本文將介紹一種門極驅(qū)動(dòng)器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測以及軟關(guān)斷和有源鉗位(可在關(guān)斷時(shí)主動(dòng)降低過壓尖峰)等功能。
2016-11-16 11:19:578316 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-07-30 09:42:122476 過程中SiC MOSFET的高短路電流會(huì)產(chǎn)生極高的熱量,因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測與保護(hù)。同時(shí),電流關(guān)斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi),防止關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:07998 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列,進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:short circuit withstand time)限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56893 SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快,對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:582652 的技術(shù)、項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)積累,著筆SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章,希望能給到大家一定的參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。 作為系列文章的第四篇,本文主要針對(duì)SiC MOSFET 短路Desat 保護(hù)設(shè)計(jì)做一些探討。 1.???? 什么是Desat Desat保護(hù)是功率MOSFET和IGBT保護(hù)中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:002091 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
產(chǎn)品)的內(nèi)部柵極電阻約為6.3Ω。這不僅局限于SiC-MOSFET,MOSFET的開關(guān)時(shí)間依賴于外置柵極電阻和上面介紹的內(nèi)部柵極電阻合在一起的綜合柵極電阻值。SiC-MOSFET的內(nèi)部柵極電阻比
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。 因此,在相同的耐壓值情況下,SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻(單位面積導(dǎo)通電阻)更低的器件。 例如900V時(shí),SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下,SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻(單位面積導(dǎo)通電阻)更低的器件。例如900V時(shí),SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1,就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
對(duì)體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測試,結(jié)果如下。試驗(yàn)證明,所有特性如導(dǎo)通電阻,漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1:移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī),是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問:圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個(gè)東西?抗干擾或散熱嗎?這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是,在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下,保證最大故障率低于1 FIT,這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外,可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
,其重要性在以后的部分中得到了保存。在這里,我們證實(shí)了今天的SiC MOSFET質(zhì)量,包括長期可靠性,參數(shù)穩(wěn)定性和器件耐用性。 使用加速的時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿(TDDB)技術(shù),NIST的研究人員預(yù)測
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間,也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
情況下,SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻(單位面積導(dǎo)通電阻)更低的器件。例如900V時(shí),SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1,就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
什么樣的現(xiàn)象。綠色曲線表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH,紅色曲線表示低邊的柵極電壓VgsL,藍(lán)色曲線表示Vds。這三個(gè)波形都存在振鈴或振蕩現(xiàn)象,都不容樂觀。比如一旦在低邊必須關(guān)斷的時(shí)間點(diǎn)
2018-11-30 11:31:17
放置長時(shí)間沒有充電,BQ24040出現(xiàn)過放電引起的短路保護(hù),如何才能恢復(fù)24040讓其工作?1) 如果電池和板子是封死的,電池不能拆換,如何重新激活電池,讓充電過程恢復(fù)?2)如果恢復(fù)不了,如何避免
2018-08-27 16:46:43
的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)變得越來越難,工程師需要特別注意驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),布板設(shè)計(jì),熱設(shè)計(jì)等等。這些器件里,主流的有Super Junction的MOSFET和頻率越做越高的IGBT,非主流的有價(jià)格昂貴的SiC
2016-11-28 13:38:47
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn),先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測試,由于沒有大功率電源,暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔,快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能;②準(zhǔn)備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展,按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施,④項(xiàng)目調(diào)試,優(yōu)化,比較,分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展,實(shí)施,結(jié)果過程,展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
,以及源漏電壓進(jìn)行采集,由于使用的非隔離示波器,就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄:綠色:柵極源極間電壓;黃色:源極漏極間電壓;由于Mosfet使用的SiC材料,通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱:三相繼電保護(hù)電源試用計(jì)劃:.根據(jù)此方案研發(fā)電力繼保上使用的電源模塊,根據(jù)此方案進(jìn)行分解,改進(jìn),2.學(xué)習(xí)使用羅姆的Sic和驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品,和目前使用的一些電源進(jìn)行比較,然后就此研發(fā)新產(chǎn)品
2020-04-24 18:08:59
`收到評(píng)估板已經(jīng)一段時(shí)間了,但是忙于其他事情,更新得晚了些。為了搭建這個(gè)平臺(tái),自制了一個(gè)LC濾波板,請(qǐng)看下圖:圖1原理圖圖2 實(shí)物圖開始搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)(接線),12V輔助電源提供給驅(qū)動(dòng)板,48V接到
2020-06-10 11:04:53
,MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ,我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率,縮小設(shè)備體積,提高效率,所以急需該評(píng)估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng),望批準(zhǔn)!項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板,感謝羅姆,感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖,sic-mos有兩種封裝形式的,SCT3040KR,主要參數(shù)如下:SCT3040KL,主要參數(shù)如下:后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路,然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
對(duì)比仿真結(jié)果,測試SiC功率管的實(shí)際工作狀態(tài)。本次報(bào)告主要是開箱拍的一些圖和介紹對(duì)于板子的學(xué)習(xí)情況。 包裝堅(jiān)固嚴(yán)實(shí)的紙箱在海綿中保護(hù)的測試板和隨板附帶的安全注意事項(xiàng) 測試板的正面圖背面圖,高壓區(qū)域劃分
2020-05-19 16:03:51
封裝的SIC MOSFET各兩片,分別是TO-247-4L的SCT3040KR,TO-247-3L的SCT3040KL,這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
TO-247-4L封裝的SCT3040KR,TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來講,最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
項(xiàng)目名稱:SiC mosfet 測試試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:公司開發(fā)雙脈沖測試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃:1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換,并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側(cè))與硅
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的SiC MOSFET,使設(shè)計(jì)更簡單采用表貼型封裝(TO263-7L),可自動(dòng)安裝在電路板上與分立結(jié)構(gòu)相比,可大大減少元器件數(shù)量(將12個(gè)元器件和1個(gè)散熱器縮減為1個(gè)器件)與Si
2022-07-27 11:00:52
現(xiàn)在設(shè)計(jì)了一個(gè)穩(wěn)壓電源,在供驅(qū)動(dòng)器使用的大電模塊上需要一個(gè)短路保護(hù)的電路,電流需要很大,已經(jīng)有了過流保護(hù),但是過流保護(hù)對(duì)短路現(xiàn)象不感冒,在短路時(shí),MOS被燒壞了還沒有關(guān)斷,急需各位大佬幫助!!謝謝各位
2017-12-20 22:26:46
短路保護(hù)時(shí)間設(shè)置在200μS至1000μS,這要求功率MOSFET在高的短路電流下,能夠在此時(shí)間內(nèi)安全的工作,這也提高了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度。 短路保護(hù) 當(dāng)短路保護(hù)工作時(shí),功率MOSFET一般經(jīng)過三個(gè)
2018-09-30 16:14:38
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT,開關(guān)頻率高達(dá) 500kHz緊湊高效的內(nèi)置隔離式偏置電源(具有 15V 和 –4V 輸出)分立式兩級(jí)關(guān)斷功能可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù),具有可調(diào)的電流限制和延遲(消隱)時(shí)間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強(qiáng)的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
測試,并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊(HS)和低邊(LS)安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR,并使HS開關(guān)、LS始終OFF(柵極電壓=0V)。圖1所示的延長電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
,使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流精度,具有優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率,并且通過RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開路保護(hù)電壓。■SIC9654內(nèi)部集成了650V功率MOSFET,采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
精度,并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對(duì)電感與輸出電壓的自適應(yīng),從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。SIC9554內(nèi)部集成了500V功率MOSFET,無需次級(jí)反饋電路,也無需補(bǔ)償電路,加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)
2022-08-04 14:21:46
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
條件:(1)短路保護(hù)的時(shí)間要快。(2)功率MOSFET可以在一定的時(shí)間內(nèi)承受大的沖擊電流。熟悉IGBT的工程師大多知道在電機(jī)控制應(yīng)用中,IGBT專門有一個(gè)參數(shù)TSC來評(píng)估這個(gè)性能。對(duì)于MOSFET
2016-08-24 16:02:27
輸入欠壓保護(hù)功能(掉電)SiC-MOSFET用柵極鉗位電路<重要特性>工作電源電壓范圍(VCC):15.0V~27.5V正常工作電流: 0.80mA(typ.)猝發(fā)模式時(shí)工作電流: 0.50mA
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請(qǐng)問:驅(qū)動(dòng)功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時(shí)間來評(píng)估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應(yīng)用測試波形可以看到,在短路過程中,發(fā)生了連續(xù)多個(gè)短脈沖的沖擊,每個(gè)短脈沖持續(xù)時(shí)間為2uS,滿足器件單脈沖測試規(guī)范,但是器件最后還是發(fā)生損壞。
2018-04-25 09:00:377006 SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的這一特性,在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中考慮短路保護(hù)功能,提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 鑒幅方式短路保護(hù).這種短路保護(hù)方式,通過字面就可以直觀的理解——當(dāng)被保護(hù)的對(duì)象中實(shí)際電流值超過所設(shè)置的目標(biāo)值后,保護(hù)器就認(rèn)為線路發(fā)生了短路故障,隨即(有部分保護(hù)器還可以設(shè)定動(dòng)作時(shí)間)動(dòng)作切斷電源。
2018-10-25 16:37:597034 對(duì)于功率半導(dǎo)體來說,當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí),如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級(jí)IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時(shí)間,但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個(gè)基本缺陷。但通過更為詳細(xì)的背景分析
2021-01-26 16:07:334702 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 越來越重要。因此,能夠進(jìn)行高頻動(dòng)作,
并且高電壓大容量能量損失少的 SiC 功率半導(dǎo)體備受關(guān)注。羅姆發(fā)布了第 4 代 SiC MOSFET,是第 3 代 SiC MOSFET 的溝槽柵
結(jié)構(gòu)進(jìn)一步演進(jìn),將導(dǎo)通電阻降低約 40%,開關(guān)損失降低約 50%。在本應(yīng)用筆記中,使用第
2022-05-16 11:24:161 SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多,英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間,Easy模塊保證2us的短路時(shí)間,因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們
2022-05-19 11:58:134935 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但最終都是為了保證IGBT不會(huì)因?yàn)檫^熱而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力較小,根本原因也是因?yàn)闊幔窃谟?b class="flag-6" style="color: red">短路事件前后的溫度分布不合理!
2022-08-07 09:55:312564 由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)用解決方案時(shí),它們的短路魯棒性長期以來一直是討論的話題。
2022-08-09 09:39:51987 寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的設(shè)計(jì)裕量,并且較長的振鈴時(shí)間會(huì)引入EMI。
2022-08-29 15:20:381010 SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034 在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多,Easy模塊保證2us的短路時(shí)間,因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們來具體看一下這個(gè)短而精的程度。
2023-01-21 15:54:001265 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí),本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:102938 IGBT保護(hù)的問題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護(hù)4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護(hù)和過流保護(hù)短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0015 EN-1230A可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間
2023-02-23 09:20:462 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通,設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)(VG)時(shí)序。
2023-02-27 13:41:58737 (一)初識(shí)SiC科技前沿—第三代半導(dǎo)體技術(shù)—碳化硅SiC:技術(shù)和市場數(shù)據(jù)來源:知乎、英飛凌官網(wǎng)、ST官網(wǎng) 一、硅的瓶頸與寬禁帶半導(dǎo)體的興起上世紀(jì)五十年代以來,以硅(Si)材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料
2023-02-27 14:39:543 3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低,但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V~20V時(shí)才能完全開通; Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)
2023-02-27 14:41:099 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一,可以在多個(gè)應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT,發(fā)揮其高頻特性,實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 SIC MOSFET的特性 1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。2、隨著門極電壓的升高,導(dǎo)通電阻越小,表現(xiàn)更接近于壓控電阻。3、開通需要門極電荷較小
2023-02-27 14:37:383 想象一個(gè)場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)我開,你開我關(guān)
2023-05-30 11:35:071912 首先,是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強(qiáng)的保護(hù)功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能,保護(hù)
2023-12-14 11:37:10288 怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)? 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題,涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中,我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng),并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先,讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687
評(píng)論
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