德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC產品群”,并在2012年5月8日~10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711 2012年10月10日,德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產品陣容。
2012-10-10 13:37:101190 2015年1月13日,德國慕尼黑、美國加利福尼亞埃爾塞貢多 (El Segundo) 訊—— 英飛凌科技股份有限公司(法蘭克福證券交易所股票代碼:IFX、美國柜臺交易市場股票代碼:IFNNY)今天
2015-01-14 11:10:121918 據報道,臺積電董事長張忠謀周四表示,他不排除在美國建新芯片工廠的可能性,但在美國生產芯片,包括蘋果、高通和英偉達在內的美國客戶利益會受損。
2017-01-14 10:43:32635 根據2019年Yole發布的SiC市場報告,2018年SiC的市場規模約為4.2億美元,該機構預計SiC市場的年復合增長率為29%,也就是說到2024年,SiC的市場規模將達19.3億美元。
2020-04-03 18:26:1314945 近日,在EEVIA年度硬科技峰會上,來自英飛凌的電源與傳感系統事業部應用管理高級經理徐斌帶來了最新的戶用儲能市場的前瞻和英飛凌提供的半導體元器件系列解決方案。
2023-10-05 11:52:011859 11 月 10 日消息,據臺媒報道,臺積電赴美國建 5nm 廠各項規劃已逐漸清晰。
2020-11-10 11:39:152091 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 09年美國石材/09年美國建材展/09年/美國最大石材瓷磚地鋪展/09年美國石材/趙細金0592-2653917/歐美建材五金石材展/09年美國瓷磚展/09年美國大理石展/09年美國石材制品展/09
2008-12-02 20:24:47
2009年美國建材展/2009年美國衛浴潔具展/2009年美國門窗五金展/2009年美國陶瓷石材展/2009年美國鋼材混凝土展2009年美國建材展/2009年美國衛浴潔具展/2009年美國門窗五金展
2008-08-19 09:33:48
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
的Ioffe研究所。埃爾蘭根大學和林克平在歐洲的SUNY-Stony Brook,Carnegie Mellon和美國的普渡大學等等。 在他們發布后的幾年內,SiC肖特基二極管經歷了可追溯到材料質量和器件
2023-02-27 13:48:12
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優異的設計?SiC46x的主要應用領域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
電導率調制,向漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
與硅相比,SiC有哪些優勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
山東等地大量回收IGBT模塊電話151-5220-9946微信同步QQ2360670759山東地區回收IGBT模塊,公司專業回收西門康模塊,求購英飛凌模塊,大量回收富士模塊,高價回收三菱模塊,功率
2021-09-12 18:03:24
那位老師有英飛凌TC1767汽車編程器。軟件
2015-01-08 03:20:21
,通過對芯片組的優化構建更好的系統,從而減少道路交通事故傷亡人數。例如,根據美國法律規定,汽車必須安裝輪胎壓力傳感器系統,而英飛凌在這一領域取得了領先地位。安全系統也在向主動安全系統發展,在事故發生
2018-12-13 17:15:46
年,可再生能源在全球能源消費總量中所占的份額將大幅上升。其中,美國能源信息管理署估計這一比例約為8%,綠色和平組織和歐洲可再生能源委員會的預測更是高達30%。英飛凌的芯片和模塊為風力、水力和太陽能等
2018-12-03 14:03:30
品牌型號美金RMBRMB(稅)英飛凌FF50R12RT422.0 147.8 163.5 英飛凌FF75R12RT429.7 199.6 220.7 英飛凌FF100R12KS4 46.2
2012-07-29 12:07:29
),公司的銷售額達 58億歐元,在全球范圍內擁有約 35,400 名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier
2018-12-12 09:47:49
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
09年美國建材展/09年拉斯維加斯建材展/09年美國最大建材展/09年歐美建材五金石材展/趙細金0592-2653917/國際建材展會咨詢/09年美國建材機械展/09年美國建筑材料展/09年美國建
2008-11-19 14:29:14
;:betty980718@hotmail.com2009年美國建材展/2009年美國衛浴潔具展/2009年美國門窗五金展/2009年陶瓷石材展2009年美國建材展/2009年美國衛浴潔具展/2009年美國門窗五金展/2009年陶瓷
2008-08-13 20:02:17
有羅姆,英飛凌,Cree,意法半導體等,因為羅姆在官網提供比較易得的SiC參數性能和仿真模型,之前也有了解一些SiC管性能參數,下載模型在軟件做一些簡單的仿真。這次提供的試用開發板和對應插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
要充分認識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容,并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
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2021-05-15 15:24:55
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2021-10-19 15:05:28
***QQ:879821252 】 ▲收購英飛凌電子IC以下型號: SPD02N80C3|BGF121E6329|35N60CFD|47N60C3...▲▲大量回收工廠電子IC,整廠回收,電子IC收購
2021-08-30 19:01:01
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
向大家請教一下:國內大陸的USB3.0 hub芯片原廠可以舉例2-3家嗎?我在網上查到的基本是韓國,日本,美國,***的這類芯片
2022-05-10 21:45:59
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入,但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
LED驅動IC低PFSIC953xJS 系列-SIC9531JSSOP4
2021-07-22 10:57:02
低功率因素方案SIC953XD系列 :TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D0.514Ω 500VSOP7
2021-08-27 18:06:47
PWM調光方案SIC994XB/D 系列SIC9942B/DSOP7
2021-07-22 11:05:27
深愛原廠一級代理SIC995x系列 全系列代理詳細內容低功率因素非隔離按鍵調光方案SIC995X 系列SIC9953 500VSOP7/DIP7
2021-07-22 11:10:22
09年美國潔具展/09年美國衛浴展/09年世界上最大廚衛展/09年美國廚衛展/09年 KBIS/09年美國建材展/趙細金0592-2653917/09年美國潔具展/09年美國衛浴展/09年美國廚具展
2008-12-02 20:24:19
英飛凌向爾必達提出專利侵權訴訟
英飛凌科技股份公司近日宣布,該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書,
2010-02-24 08:53:45653 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類:一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型,稱為3C
2010-03-04 13:25:266541 福耀玻璃(600660)董事長曹德旺的一席話在國內掀起軒然大波,時隔數日,討論聲仍然此起彼伏。其實,中國企業去美國建廠,福耀玻璃不是第一家,此前已經有多家中國企業在美國建立了自己的工廠。“中國企業
2016-12-22 11:24:441215 LG電子將會在美國建設首個生活家電工廠。分析人士認為,這與即將上臺的特朗普政府加強貿易保護主義有關。
2017-01-09 16:29:23820 據外媒報道,在特朗普威脅提高關稅的恫嚇下,世界許多大廠紛紛表態將在美國本土投資建廠。現在,LG也加入這些廠商的行列,這家韓國電子巨頭將投資2.5億美元在美國建設新工廠。
2017-03-02 10:48:181126 如果成本合適,臺積電可能考慮在美國建新廠。
2019-06-09 14:38:002885 第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產,并打入多個應用市場。日前,在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上,該公司大中華區工業功率控制事業部副總裁于代輝和工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:216460 由于安全方面的擔憂,美國政府希望該公司在美國本土生產。而兩名消息人士表示,臺積電正積極考慮在美國建廠,新工廠生產的半導體會比蘋果公司即將用在今年最新5G iPhone中的5納米芯片還要先進。
2020-03-17 14:31:302256 在半導體領域,不只是中國擔心被卡脖子,美國也一樣擔心,因為臺積電是全球最大也是最先進的晶圓代工廠,生產并不控制在美國人手中。特朗普政府一直希望臺積電去美國建廠,不過這事并不容易。
2020-04-20 09:15:322377 在半導體領域,不只是中國擔心被卡脖子,美國也一樣擔心,因為臺積電是全球最大也是最先進的晶圓代工廠,生產并不控制在美國人手中。特朗普政府一直希望臺積電去美國建廠,不過這事并不容易。
2020-04-20 09:19:133180 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 全球SiC的產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立的態勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司占據了全球SiC市場約70%的份額,其中科銳、羅姆實現了從SiC襯底、外延、設計、器件及模塊制造的全產業鏈布局。
2020-09-26 10:14:562013 作為全球半導體技術最先進的國家,美國本土最新工藝還是14nm,已經落后于臺積電了。今年5月份臺積電宣布在美國建設5nm晶圓廠,總投資120億美元,現在已經開始啟動招聘了。
2020-11-04 10:00:111432 據臺媒報道,臺積電赴美國建 5nm 廠各項規劃已逐漸清晰。 臺積電規劃明年二月動工,2023 年正式裝機試產 5nm、2024 年量產。臺積電敲定中科廠十五 A 廠長林廷皇及技術處資深處長吳怡璜二大
2020-11-11 17:42:241317 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協議,合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48992 近日,英飛凌與GT Advanced Technologies(GTAT)已經簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協議,合同預期五年。英飛凌此舉無疑是看到了SiC廣闊的市場規模,據Yole預測,SiC
2020-12-29 16:12:162786 臺積電最近興高采烈,因為業績太好了,利潤破紀錄,與此同時,臺積電正考慮在日本建芯片研發基地,業界推測這是為后續建工廠做準備。可是,臺積電之前一再談要去美國建芯片工廠,難道臺積電要同時在美國、日本建芯片廠?這無疑引發了業內高度關注。
2021-01-11 13:59:141763 2020年5月15日,之前一直否認去美國建廠的臺積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設晶圓代工廠,生產5nm工藝。 臺積電表示,此座將設立于亞利桑那州的廠房將采用臺積公司的5nm制程技術生產
2021-02-24 11:09:391450 2020年5月15日,之前一直否認去美國建廠的臺積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設晶圓代工廠,生產5nm工藝。
2021-02-24 12:03:011855 2020年5月15日,之前一直否認去美國建廠的臺積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設晶圓代工廠,生產5nm工藝。
2021-02-24 12:01:251753 關于SiC MOSFET的并聯問題,英飛凌已陸續推出了很多技術資料,幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境,分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 即將開展為期多年的碳化硅(SiC)半導體供應合作。英飛凌將預留產能,并在2025年至2030年間向Stellantis的一級Tier 1供應商提供CoolSiC?裸片。此次協議潛在的采購量和產能儲備
2022-12-27 10:30:58333 當前從目前的供應情況來看,車規級SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應,供不應求現象較為嚴重。另一方面來說,國內也有不少SiC器件廠商推出了車規級SiC MOSFET產品
2023-01-30 16:18:27545 【 2023 年 02 月 09 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體
2023-02-09 17:51:29535 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應用環境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作,將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB),以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 眾所周知,“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代,英飛凌的溝槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代,市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞,而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”,就不會干別的了嗎?非也。因為SiC材料獨有的特性,Si
2023-01-12 14:34:01630 IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設計理念、高性能封裝互聯方案.XT
2023-07-31 17:30:06847 據“行家說三代半”此前報道,2022年2月,英飛凌宣布將投資超過20億歐元(合計約144億人民幣)擴大SiC 和 GaN半導體的產能,他們將在其馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。
2023-08-04 14:59:26517 8月11日報導顯示,碳化硅(SiC)半導體領域競爭升級,英飛凌(Infineon)宣布將在馬來西亞興建全球最大的8英寸SiC晶圓廠,為長期合約訂單背書,此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8英寸
2023-08-11 16:16:47341 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 。從Wolfspeed 計劃在德國建設全球最大的 SiC 工廠,到三菱計劃在日本建設8 英寸 SiC 晶圓廠,這些項目不僅涉及氣候變化,還涉及緩和全球緊張局勢和保障芯片供應。 我們在美國政府為其國內芯片制造提供的 527 億美元補貼計劃中看到了這一點,作為其“芯
2023-10-16 18:38:22406 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 在汽車和可再生能源領域,英飛凌已經獲得了重大的設計勝利,相關客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現金流做出貢獻。英飛凌已經從6家原始設備制造商(OEMs)和5家主要客戶那里獲得了總計約50億歐元的設計勝利。
2023-11-27 10:25:06183 ,GreenIndustrialPower)事業部,也可以看出英飛凌繼續加碼綠色能源市場的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業的關鍵產品,一直以來英飛凌對SiC產品在多個關鍵應用市場推進付出了諸多
2024-01-10 08:13:51152 2023年5月,英飛凌與天科合達簽訂了長期協議,以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。天科合達主要為英飛凌供6英寸的碳化硅襯底,同時還將提供8英寸碳化硅材料,助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡。
2024-01-11 16:38:33388 英飛凌與韓國SK Siltron子企業SK Siltron CSS最近達成了一項重要協議。根據該協議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌在SiC半導體生產方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228 近日,英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協議。
2024-01-19 10:00:07218 英飛凌科技(Infineon Technologies)與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布,雙方將擴大并延長現有的晶圓供應協議。這一協議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系,以滿足市場對碳化硅(SiC)晶圓產品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:52441 英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅(SiC)材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅(SiC)晶圓供應
2024-01-30 17:06:00180 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00382 近期,英飛凌科技公司宣布與安克創新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作,共同推動SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)技術在各領域的應用。這些合作將進一步提升功率半導體器件的效率和性能,為行業帶來更多的創新和價值。
2024-02-02 15:06:34304 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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