IGBT 功率模塊工作過程中存在開關損耗和導通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結構產生溫度梯度。并且結構層不同材料的熱膨脹系數( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:18
4436 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了GTR和MOSFET的優點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發射極E。
2022-10-28 16:12:429922 
在有限的封 裝空間內，如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環境中以降低芯片結溫及器件內部各封裝材料的工作溫度，已成 為當前功率器件封裝設計階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結構
2023-04-18 09:53:235976 
IGBT的結構中絕大部分區域是低摻雜濃度的N型漂移區，其濃度遠遠低于P型區，當IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01596 
的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
IGBT封裝新人報道，本人做IGBT封裝的，以后和大家多交流了~
2010-04-25 14:24:48
晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會使它損壞。為此，必須但對IGBT
2011-08-17 09:46:21
，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低
2012-07-09 14:14:57
)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率
2012-07-09 10:01:42
)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率
2012-07-09 11:53:47
大電流。對于 Mosfet來說，僅由多子承擔的電荷運輸沒有任何存儲效應，因此，很容易實現極短的開關時間。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也參與了導電。所以 IGB 結構雖然使導通壓降
2022-09-16 10:21:27
式和平板壓接式兩種，螺栓式基本已經淘汰。模塊式結構多用于將數個器件整合成基本變流電路，例如，整流、逆變模塊，具有體積小，安裝方便，結構簡單等優點，缺點是器件只能單面散熱，而且要求底板既要絕緣又要導熱性
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。 IGBT數據手冊資料 ：集成電路查詢網datasheet5
2012-07-11 17:07:52
和CMOS的閂鎖效應一個道理。所以需要分別控制兩個BJT的Gamma(共發射極電流放大系數)，最好的方式就是Vbe短接，這就是為什么IGBT都需要把contact從Emitter延伸到Body里面去
2023-02-08 16:50:03
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT并聯技術分析胡永宏博士（艾克思科技）通過電力電子器件串聯或并聯兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級。采用這兩種方法設計的大功變流器，結構相對簡單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
TM 4。EconoPACK TM 4——樹立新封裝標準EconoPACK TM 4是一個六單元IGBT模塊，包含測量溫度用的NTC電阻器。該封裝基于Econo封裝原理［3］，采用了獨特的扁平幾何結構
2018-12-07 10:23:42
的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此
2021-09-09 08:27:25
簡單，通態壓降低，且具有較大的安全工作區和短路承受能力。 1 IGBT及其功率模塊 1.1 IGBT的結構 IGBT采用溝槽結構，以減小通態壓降，改善其頻率特性，并采用NPT(Non Punch
2012-06-01 11:04:33
散熱器的特性不比N溝IGBT差多少，這非常有利于在應用中采取互補結構，從而擴大其在交流和數字控制技術領域中的應用。 目前，應用在中壓大功率領域的電力電子器件，已形成GTO、IGCT、IGBT、IEGT
2012-06-19 11:17:58
IGBT模塊的有關保護問題-IGBT模塊散熱器 對IGBT模塊散熱器的過流檢測保護分兩種情況： (1)、驅動電路中無保護功能。這時在主電路中要設置過流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00
的可再生能源，而IGBT是光伏系統中主要的功率半導體器件，因此其可靠性對光伏系統有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關
2021-09-09 07:16:43
IGBT的內部結構及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內部結構是怎樣組成的？IGBT的特點有哪些？
2021-10-15 06:01:58
是電壓控制型器件，它只有開關特性（通和斷兩種狀態），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導元件，以MOS管為驅動元件的達林頓結構。當柵極電壓Uge達到開啟電壓，IGBT導通，當Uge
2021-01-20 16:16:27
如圖所示，現在的問題是IGBT的門極給的是15V驅動電壓，Vce=27V,為什么導通之后負載對地的電壓只有9.7V，在IGBT上的壓降很大，怎么才能解決這個問題
2016-10-16 17:07:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2021-09-09 08:29:41
作PN二極管的陰極，而P+還繼續做它的FS-IGBT的集電極，它具有增強的電流特性且改變了成本結構，因為不需要共封裝反并聯二極管了。實驗證明，它可以提高飽和電流，降低飽和壓降(~12%)。 6、IGBT
2020-08-09 07:53:55
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
2019-09-11 11:31:16
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
片發熱厲害，分析一下，這個時候只有剩下導通損耗了呀。多次懷疑自己的開通時序問題，但是都沒有發現問題，經過長時間的折騰，測試IGBT的特性，發現問題是IGBT的管壓降比官方參數高，官方2.0V，實測
2015-03-11 13:15:10
及故障狀態反饋電路，為驅動電路的可靠工作提供了保障。其特性為：兼容CMOS/TYL電平；光隔離，故障狀態反饋；開關時間最大500ns；“軟”IGBT關斷；欠飽和檢測及欠壓鎖定保護；過流保護功能；寬工作電壓
2012-07-06 16:28:56
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場效應晶體管的電壓控制、開關頻率高、驅動功率小的優點，又具備大功率雙極晶體管的通態壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
。 絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡稱IGBT)是復合了功率場效應管和電力晶體管的優點而產生的一種新型復合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩定性好
2012-09-09 12:22:07
` 誰知道igbt是電壓型還是電流型？`
2019-10-25 15:55:28
功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。 MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上
2022-06-28 10:26:31
通狀態特性。IGBT的主要問題是寄生PNPN（晶閘管）結構可能導致器件故障。圖1說明了該寄生晶閘管的創建過程。 圖1. 直通 （PT） IGBT 的垂直橫截面和等效電路模型。圖片由意法半導體提供
2023-02-24 15:29:54
，但大多數600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負溫度系數)特性，不能并聯分流。或許，這些器件可以通過匹配器件VCE(sat)、VGE(TH
2018-08-27 20:50:45
Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負溫度系數)特性，不能并聯分流。或許，這些器件可以通過匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (柵射閾值電壓) 及機械封裝以有限的成效進行并聯，以使
2018-09-28 14:14:34
晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2022-04-01 11:10:45
Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。 IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路
2020-07-19 07:33:42
【不懂就問】說MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導致了他們工作原理和結構的完全不一樣那么既然都是可以當作開通關斷或者放大作用的管子且門極驅動的話，都要接上電阻來控制開短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開呢？
2018-07-04 10:10:27
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進一步深入了解。 通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關的三端子功率半導體器件，正如其開發的目的，結合了高效率和快速的開關功能，它在
2020-07-07 08:40:25
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
，是一款綠色環保的電子元器件，可應用于汽車和工業用途的通用變頻器等領域。 圖1 RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）封裝情況和電氣原理圖RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管
2019-04-09 06:20:10
IGBT的靜態特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒，看到轉移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網上查詢的資料一概籠統簡單，只描述特性曲線所表示的關系結果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
`本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上，結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢，全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術，突出實用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有
2019-07-16 07:30:00
更加優化。（平面柵與溝槽柵技術的區別可以參考文章“平面型與溝槽型IGBT結構淺析”）。縱向結構方面，為了緩解阻斷電壓與飽和壓降之間的矛盾，英家于2000年推出了Field Stop IGBT，目標在于
2021-05-26 10:19:23
和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進入量產２ ＩＧＢＴ的工作原理ＩＧＢＴ的驅動原理與電力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一種場控器件，其開通和關斷由柵射極電壓u GE
2021-03-22 19:45:34
進入國家電網系統的企業，打破歐美等國家對我國在這一市場領域的技術壟斷，加快了國家智能電網“中國芯”國產化的步伐。IGBT器件作為電壓控制型器件，具有容量大、損耗小、易于控制等優點，可使換流器拓撲結構更加
2015-01-30 10:18:37
，最新技術的特點為正面采用溝槽柵結構可進一步減小正向導通時飽和壓降值，同時背面采用場截止技術進一步優化器件的開關性能，在提高性能同時可使芯片做的更薄，這種結構特性對高壓器件來說是重要的。圖3 中科君芯
2014-08-13 09:01:33
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關系，就必須對這三者的內部結構和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內部結構（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
二極管型防護器件是利用硅PN結正向壓降（VF）和反向雪崩擊穿電壓（VZ）特性制成的，如瞬變電壓抑制二極管（TVS）。它有兩種形式：一是齊納型單向雪崩擊穿，二是雙向的硅壓敏電阻。TVS器件在規定
2013-02-25 10:41:28
(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小
2012-06-19 11:36:58
A:TVS 瞬態電壓抑制器是在穩壓二極管的基礎上發展而來的，是一種二極管形式的新型高效能保護器件。B:TVS通常采用二極管式的軸向引線封裝結構，TVS的核心單元是芯片，芯片主要材料為半導體硅片或曬片
2021-04-18 18:07:31
和DRAM），40μm的芯片堆疊8個總 厚度為1.6 mm，堆疊兩個厚度為0.8 mm。如圖1所示。圖1 元器件內芯片的堆疊 堆疊元器件（Amkor PoP）典型結構如圖2所示： ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20
]的結構如圖6所示。 這種結構使IGBT既有MOS FET可以獲得較大直流電流的優點，又具有雙極型晶體管較大電流處理能力、高阻塞電壓的優點。這種器件可以連接在開關電路中，就像NPN型的雙極型晶體管
2012-03-31 11:21:58
，它是單個無聯系的、具有器件功能特性的管芯，封裝在一個管殼內的電子器件，在大功率、高反壓、高頻高速、射頻微波、低噪聲、高靈敏度等很多應用場合起著舉足輕重與不可替代的關鍵作用。一些先進的半導體生產工藝
2018-08-29 10:20:50
優化工藝，將PWell拐角——即電場最強處的N型區去掉，達到了既能降低IGBT的VCEsat，又不明顯降低IGBT的耐壓的目的。（a）SPT IGBT結構示意圖（b）SPT+ IGBT結構示意圖圖
2015-12-24 18:23:36
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內電子市場上，魚目混珠的產品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
的導通能量損耗，并在電力電子學的典型模式下擴大開關元件的安全工作區域。使用硅IGBT可以優化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因為正是這種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
研制成功1kA /2.5kV平板型IGBT，由于集電、發射結采用了與GTO類似的平板壓接結構，采用更高效的芯片兩端散熱方式。特別有意義的是，避免了大電流IGBT 模塊內部大量的電極引出線，提高了可靠性
2019-03-03 07:00:00
二極管；過流器件則以PPTC元件自恢復保險絲為主，下面由我們優恩半導體來講講開關型過壓器件陶瓷氣體放電管的生產工藝，其生產流程主要包括以下關鍵步驟：原材料清潔—畫碳線—涂覆—封裝—燒結—早期失效分揀
2017-07-28 11:11:38
期間需要較厚的襯底來維持電場，如圖1（a）所示。-n-襯底的厚度是決定IGBT中飽和壓降的主要因素。 傳統NPT IGBT的“n-”漂移層和“p+”集電極之間的“n”型摻雜場截止層（如圖1（b）所示
2018-09-30 16:10:52
柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
保護，可有效地使電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖的損壞。本文對TVS管的結構與特性進行了介紹： TVS管是在穩壓二極管的基礎上發展而來的，是一種二極管形式的新型高效能保護器件。 TVS管通常
2018-11-05 14:21:17
，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS（on）特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低
2019-03-05 06:00:00
本文由IGBT技術專家特約編寫，僅供同行交流參考。 IGBT的結構與工作原理 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件
2012-03-23 11:13:52
的結果 雜散電感與電流變化率的結合影響著器件的開通和關斷電壓特性，可以表示為ΔV=L*di/dt。因此，如果器件關斷時電感Lσ較大，電壓尖峰就會升高。關斷行為對柵極電阻很不敏感。這是溝槽場截止IGBT
2018-12-07 10:16:11
），到現在的超結IGBT（SJ-IGBT），新結構層出不窮，并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
防雷過壓器件分為鉗位型過壓器件和開關型過壓器件，開關型過壓器件就是我們熟知的防雷器件:陶瓷氣體放電管、半導體放電管和玻璃放電管；鉗位型過壓器件有瞬態抑制二極管、壓敏電阻、貼片壓敏電阻和ESD靜電
2016-12-26 11:25:21
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產和封裝技術的革命性發展，拓寬了這種主力電源開關技術的應用范圍。IGBT的基本概念是雙極性（高電流密度）的開關器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗柵極。盡管人們早在
2018-12-03 13:47:00
功率執行器件，需求量不斷增加。基于這個目的出發，我們中國北車進行國產的高壓大功率IGBT模塊封裝已滿足國內的需求，在高鐵和動車上主要用的IGBT是650伏600安培的，目前我們公司可以封裝650伏600安培
2012-09-17 19:22:20
在一些要求高可靠性的應用場合，希望功率半導體器件可以穩定運行30年以上。為了達到這個目標，三菱電機開發了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設計，并在實際的環境條件下進行了驗證，結果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數據手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT的結構和工作原理
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵
2010-03-04 15:55:315186 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 對于壓接式IGBT器件，封裝結構引起的寄生參數不一致將導致開通瞬態過程中并聯IGBT芯片的電流分布不一致，使部分芯片在開關瞬態過程中的電流過沖太大，從而降低了開通性能。采用寄生參數提取、電路建模
2018-01-07 11:04:08
7 本文檔的主要內容詳細介紹的是IGBT的基本結構和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結構，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應和安全工作區，IGBT 的驅動與保護技術，集成
2020-09-10 08:00:0019 IGBT是電壓控制型器件，它只有開關特性（通和斷兩種狀態），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導元件，以MOS管為驅動元件的達林頓結構。
2020-11-21 10:17:0037937 的殼溫，而IGBT器件由于封裝尺寸遠大于芯片尺寸，所以殼溫不易準確測量，測量過程中引入的誤差較多，最終無法得到器件真正的熱阻值。
2021-04-29 09:15:084006 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動
2023-02-17 16:40:23915 為了更好了解IGBT，下面我們再來看看它的內部結構：一般，IGBT 有三個端子：集電極、發射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結構其實就相當于是一個四層半導體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實現的，它們構成了 P-N-P-N 排列。
2023-02-22 15:58:183058 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432105 
單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發展成熟，應用廣泛。IGBT模塊的封裝結構比較復雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優點的問題，設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041021 IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
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