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基于氮化鎵器件的集成化技術詳解
- SiC(61351)
- 氮化鎵(114708)
- GaN(67132)
- 寄生電感(14443)
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集成化的Speaker Box設計
Smartpa應用的需求，對于立體聲雙box的需求以及對天線、中殼等高度集成化需求等等，所有這些需求對Box的設計方案提出了更高的專業要求。 一個好的Box設計必然會對智能手機帶來更好的音頻性能以及更好的可靠性，而集成化的Box設計方
2018-06-05 09:32:27
4406
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集成化信息化信號采集處理系統有哪些
信息化信號采集處理系統的基本概念、組成、應用和發展趨勢進行詳細闡述。 基本概念 集成化信息化信號采集處理系統是一種基于計算機技術、通信技術、傳感器技術等多種技術的綜合應用系統。它通過將各種傳感器、信號處理設備
2023-12-14 11:19:17361
3612009汽車電子智能化集成化應用技術研討會暨采購配對會
和技術應用水平，以及加強汽車節能低耗建設和保障安全系數等綜合指標的完美結合，需要中外汽車整車企業，電子技術及零部件供應商和元器件開發精英的大力支持和積極應對。 蓋世繼“汽車底盤電子化、集成化應用技術
2009-08-19 11:40:42
氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵技術在半導體行業中處于什么位置？
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵技術推動電源管理不斷革新
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術促進電源管理的發展
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
氮化鎵GaN技術助力電源管理革新
結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵一瓦已經不足一元，并且順豐包郵？聯想發動氮化鎵價格戰伊始。
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優勢
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發展評估
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵激光器的技術難點和發展過程
激光器是20世紀四大發明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優勢，是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
集成氮化鎵直驅的高頻準諧振模式反激控制器
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用?！币夥ò雽w汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優勢
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現在已經在用8英寸晶圓生產氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）?，F場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵發展技術
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
【技術干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化鎵技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵功率芯片？
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發展
帶寬更高，這一點很重要，載波聚合技術的使用以及準備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
分光光度計系統集成化設計及研究
對分光光度計系統集成化進行了研究。提出了基于CE.NET的新型紫外/可見分光光度計的硬件系統設計及軟件系統實現，該系統硬件由單色器、探測器、以及通過串口連接的單片機和基于PC\104總線的單板計算機
2011-03-07 14:26:44
如何完整地設計一個高效氮化鎵電源？
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現小米氮化鎵充電器
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅動器優化氮化鎵性能
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
實現更小、更輕、更平穩的電機驅動器的氮化鎵器件
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術介紹
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
汽車底盤電子化、集成化應用技術研討會暨采購配對會
2009汽車底盤電子化、集成化應用技術研討會暨采購配對會（8月，上海）時間： 2009年8月27-28日 地點： 上海汽車會展中心(嘉定安亭鎮博園路7575號)會議背景 ： 如今汽車底盤控制技術正向
2009-07-23 09:31:04
汽車電子智能化集成化技術研討會暨采購配對會10月30日舉行
主題Ⅱ、車載導航系統的現狀和趨勢 茶歇、展示區參觀和自由交流 主題Ⅲ、汽車電子部件的小型化——元器件功能集成化應用 主題Ⅳ、車身電子遙控系統的智能化與集成化
2009-09-17 14:41:04
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢？
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化鎵在大功率LED的研發及產業化
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰發明了氮化鎵功率芯片？
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
采用SOC方案來實現電路開發集成化
目前電路開發集成化是個趨勢，采用SOC方案來開發可以省掉不少開發難度，但也存在一些問題，比如使用過程中系統跑飛死機的情況，如果板子沒有額外的MCU，則需要由看門狗復位IC來監控系統是否跑飛死機。筆者
2022-02-11 06:23:28
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
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高度集成化電路趨勢---無源器件內置
本身仍是許多導線的連接體。而采用無源器件內置技術后，電路板將變得完全不同于以往。其被動器件（如：電阻、電容）將會被集成在PCB內部,而外部不會留下任何無源器件，這樣PCB的空間和尺寸會被壓縮至最小！無源
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集成化渦街傳感器
通過對帶溫壓補償的集成化渦街傳感器構造原理、性能特點等方面的分析, 闡述了一種流量計量新產品的構造思路, 在渦街傳感器中集成壓力和溫度傳感器, 讓它們三者合為一體。這
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15基于集成化軟件的框架零件CAD設計
本文采用CAD 技術理論和先進集成化軟件UGII 應用相結合的方法,完成了對系統框架零件的三維實體造型和計算機輔助數控工藝設計。從理論依據和方法上,對基于特征的參數化實體
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9射頻集成化薄膜電感的設計和制備
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介紹了一種新型的基于硅IC 模擬電路工藝的射頻集成薄膜電感。描述了集成薄膜電感的工作原理。采用一個緊湊集總電路模型來等
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集成化熱插拔IC芯片LTC4219
描述
LTC®4219 是一款面向熱插拔 (Hot SwapTM) 應用的集成化解決方案，允許在帶電背板上安全地進行電路板的插拔操作。該器件在單個封裝中集成了一個熱插拔
2010-09-10 11:15:414647
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LTCC成未來電子元件集成化首選方式
未來手機正朝著輕型化、多功能、數字化及高可靠性、高性能的方向發展，對元器件的小型化、集成化以至模塊化要求愈來愈迫切。低溫共燒陶瓷技術(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)是近
2011-06-02 09:06:581633
1633一種高速化和集成化的數據采集系統的設計
隨著嵌入式技術的飛速發展，對嵌入式系統的應用需求也呈現出不斷增長的態勢，因此，嵌入式技術也相應地取得了重要的進展，系統設備不斷向高速化、集成化、低功耗的方向發展。
2012-05-17 09:21:261897
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PI將為半導體集成化發展提供“源”動力
隨著真正的物聯網平臺的出現，PI將為半導體集成化發展提供“源”動力，集成電路和系統的復雜性仍在迅速增長，一切都需要電力，PI會讓電源更加的高能效、低損耗。
2017-12-24 11:14:002615
2615ADI高度集成化的設計大大簡化控制系統設計
ADI的集成化射頻發射機、接收機和收發器提供完整性的高性能射頻和混合信號芯片操作系統。ADI高度集成化的設計大大簡化了控制系統設計，縮短了上市時間，減少了BOM成本，并提供了頂級的性能指標，尤其是
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640集成化趨勢明顯！威邁斯IPO上市加碼電驅多合一總成產品布局
該如何應對？ 據了解，新能源汽車核心零部件的集成化能夠在產品生產、整車制造以及售后、整車性能等多個方面帶來較多明顯的技術優勢，具體如下： 一是核心零部件的集成化，通過復用部分電路，減少了功率器件、接插件、線束以及
2023-02-21 16:50:38420
420行業關注丨威邁斯IPO上市推動集成化發展
該如何應對？據了解，新能源汽車核心零部件的集成化能夠在產品生產、整車制造以及售后、整車性能等多個方面帶來較多明顯的技術優勢，具體如下：一是核心零部件的集成化，通過復用部
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了Transphorm氮化鎵平臺，DAH Solar是安徽大恒新能源技術公司的子公司。該集成型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar對
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2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:11462
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