富士經濟預測了每種下一代功率半導體的市場前景。

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2022年4月10日，富士經濟公布了SiC（碳化硅）和Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場調查結果。據該公司預測，功率半導體市場將受到汽車和電氣設備領域的拉動，到2035年將達到134302億日元（約合人民幣6020億元），是2022年水平的5.0倍。

2035年下一代功率半導體市場規模將突破5萬億日元 該研究針對使用 SiC、GaN（氮化鎵）、Ga2O3（氧化鎵）、金剛石和 Si 功率半導體的下一代功率半導體。并且還調查了功率半導體相關組件和制造設備的市場。調查時間為2022年11月至2023年2月。 ? ?

富士經濟認為，由于汽車和電氣設備領域的需求增加，以及信息和通信設備和工業領域的穩定需求，2022 年硅功率半導體市場擴大。盡管消費電子領域的需求趨于穩定，但汽車/電子領域仍將繼續帶動市場，預計增長至9817億日元（約合人民幣505億元）的規模。

由于對SiC功率半導體的強勁需求和對GaN功率半導體的強勁需求，2022年下一代功率半導體將比上年增長2.2倍。預計未來市場將繼續高速擴張，2023年達到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長34.5%，2035年擴大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長31.1倍。

僅SiC功率半導體的市場規模就超過5萬億日元 富士經濟還提到了每種下一代功率半導體的市場前景。

SiC功率半導體以SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-FET、SiC功率模塊為目標，市場規模迅速擴大，主要集中在中國和歐洲。2022年數據中心服務器電源等信息通信設備領域和太陽能發電等能源領域的需求將大幅增長。富士經濟預測該市場將在 2023 年繼續增長，達到 2293 億日元（約合人民幣118億元），比 2022 年增長 34.3%。

之后，除了可再生能源的普及和汽車電動化的進展外，由于資本投資導致的產能增加、晶圓直徑的增加以及由于加工技術的改進而導致的價格下降的進展導致 SiC 功率在 EV 牽引逆變器中的使用，預計到 2035 年市場規模將擴大至 5.33 萬億日元（約合人民幣2746億元），是 2022 年水平的 31.2 倍，模塊采用勢頭強勁。

GaN 功率半導體市場預計將從 2022 年增長 32.6%，到 2023 年達到 57 億日元（約合人民幣3億元），因為它正被用于數據中心的 AC 適配器和服務器電源的高速充電。除了擴大以這些應用為中心的市場外，還有望擴大其在車載充電器和DC-DC轉換器等EV輔助設備中的使用，市場有望增長。

Ga2O3功率半導體方面，計劃開始量產SBD，預計2023年市場規模將達到4億日元（約合人民幣0.2億元）。此外，由于FET計劃在2025年左右投入實際使用，預計Si和SiC功率半導體的替代將取得進展，預計市場將主要在消費和信息通信領域擴大。中長期有望擴展到工業和能源領域，未來有望擴展到汽車/電子領域。

市場雖然旺盛，但零件采購困難導致零部件材料和生產設備產能放緩

此外，2022年功率半導體相關元器件材料市場因晶圓、前處理材料、后處理材料需求增加，將同比增長30.9%至2711億日元（約合人民幣139億元）。盡管2023年市場將繼續擴大，但由于零部件制造商產能有限，預計增長將放緩，預計2022年市場規模將增長11.5%至3023億日元（約合人民幣155億元）。Fuji Keizai 解釋說：“未來，預計由于 SiC 功率半導體的增長，汽車和電氣設備領域的需求增加以及燒結接合材料和氮化硅電路基板的采用增加將有助于市場擴張。” 到 2035 年，預計將增長到 1.202 萬億日元（約合人民幣619億元），是 2022 年水平的 4.4 倍。

2022年，由于海外功率半導體制造商主要在中國的積極資本投資，制造設備市場將同比大幅增長39.3%。盡管由于零件采購困難導致交貨時間延長等因素，市場增長正在放緩，但由于對中國和其他海外國家的積極資本投資以及對需求的增加，我們預計 2023 年后將繼續增長8英寸SiC晶圓，市場有望擴大。2023年預計比2022年增長21.4%至4124億日元（約合人民幣212億元），2035年預計增長2.4倍至8180億日元（約合人民幣421億元）。

編輯：黃飛

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