IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT
2010-07-29 11:53:231816 ? IGBT模塊內部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電流波形如圖1所示,Lσ代表整個換流回路(條紋區域內)所有的雜散電感之和(電容器,母排,IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182225 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當IGBT的控制極壓加上一定的電壓時,例如正向電壓,漏結區就會被壓縮。這時候漏極和源極之間就會產生
2023-12-13 16:01:59847 IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 開通和關斷電阻圖4分開使用開通和關斷電阻 門極電壓鉗位很重要。IGBT自身具有最大電流限制能力,尤其是在短路的時候,只要能夠很好地控制住門極電壓,短路電流就會受限從而避免模塊因短路電流過大而損毀。另外,鉗住
2018-12-06 10:06:18
是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N
2012-07-25 09:49:08
1. IGBT模塊的選定在使用IGBT模塊的場合,選擇何種電壓,電流規格的IGBT模塊,需要做周密的考慮。a. 電流規格IGBT模塊的集電極電流增大時,VCE(-)上升,所產生的額定損耗亦變大。同時
2021-08-31 16:56:48
Through)技術實現IGBT的大功率化。IGBT只比IGBT模塊來構成牽引變流器以及輔助電源系統的恒壓恒頻(CVCF)逆變器。IGBT模塊的電壓等級范圍為1200V~6500V。 2.1
2012-06-01 11:04:33
請問大家IGBT模塊怎么做能起到保護,在瞬間起動超負荷大電流大電壓的情況下能起到保護,可以在接線IGBT模塊前增加其他配件嗎?
2018-04-09 17:16:53
本帖最后由 電力電子2 于 2012-6-20 14:35 編輯
IGBT模塊散熱器選擇及使用原則 一、散熱器選擇的基本原則 1, 散熱器選擇的基本依據 IGBT散熱器選擇要綜合根據器件
2012-06-20 14:33:52
IGBT模塊散熱器最基本的使用說明。 ㈠ 依據裝置負載的工作電壓和額定電流以及使用頻率,選擇合適規格的模塊。用戶使用模塊前請詳細閱讀模塊參數數據表,了解模塊的各項技術指標;根據模塊各項技術參數
2012-06-19 11:38:41
特性相匹配的過電壓、過電流、過熱等保護電路。 4.4散熱設計 取決于IGBT模塊所允許的最高結溫(Tj),在該溫度下,首先要計算出器件產生的損耗,該損耗使結溫升至允許值以下來選擇散熱片。在散熱
2012-06-19 11:17:58
, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應加熱)提供了新的商機。以下是最基本的使用說明。 (一)根據負載的工作電壓和額定電流以及使用頻率,選擇合適規格的模塊。 用戶使用模塊前請
2012-06-19 11:20:34
較高: 選擇IGBT模塊散熱器,首先從兩方面因素作為先決條件, 熱阻,熱阻是衡量散熱器散熱能力的重要指標,熱設計的重點是對散熱器熱阻的計算,在選擇時,先根據原器件的功耗,確定冷卻方式,該參數確定
2012-06-20 14:58:40
IGBT模塊是由哪些模塊組成的?IGBT模塊有哪些特點?IGBT模塊有哪些應用呢?
2021-11-02 07:39:10
`各位老師,我最近在做IGBT模塊的飽和壓降測試,我是直接用光耦芯片HCNW3120驅動,但測試電流大了之后,采集的波形震蕩比較大,柵極電壓也有點變化(小電流時比較好),這樣是不是會影響測試結果
2017-12-27 11:11:47
等設計比較好,就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。2、IGBT電流的選擇 半導體器件具有溫度敏感性,因此,IGBT模塊標稱電流與溫度的關系比較大。隨著殼溫的上升,IGBT模塊可利用
2022-05-10 10:06:52
串接在主電路中,通過電阻兩端的電壓來反映電流 的大小;對于大中容量變頻器,因電流大,需用電流互感器TA。電流互感器所接位置:一是像串電阻那樣串接在主回路中,二是串接在每個IGBT模塊上,。前 者只用一
2012-06-19 11:26:00
,后臺軟件實時監控、自動處理目標數據,具有測試精度高、操作方便、高效等優點。 該系統適用于中低壓IGBT模塊產品的高溫反偏測試,最大測試電壓為3500V。可以實現對IGBT器件集電極-發射極電壓Vce
2018-08-29 21:20:11
功率因數不是1時,負載的無功電壓分量便會加在開關器件上,為了避免IGBT承受反向電壓而損壞,必須用快速二極管與IGBT串聯。即使是采用IGBT模塊,由于內部已有反并聯快速二極管,IGBT也不會承受反電壓
2013-02-21 21:02:50
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。
2020-03-24 09:01:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1,IGBT單管:IGBT,封裝較模塊小,電流通常在100A以下,常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2,IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
**Mosfet **和 IGBT 驅動對比的簡介簡述:一般中低馬力的電動汽車電源主要用較低壓(低于 72V)的電池組構成。由于需求的輸出電流較高,因此市場上專用型的 Mosfet 模塊并不
2022-09-16 10:21:27
,功率提升主要靠電力電子器件串并聯數目的增加來實現,因此具有成本較低,便于不同功率等級變流器進行模塊化設計和生產等優點。通過串聯IGBT可以提高變流器的電壓等級,而通過并聯IGBT則可以提高變流器的電流
2015-03-11 13:18:21
會流過較大的靜態電流。而且,靜態電流Ic1 與Ic2 的這種差異遠大于飽和電壓分布不同所引起的差異。因此,直流回路以及輸出回路母線布局、電解電容和IGBT模塊的布局需要經過優化,使每個并聯支路盡量對稱
2018-12-03 13:50:08
峰值電流: RGint:大電流IGBT內部會集成一些芯片,每個芯片都有單獨的柵極電阻,RGint是這些柵極電阻并聯之后的值。集成內部柵極電阻的作用是為了實現模塊內部IGBT芯片的均流,該思路在做單
2021-02-23 16:33:11
的IGBT門極開通電壓尖峰是怎么回事? 圖1a IGBT門極開通尖峰 圖1b IGBT門極開通尖峰機理分析:IGBT門極驅動的等效電路如圖2所示: 圖2. IGBT驅動等效電路IGBT開通瞬間門極驅動回路
2021-04-26 21:33:10
各位大神好,想請教一個問題。我現在手上有一個IGBT模塊,型號是FF150RT12R4。我現在想找一個驅動這個IGBT模塊的驅動模塊,是驅動模塊,不是驅動芯片,我在網上查找到了EXB840,但是這個驅動年份有些久遠,所以想問有沒有類似的新產品,求推薦型號。
2021-01-04 10:40:43
開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系?關斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系?
2021-10-14 09:09:20
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊,這些又分為不同電壓等級和電流大小,那么IGBT的開通時間和關斷時間是否相同,如果不相同,哪個時間更長一些?并且,在設計IGBT
2024-02-25 11:06:01
`我需要通過LC電路產生一個1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
本帖最后由 dzdaw2013b 于 2013-6-18 16:14 編輯
選擇 IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊
2013-06-18 16:13:38
` 誰知道igbt是電壓型還是電流型?`
2019-10-25 15:55:28
我們經常看到ESD靜電保護器、ESD靜電阻抗器件、ESD靜電釋放器、SMD壓敏電阻等產品的引入,但實際上,保護器件最關鍵的參考因素應該是以下三項:1.快速響應時間2.鉗位電壓較低3.抗雜散電流
2020-12-15 15:28:30
多樣化,漏電流低,電壓值低(最低可做到2.5V)有助于保護敏感的電子電路不受靜電放電(ESD)事件的破壞,是理想的高頻數據保護器件。產品作用:ESD靜電二極管并聯于電路中,當電路正常工作時,它處于截止
2018-09-06 12:09:39
`1. 由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2. IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以
2018-08-27 20:50:45
,但耐壓能力沒有IGBT強。2、IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了。不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛
2021-06-16 09:21:55
集電極/發射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應也導致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯二極管轉換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會上升。IGBT產品規格書中列出
2018-09-28 14:14:34
IGBT陰極流出;而當RC-IGBT反向導通時,器件的電流由正向導通的二極管傳導,即電流從RC-IGBT陽極中n+區流出。然而,該RC-IGBT結構存在一些亟待解決的問題,例如,正向導通時有電壓折回
2019-09-26 13:57:29
/發射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應也導致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯二極管轉換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會上升。IGBT產品規格書中列出的Eon
2017-04-15 15:48:51
PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高
2012-06-19 11:36:58
和PNP晶體管基極之間形成的低電阻狀態導通。如果柵極和IGBT的發射極之間沒有電壓,MOSFET關斷,從而切斷PNP晶體管的基極電流電源并關閉晶體管。四、IGBT模塊常見故障處理變頻器由主電路、電源電路
2023-02-02 17:02:08
摘要:本文討論了最新PrimePACKTM模塊如何集成到現有的逆變器平臺中,描述了集成控制和保護在內的逆變器模塊化架構概念。該模塊的機械特性允許對熱管理進行優化,進而充分發揮IGBT輸出電流能力
2018-12-03 13:56:42
。本文研究了在零溫度系數(ZTC)電流值下監測IGBT的解決方案。本文提出并測試了一種在線測量在ZTC電流值條件下的導通電壓的電路和方法,并給出了額定值為150A/1200V的IGBT功率模塊在流過正弦
2019-03-20 06:20:08
天津高價專業IGBT模塊回收 通信模塊收購公司IGBT模塊回收,通信模塊收購,IGBT模塊收購,回收通信模塊長期回收PLC 上門回收IGBT模塊功率模塊三菱 松下 歐姆龍PLC 規格不限,新舊不論
2021-01-11 20:07:12
工作。對實驗模塊進行了以下特性測試:- IGBT 集電極-發射極飽和電壓 (Vc sat) 在 25 和 150°C 的溫度下,集電極電流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom,柵極兩端
2023-02-22 16:53:33
看不出器件保護系統的能力有多強,關鍵取決于其二極管參數。主要的參考系數應該是:?快速響應時間?低箝位電壓?高電流浪涌承受能力選擇ESD器件應該遵循下面的要求:(1)選擇靜電保護器件注意:? 箝制電壓不要
2017-06-27 14:27:20
達 600 Vac 的低壓驅動器適用于額定電流高達 1000 A 且 Qg 高達 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性(+15 V 和 -8 V)閘極驅動器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能
2018-09-04 09:20:51
`很多客戶在購買法蘭靜電跨接線的比較糾結,不知道該如何選擇其規格,那么我們一起探討一下法蘭靜電跨接線的標準規格有哪些。我們先從長度來說,一般法蘭盤螺栓孔之間的距離為100mm左右,為了跨接線孔徑
2019-10-08 11:54:51
/400A的半橋模塊,表示其中的2個IGBT管芯的電流/電壓規格都是1200V/400A,即C1和E2之間可以耐受最高2400V的瞬間直流電壓。 不僅半橋模塊,所有模塊均是如此標注的。 3.全橋模塊
2019-03-05 06:00:00
`防爆法蘭跨接片,燃氣管道法蘭靜電跨接片,純銅材質,多種規格型號可供選擇。并接受特型訂做業務。產品導電性能優良。安裝方便,耐腐蝕,耐銹蝕。石油化工,燃氣等企業必選產品。法蘭靜電跨接線的產品簡介:法蘭
2018-12-01 11:16:38
IPM/IGBT應用中的問題IGBT的柵極驅動設計,采用驅動IC驅動,經過一級放大后驅動(用來驅動大電流模塊),2-1. 柵極驅動電壓VG開通電壓(正電壓):+VG= 15V (±10%)關斷電壓(負偏壓):-VG= 5~10V2-2.
2008-11-05 23:10:56122 HiPakTM高壓SPT IGBT 模塊的SOA 新基準
摘要院介紹了電壓額定值從2.5kV到6.5kV的新型高壓HiPakTM IGBT模塊系列遙新系列HiPakTM模塊采用了ABB最新研制的高壓SPT IGBT 和二
2009-11-11 10:38:536 IGBT模塊的使用要點:IGBT為電壓控制器件,其導通壓降隨正驅動電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 有效抑制IGBT模塊應用中的過電壓寄生雜散電感會使快速IGBT關斷時產生過電壓尖峰,通常抑制過電壓法會增加IGBT開關損耗或外圍器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5248 優化高電壓IGBT,優化高電壓IGBT是什么意思
中心議題:
優化高電壓IGBT
解決方案:
高側晶體管
2010-03-24 09:49:201162 本內容提供了富士電機IGBT模塊應用手冊 1 元件的構造與特性 2 富士電機電子設備技術的IGBT 3 通過控制門極阻斷過電流 4 限制過電流功能 5 模塊的構造 6 IGBT模塊電路構造
2011-04-15 16:25:31264 IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術拓展了IGBT的運用領域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 IGBT驅動電路的作用是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅動電路的作用對整個IGBT構成的系統來說至關重要
2017-06-05 14:21:1227214 了,由穿透型發展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發展,單管模塊,半橋模塊,6管模塊,到現在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜,需要考慮較多的因素,諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg,過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊
2017-11-14 14:20:2025 的重要因素。基于壓接式IGBT模塊雙脈沖測試平臺,介紹一種基于關斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結溫提取方法,分析壓接式IGBT芯片結溫和模塊關斷電流最大變化率間單調變化關系,并利用壓接式IGBT模塊封裝結構固有的寄生電感有效獲取關斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 目前已有場終止型絕緣柵雙極性晶體管( IGBT)行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型末專門針對中電壓大功率IGBT模塊搭建,不能準確模擬其區別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎上,提出
2018-03-08 09:21:360 及機車運行等的穩定安全性能。然而由于IGBT模塊在實際應用場合中需要承受反復的高電壓大電流,而IGBT模塊內部各種材料熱
2018-03-22 16:19:492 有導通壓降大、電壓與電流容量小的缺點。而雙極型器件恰怡有與之相反的特點,如電流控制、導通壓降小、功率容里大等,二者復合,正所謂優勢互補。 IGBT 管,或者IGBT模塊的由來,即基于此。
2018-05-18 13:12:0014868 本文將闡述IGBT模塊手冊所規定的主要技術指標,包括電流參數、電壓參數、開關參數極管參數及熱學參數,使大家正確的理解IGBT模塊規格書,為器件選型提供依據。本文所用參數數據以英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3為例。
2020-09-10 08:00:0030 來源:羅姆半導體社區? 本文研究了逆變器核心開關器件IGBT主要參數的選擇, 分析三相逆變電路拓撲及功率器件IGBT的應用特點,根據其特點選擇合適額定電壓,額定電流和開關參數。以及優化設計柵電壓
2023-02-02 14:36:211476 車輛運行時,特別實在擁堵的路況時的頻繁啟停,此時控制器的IGBT模塊工作電流會相應的頻繁升降,從而導致IGBT的結溫快速變化,對于IGBT模塊的壽命是個很大的考驗;
2021-02-01 13:58:034411 要想搭建一個優秀的電力電子系統,正確的功率器件選型首當其沖。然而很多新入行的同學恐怕會對IGBT冗長的料號略感頭痛,但實際上功率器件的命名都是有規律可循的。幾個字母和數字,便能反映比如電壓/電流等級
2021-04-01 14:26:1111657 的影響袁為 IGBT 模塊的實際工況運行優化設計以及功率能力評估提供參考遙同時袁還提出了一種驅動電阻的優化切換方法和一種最佳驅動電路和驅動參數的選擇方法遙
2021-05-17 09:51:1964 發展,有單管模塊、半橋模塊、高端模塊、低端模塊、6單元模塊等。合理的驅動保護是IGBT安全工作的前提條件,特別是選擇合理的柵極驅動電壓Uge和合理的柵極串聯電阻Rg,以及過電壓過電流保護尤為重要
2021-09-17 09:47:0310 IGBT的電流是器件基本參數之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了,但對于一位設計工程師是遠遠不夠的,而且業內充滿著誤解
2021-11-01 15:51:534122 IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經常使用在強電流高電壓的場景中,如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優點,IGBT是電力電子設備的“cpu”,被國家列為重點研究對象。
2022-02-16 15:50:112999 為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極G—發射極E間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。
2022-03-11 16:24:569845 MELSEC-L多輸入(電壓/電流/溫度)模塊用戶手冊 產品規格書
2022-08-26 16:20:320 IGBT模塊上下橋怎么區分 igbt模塊為什么做成上下橋在一起?因為IGBT在工作時由于他和整流橋的電流很大發熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來為它散熱,降低它的溫度。 IGBT(絕緣
2023-02-06 11:01:584836 IGBT的電流是器件基本參數之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。
2023-02-07 16:39:292949 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設備的接口。
2023-02-17 18:21:211011 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯二極管、驅動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據結構、電壓、電流、功率等參數進行分類。
2023-02-20 17:32:254883 , 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關速度快的特點。很多情況,由
于對IGBT關斷機理認識不清, 對關斷時間隨電壓和電流的變化規律認識不清, 導致無法解釋在使用過程中出現的電流拖尾長、
死區時間長等現象, 不能充分發揮IGBT的性能; 導致IGBT因使用不當, 燒毀。今天我們就IGBT關斷時的
2023-02-22 14:57:543 IGBT模塊在電力電子變流領域應用尤為廣泛,其吸收電容的選型計算成為熱點。由于IGBT模塊關斷時會產生較高的尖峰附加電壓,疊加在母線電壓上容易導致IGBT模塊燒毀(IGBT模塊開通時的尖峰附加電壓
2023-02-23 09:11:1216 當我們在選擇一款IGBT模塊做功率回路設計時,首先都會問到兩個最基本的參數,這個模塊是多少伏、多少安培的?
2023-05-16 16:54:247703 )組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點。GTR 飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET 驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V
2023-05-17 15:10:46958 BOSHIDA AC/DC電源模塊輸出電壓和電流的關鍵參數 BOSHIDA AC/DC電源模塊的輸出電壓和電流是關鍵參數,需要根據具體的應用需求進行選擇與匹配。 ?AC/DC電源模塊? 1. 輸出
2023-06-15 10:46:381131 根據IGBT的產品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 高功率、高電壓和高頻率的需求。
IGBT模塊的基本構成包括多個IGBT器件、驅動電路、保護電路和散熱結構。這些組件相互協作,使得IGBT模塊能夠在復雜的電力應用中發
2023-09-12 16:53:531805 逆變器IGBT模塊的應用分析(1)根據負載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規格的模塊。使用模塊前,請詳細閱讀模塊參數數據表,了解模塊的各項技術指標;根據模塊的技術參數確定使用方案,計算
2023-09-20 17:49:521052 igbt模塊的作用和功能 igbt有電導調制效應嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個IGBT晶體管、驅動電路和保護電路的半導體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號轉換成高電壓低電流的輸出信號,而且
2023-10-19 17:01:221318 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT的RCD緩沖電路各元件參數選擇? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導體器件。它由一對PNP
2023-11-20 17:05:44545 模塊的方案設計,包括電路設計、組件選擇和安全考慮等方面。 二、電路設計 電源電路設計 高速風筒的電源電路通常采用開關電源設計,以提供所需的電壓和電流。在選擇開關電源時,應考慮到功率要求、效率和穩定性等因素。常見的開關電源
2023-12-01 14:34:47261 、絕緣基板、驅動電路和封裝材料等組成。 選擇適合的IGBT模塊需要考慮多個因素,包括額定電壓、額定電流、最大耗散功率、開
2024-01-18 17:31:231082 Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有異質結的管子功率特性。IGBT也是一個開關器件,可以在高電壓和高電流條件下工作,并且被廣泛應用于各種電力電子設備中。 IGBT由三個主要區域組成
2024-02-01 13:59:45458 斷路器規格型號參數和斷路器電流的選擇標準 斷路器是一種電氣保護裝置,用于保護電路和電氣設備免受過載、短路和地故障的損害。選擇合適的斷路器規格型號參數和斷路器電流是確保電氣安全和設備穩定運行的關鍵因素
2024-02-03 09:39:48464 聊聊什么是IGBT的膝電壓? IGBT是一種半導體器件,常用于功率放大和電流控制應用。作為一種開關器件,IGBT能夠在低驅動電壓下實現較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關鍵的特性之一,本文將對
2024-02-03 16:23:43288 選擇合適的隔離電壓,有效防止電流、電壓突變對其他電路的影響 BOSHIDA 源模塊隔離電壓指的是電源模塊的輸入和輸出之間的電壓隔離。在電源模塊中,輸入端和輸出端是通過隔離元件,如變壓器或光耦等,實現
2024-03-07 09:08:09122 選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個方面: 電壓等級:選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級。通常情況下,IGBT的額定電壓等級應大于實際電路中的最高電壓。 電流容量:根據電路的負載電流,選擇
2024-03-12 15:29:08155 型號和規格,以確保其穩定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數的考慮,下面將詳細介紹這些參數。 額定電壓(Vce):這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據應用需求,選擇的IGBT型號的額定電壓應大于應用中最高電壓。 額定電流(Ic):這是指IGBT能夠承受的最大連續電流。根據應用需求,選擇的
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