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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

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意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:431958

深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042

FGA30N65SMD 650 V 30 A 場(chǎng)截止IGBT

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2019-04-18 23:11:10

FGA30T65SHD 650 V 30 A場(chǎng)截止溝道IGBT

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2019-04-18 23:10:09

FGH30T65UPDT 650V30A場(chǎng)截止溝道IGBT

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2019-04-18 18:49:09

英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268

好消息 東芝650V超級(jí)結(jié)功率提高大電流設(shè)備效率的MOSFET問(wèn)市

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無(wú)引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117

簡(jiǎn)述仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349

東芝推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBTGT30N135SRA

近日,東芝推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,擴(kuò)充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器,例如IH電磁爐、IH
2021-08-16 16:33:162467

東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920

東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 (“東芝
2022-03-18 17:35:264582

東芝半導(dǎo)體推出具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件GT30N135SRA

具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。而今天要給大家介紹的是由東芝半導(dǎo)體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA,其有助于家電產(chǎn)品能耗進(jìn)一步降低。
2022-04-19 09:41:312034

東芝半導(dǎo)體DTMOSVI系列MOSFET的應(yīng)用及特性

如今,市場(chǎng)對(duì)于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65
2022-04-26 14:11:291093

650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開(kāi)關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性,并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:25724

英飛凌AIGW50N65H5車(chē)規(guī)級(jí)IGBT參數(shù)特點(diǎn)

編輯-Z Infineon/英飛凌AIGW50N65H5車(chē)規(guī)級(jí)IGBT參數(shù): 型號(hào):AIGW50N65H5 脈沖集電極電流(ICpuls):150A 功耗(Ptot):270W 工作結(jié)溫度(Tvj
2023-02-24 15:19:350

GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率

GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)業(yè)界驗(yàn)證,對(duì)于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:330

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650 V-40A-IGBT Application: Power Factor Correction circuit)

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:280

Nexperia | 用于汽車(chē)和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管

Nexperia | 用于汽車(chē)和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300

陸芯:?jiǎn)喂?b class="flag-6" style="color: red">IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705

新品 | 采用650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT3千瓦半橋感應(yīng)加熱評(píng)估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器,產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40559

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:560

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650 V-40A-IGBT Application: Power Factor Correction circuit)

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:440

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

東芝推出第3代650V SiC肖特基勢(shì)壘二極管,助力提高工業(yè)設(shè)備效率

)—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

SVF4N65F/M/MJ/D 650v mos管n溝道

驪微電子供應(yīng)SVF4N65F/M/MJ/D650vmos管n溝道大電流4a提供-svf4n65f詳細(xì)參數(shù)、典型電路、規(guī)格書(shū)等,是士蘭微MOS代理商,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-03-30 15:33:431

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超結(jié)mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:507

SVS11N65FJD2超結(jié)mos 耐壓650V,11A規(guī)格書(shū)-士蘭微代理

供應(yīng)無(wú)錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結(jié)mos管,適用于硬/軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌彰鳎m配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:07:350

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超結(jié)MOS-士蘭微mos管規(guī)格書(shū)

供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:061

650v mos管SVF65R950CMJ(D) 士蘭微高壓MOS管規(guī)格書(shū)參數(shù)-驪微電子

驪微電子供應(yīng)士蘭微高壓MOS管SVF65R950CD 9A,650V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng),是士蘭微mos代理商,提供產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請(qǐng)。>>
2022-11-02 16:24:493

STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù)

供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:59:562

場(chǎng)效應(yīng)管10N65L-ML UTC 10A 650V-10n65技術(shù)參數(shù)

供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技術(shù)參數(shù)關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-09 15:27:391

英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級(jí)為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立650VIGBT7H7新品,進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求
2023-11-21 08:14:06255

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì),在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介紹一款用于光伏儲(chǔ)能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188

揚(yáng)杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19564

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