設計及發展趨勢

隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發投入,國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升,研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49855

igbt碳化硅區別是什么?

igbt碳化硅區別是什么?? IGBT碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049049

碳化硅的作用遠遠大于你的想象

的硅基MOSFET相比,碳化硅MOSFET的尺寸可以顯著減小到原來的1/10,導通電阻也至少可以減小到原來尺寸的1/100。與硅基IGBT相比,同等規格的碳化硅MOSFET的總能量損耗可大大降低70%。
2023-09-25 17:31:33233

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322

碳化硅igbt的區別

碳化硅igbt的區別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用,但在結構、材料、性能和應用方面存在一些顯著差異。本文將詳細介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531791

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

,高耐壓,高可靠性。可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247 碳化硅MOSFET是一種基于碳化硅半導體材料的場效應晶體管。它的工
2024-02-21 18:24:15412

全球IGBT/碳化硅模塊生產廠商概覽

  在全球范圍內,有多家企業生產IGBT/碳化硅模塊,以下是一些知名的企業。
2024-01-25 14:01:22372

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