摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:38
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NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064235 
的嵌入式源漏外延生長，LED襯底上的外延生長等。根據生長源物相狀態的不同，外延生長方式可以分為固相外延、液相外延、氣相外延。在集成電路制造中，常用的外延方式是固相外延和氣相外延。
2023-02-13 14:35:4710449 定制化合物半導體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學、生物傳感和光伏的各個領域產生潛在影響。這篇綜述簡要描述了實現這種異質集成的不同方法，重點介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 
異質運算的典型使用案例是什么？邁向異質的編程模型時會面臨哪些挑戰？
2021-06-01 06:52:25
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
面，其均方根粗糙度在藍寶石襯底上生長的 GaN 的 16 nm 和尖晶石襯底上生長的 GaN 的 0.3 nm 之間變化。 雖然已經發現基于 KOH 的溶液可以蝕刻 AlN 和 InAlN，但之前沒有
2021-07-07 10:24:07
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術而制成。GaN-on-SiC 方法結合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
晶體管（B）中的氮化物材料由外延片供應商IQE通過將200 mm的 p型硅片裝入MOCVD室生長得到。 圖3. （a）ITO和AlGaN/GaN異質結的能帶圖，在AlGaN/GaN異質結的界面處
2020-11-27 16:30:52
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
堆棧的滿空和生長方向的知識點匯總，絕對實用
2022-02-09 06:11:24
(外延)、non-epitaxial(非外延)、SOI (silicon-on-insulator)。外延襯底有一個重摻雜的外延層，這樣會得到較低的電阻率，進而預防電路產生latch up效應。但也
2012-01-12 10:47:00
波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術的不斷進步，藍光激光器的性能在不斷提升。 圖3、（a）氮化鎵/藍寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比（圖中暗斑為位錯缺陷） 在襯底方面，早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
碳化硅做襯底的成本遠高于藍寶石襯底，但碳化硅襯底的光效和外延成長品質要好一些。碳化硅材料分不透光和透光的兩類，如用透光的碳化硅材料做襯底成本就更高，而不透光的碳化硅跟硅材料一樣，外延后也必須做基板的轉換
2012-03-15 10:20:43
`供應藍寶石襯底！深圳永創達科技有限公司 聯系電話***齊先生 網址www.yochda.com適用于外延片生產商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技
2010-12-21 16:39:29
0 熱壁外延（HWE）在導電玻璃上生長GaAs薄膜引 言 目前，太陽電池應用最大的障礙就是成本高，世界商品化生產的太陽電池主要是單晶硅、多晶硅和非晶硅電池
2009-02-23 21:30:571108 異質結雙極晶體管,異質結雙極晶體管是什么意思
異質結雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(base)異質結SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 
LED發光效率提高方法需注意以下幾類技術：
一、透明襯底技術 InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長InGaAlP發
2010-07-23 09:49:482105 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 一般來說，GaN 的成長須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動力學仿真也得知NH3 和MO Gas 會進行反應產生沒有揮發性的副產物。 LED 外延片工藝流程如下： 襯底
2017-10-19 09:42:3811 研究人員將n型襯底作為分子束外延固體源（圖1）。首先將腔室加熱至950℃進行5分鐘的基底退火，然后通過生長一系列三層300nm GaAs層結構，隨后產生InGaAs / GaAs應變超晶格，從而實現
2018-05-23 16:51:464396 
通道或外延將其從原始的Si襯底中剝離下來，而后通過一個35 nm的SiN界面層結合在CVD合成的金剛石襯底上。
2018-07-26 17:50:4814550 （epitaxy）是指在單晶襯底上生長一層新單晶的過程，新單晶可以與襯底為同一材料，也可以是不同材料。 外延可以生產種類更多的材料，使得器件設計有了更多選擇。
2018-08-28 14:44:5916194 
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。
2018-10-26 17:33:0610616 按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶
2018-11-19 08:00:0024 今年9月，意法半導體展示了其在功率GaN方面的研發進展，并宣布將建設一條完全合格的生產線，包括GaN-on-Si異質外延。
2018-12-18 16:52:144894 9月10日，聚能晶源（青島）半導體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投產暨產品發布儀式”在青島市即墨區舉行，意味著國內8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技發起成立的控股公司
2019-09-11 16:33:126816 時，仍然可以獲得晶格匹配的異質結。此時，外延層為適配襯底的晶格常數將會在平行于橫截面的方向產生拉伸應變或壓縮應變，垂直于橫截面方向的晶格也將產生相應應變。 AlGaN材料晶格常數介于AlN與GaN之間，當在GaN襯底上生長Al
2020-03-10 14:14:3410496 
該項專利通過Mg摻雜濃度高-低-高階梯分布結構組成電容式結構，對高壓靜電的沖擊起到了分散、緩沖的作用，減少了高壓靜電的破壞力，從而提高GaN基LED器件的抗靜電能力。
2020-03-25 16:38:363526 
科技半導體公司提出的GaN基復合襯底技術，結合企業自身的LED芯片技術，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產成本，改進現有LED的產業鏈結構，同時該技術還可擴展應用到GaN功率器件和MicroLED領域。
2020-04-17 16:37:573363 
來自美國密歇根大學的Emmanouil Kioupakis教授利用第一性原理計算，從薄膜和晶格匹配襯底兩種應用考慮出發，研究了砷化硼異質結相關性能，包括應變對于能帶及載流子遷移率的影響，砷化硼與其他光電半導體的界面接觸等特性。
2020-05-07 16:18:226488 
根據工程應用的不同需求，SITP重點發展了基于碲鋅鎘襯底的碲鎘汞液相外延（LPE）和異質襯底的大面積碲鎘汞分子束外延（MBE）的材料制備技術
2020-06-01 14:57:274962 ，最優質的單晶GaN是通過幾種需要昂貴的一次性碳化硅（SiC）襯底的外延工藝生長而成的，這限制了其在包括消費電子產品在內的更廣泛市場中的商業化。IBM TJ Watson研究中心科學家最近的一項發現可能會在稱為直接范德華外延的單晶GaN薄膜生長過程中改變所有這些
2021-04-04 06:17:001404 
我國GaN產品逐步從小批量研發、向規模化、商業化生產發展。GaN單晶襯底實現2-3英寸小批量產業化，4英寸已經實現樣品生產。GaN異質外延襯底已經實現6英寸產業化，8英寸正在進行產品研發。 GaN材料應用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴展。
2020-12-23 15:15:092321 雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現多片4H－SiC襯底的同質外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉的大型基座上，這導致基座的直徑隨著數量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 看到一些新聞，表示某國高科技企業開發了一種新型襯底材料，與GaN晶格匹配，可以良好生長GaN。(備注：GaN體單晶制備難度非常大，因此此處所提的GaN是外延層，此處暴露了外延層存在的意義之一
2021-01-11 11:18:0823514 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
最近做芯片和外延的研究，發現同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗設計的“世界觀”?；?b class="flag-6" style="color: red">襯底的質量好壞很關鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長鍺是一種很有前途的技術。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:06808 引言 外延片或所謂的外延片是一種通過外延生長生產的材料，商業上可用于許多不同的電子應用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質晶片)制成?？捎米?b class="flag-6" style="color: red">襯底的“外延”晶片的選擇有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
引言 基于Ge/GeSn體系的半導體異質結構由于其特殊的能帶結構以及在創新光電子器件和高性能微電子器件中的可能應用，最近引起了廣泛的興趣。1 基于拉伸應變Ge/GeSn虛擬襯底的多量子阱結構和超晶格
2022-06-17 16:26:561440 
常數和熱膨脹系數的不匹配導致外延層產生位錯和開裂。 熱管理的常用方法是使用具有高導熱率的基板，例如 SiC 或金剛石作為散熱器。然而，GaN 和 SiC/金剛石之間的晶格失配和熱膨脹系數 (CTE) 失配都使得異質外延非常具有挑戰性。此外，傳統的成核層由于缺陷和結晶
2022-07-29 11:23:36926 
的。IVWorks（韓國）利用基于深度學習的人工智能 (AI) 外延技術制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設備的關鍵材料，已獲得 670 萬美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現在已獲得總計 1000 萬美元的資金。三星旗下專業投資子公司三星風險投資參與了
2022-07-29 18:19:471525 
熱膨脹性能越高，生長襯底直徑越大。
2022-09-02 16:46:25647 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 二維半導體薄膜在任意表面的異質外延技術 上海超級計算中心用戶北京大學陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數和三維架構基底上異質外延生長半導體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術
2022-10-19 20:20:571531 
依次對單晶壓電薄膜異質襯底制備、聲波器件仿真、聲表面波與板波濾波器技術的研究進展進行介紹與分析，并對未來聲波濾波器的發展做出展望。
2022-11-01 09:59:282352 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應用于微波射頻領域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:46473 目前來說，金剛石在半導體中既可以充當襯底，也可以充當外延（在切、磨、拋等加工后的單晶襯底上生長一層新單晶的過程），單晶和多晶也均有不同用途。
在CVD生長技術、馬賽克拼接技術、同質外延生長技術
2023-02-02 16:58:14781 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結構如圖1所示， AlGaN/GaN異質結采用MOCVD技術在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
該團隊還針對化學氣相沉積方法可巨量生長的二維薄膜材料的異質結的快速制備問題，發展出了一種高效且高質量的制備方法，創造性地利用水膜浸潤轉移界面，根據材料或襯底的親水疏水性不同
2023-02-15 10:16:16755 可以在各種襯底上生長，包括藍寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵（GaN）外延層可以使用現有的硅制造基礎設施，從而
無需使用高成本的特定生產設施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 研究進展，簡要總結了外延材料表征技術的發展趨勢， 為 GaN HEMT 外延層的材料生長和性能優化提供了反饋和指導。
2023-02-20 11:47:22876 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結構，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩定的結構。目前學術上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012113 
通過濕法轉移二維材料與半導體襯底形成異質結是一種常見的制備異質結光電探測器的方法。在濕法轉移制備異質結的過程中，不同的制備工藝細節對二維材料與半導體形成的異質結的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21514 
外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
第三代半導體設備 第三代半導體設備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設備等。
2023-06-03 09:57:01787 
一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延，下游應用于5G通訊、國防等射頻領域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。
2023-06-03 10:28:35924 
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44682 最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領域擁有廣泛的應用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質襯底上通過金屬有機氣象外延(MOCVD)進行外延制備。由于異質
2023-06-14 14:00:551654 
SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優點，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
金剛石異質外延已發展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質量的異質外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質外延單晶金剛石的發展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:23845 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測器研究機構和生產商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應用。
使用氮化鎵襯底可以在上面生長
2023-08-22 15:17:312379 近日，晶能光電發布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術成果。
2023-09-01 14:07:44738 GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25660 
of wafer-scale van der Waals superconductor heterostructures”（堆垛生長晶圓級范德華超導異質結）為題，于2023年9月6日在線發表于Nature。這是高力波課題組在制備二維材料領域發表的第三篇頂刊。
2023-09-14 09:17:46555 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業照明領域已經實現規模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
HVPE主要是利用生長過程中的化學反應，如歧化反應、化學還原反應以及熱分解反應等實現外延晶體薄膜的制備，具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點，一般用來制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081220 
這項研究首次提出了一種由層間激子驅動的高性能紅外光電探測器，該紅外探測器由化學氣相沉積（CVD）生長的范德華異質結所制備。這項研究標志著光電器件領域進步的一個重要里程碑。
2023-11-13 12:42:51164 
半導體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導體
2023-11-22 17:21:281514 通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界面的表面形貌、晶體質量和界面性能進行了系統研究。
2023-11-23 15:14:40232 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
清軟微視是清華大學知識產權轉化的高新技術企業，專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發。其自主研發的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產品，
2023-12-05 14:54:38769 
GaN性能優異，在光電子、微電子器件應用廣泛，發展潛力巨大；進一步發展，需提升材料質量，制備高質量氮化鎵同質襯底。
2023-12-09 10:24:57716 12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯合開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:03402 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯合開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:15510 在功率和光子學應用強勁擴張的推動下，到2029年，全球化合物半導體襯底和外延晶圓市場預計將達到58億美元。隨著MicroLED的發展，射頻探索新的市場機會。
2024-01-05 15:51:06355 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態下，進行材料外延技術，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10968 
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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