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電子發燒友網>模擬技術>賽米控丹佛斯推出基于羅姆的1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯推出基于羅姆的1200V IGBT的功率模塊

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丹佛斯變頻器參數拷貝

丹佛斯變頻器全稱為“丹佛斯交流變頻調速器”,主要用于三相異步交流電機,用于控制和調節電機速度。丹佛斯變頻器是丹麥丹佛斯集團生產的變頻器產品,迄今,已有40余年的歷史,產品已經涵蓋所有低壓市場。
2019-06-06 15:58:279424

英飛凌推出適用于新一代1500V光伏和儲能應用的Easy 2B功率模塊

英飛凌日前利用采用先進中性點鉗位(advanced neutral-point-clamped ANPC)拓撲結構,將混合碳化硅(SiC)和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V
2019-09-14 10:56:003727

Wolfspeed推出適用于電動車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產品可最大限度地提高功率密度,同時最大限度地降低環路電感并實現簡單的功率總線。XM3適用于電動車充電器,牽引驅動器和不間斷電源(UPS)等應用。
2019-09-14 10:54:001845

安森美半導體提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)和丹佛斯宣布,公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管,應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊
2020-07-08 11:44:041244

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427

東芝新推出1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

比亞迪半導體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司,在SiC功率器件領域,比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。
2022-06-21 14:40:571216

Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器的配置案例

本案例是Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器的配置案例,應用到的設備為西門子1200PLC一臺,小疆智控Modbus轉Profinet網關GW-PN5001一臺,丹佛斯變頻器一臺。
2022-08-06 14:53:251240

配置案例|Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器

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2022-08-08 15:25:593

Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器案例分享

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2022-08-16 17:49:483

Modbus轉Profinet網關將丹佛斯變頻器接入西門子1200PLC配置

本案例是無錫艾默森 Modbus 轉 Profinet 網關將丹佛斯變頻器接入西門子 1200PLC 用到的設備為西門子 1200PLC 一臺,Modbus 轉 Profinet 網關一個,丹佛斯變頻器一臺。
2022-08-17 14:29:570

IGBT的電流是怎么定義的?

IGBT的電流是器件基本參數之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊
2023-02-07 16:39:292949

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT

編輯:LL FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管40A 1200V 品牌:ASEMI 型號:FGL40N120AN 封裝:TO-247 電性參數:40A 1200V 正向電流:40A
2023-02-23 15:37:570

興達易控Modbus轉Profinet網關將丹佛斯變頻器接入西門子 1200PLC 配置案例

通過興達易控Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器在西門子 1200PLC程序控制實例,實現對變頻器頻率讀寫,及工作模式切換
2023-03-07 22:12:44443

興達易控Modbus轉Profinet網關將丹佛斯變頻器接入西門子 1200PLC 配置案例

本案例是興達易控Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器在西門子 1200PLC程序控制實例,實現對變頻器頻率讀寫,及工作模式切換
2023-03-10 13:36:13488

Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器配置案例

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2023-04-10 10:18:003

Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器

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2023-04-10 10:14:130

配備羅姆 1200V IGBT功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT功率模塊

賽米控丹佛斯(總部位于德國紐倫堡)和全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市) 在開發SiC(碳化硅) 功率模塊方面,已有十多年的良好合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出功率模塊
2023-04-26 15:27:11517

RJH1CM5DPQ-E0 數據表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

興達易控Modbus轉Profinet網關將丹佛斯變頻器接入西門子 1200PLC 配置案例

本案例是興達易控Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器在西門子 1200PLC程序控制實例,實現對變頻器頻率讀寫,及工作模式切換
2023-03-01 10:47:13654

士蘭微電子推出高性能汽車驅動模塊—600A/1200V IGBT模塊

的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。 ? 針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片,并將其應用在PrimePACK模塊中,再次刷新
2023-09-14 08:16:10431

安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術的1200V SPM31智能功率模塊

智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59346

安森美推出第七代IGBT智能功率模塊, 助力降低供暖和制冷能耗

第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領先的解決方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而總體
2024-02-27 15:42:11122

Qorvo發布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19283

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