美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
快恢復二極管HFD2020ED（可完全替換D94-02/FML4204S），電壓400V，電流20A，快恢復時間短（25ns），開關速度快，高浪涌特性，低開關損耗和電磁干擾，可靠性高。可應用
2020-09-24 16:21:10
二極管或阻尼二極管使用。起到高頻整流、續流、吸收、隔離和箝位的作用。 二極管MUR3040WTG特性 超快恢復時間35~60ns 工作結溫175℃ 標準TO-247封裝 600V高電壓
2020-09-24 16:19:53
STTH30R04快恢復二極管，電壓400V，電流30A，TO-220封裝，反向恢復時間快，降低開關和導通損耗，快速開關，低反向漏電流，結溫高。主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等
2020-09-24 16:18:20
恢復二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產的具有極低反向漏電、極短反向恢復時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設計和生產的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
~150攝氏度。6N65的電性參數是：連續二極管正向電流(IS)為6A，漏源電壓為650V，二極管正向電壓(VSD)為1.4V，其中有3條引線。 6N65參數描述型號：6N65封裝：TO-220特性
2021-10-23 15:17:05
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產，1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
我的兩個二極管的管子上絲印是V6 71，L4 69（插件），這是什么樣的二極管呢？我該怎么確定的，告急。
2013-09-03 14:00:20
大電流二極管貼片的封裝SMC或DO-214AB的,反向壓降1000V以上,電流6A以上,正向壓降小于0.5V.哪位大神知道請相告.
2015-06-18 17:41:40
快恢復二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復時間短（20ns），開關速度快，降低器件的開關損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調節系統
2020-09-24 16:10:01
快恢復二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復時間50ns，TO-3PF封裝。開關速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
快恢復二極管HFD8060P（可完全替換MUR8060PT/STTH100W06C），電壓600V，電流80A，超快恢復時間，低漏電流，高浪涌特性，開關特性好，低功耗及射頻干擾。可應用于低電壓
2020-09-24 16:04:45
承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。整流二極管整流二極管是一種將交流電能轉變為直流電
2023-02-17 14:08:01
升壓等開關電源應用1）如下圖是BOOST升壓電路，FR154為400V/1.5A快恢復二極管，起到防止電流倒灌作用2）在RCD等鉗位吸收回路應用，如下圖D1/UF4007與R1、C2組成吸收回路二
2023-02-16 14:56:38
升壓等開關電源應用1）如下圖是BOOST升壓電路，FR154為400V/1.5A快恢復二極管，起到防止電流倒灌作用2）在RCD等鉗位吸收回路應用，如下圖D1/UF4007與R1、C2組成吸收回路二
2023-02-20 15:22:29
、6.2V穩壓二極管代換。3.開關二極管的代換開關二極管損壞后，應用同型號的開關二極管更換或用與其主要參數相同的其它型號的開關二極管來代換。高速開關二極管可以代換普通開關二極管，反向擊穿電壓高的開關二極管可以代換反向擊穿電壓低的開關二極管。快恢復二極管規格書下載：
2021-07-07 14:58:27
0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。快恢復二極管規格書下載：
2022-03-31 10:04:12
正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小
2015-11-27 17:55:42
二極管的好壞。其實快恢復二極管的檢測方法與塑封硅整流二極管是相同的，即先用Rx1k擋檢測一下其單向導電性，一般正向電阻為幾千歐左右，反向電阻為無窮大；再用Rx1擋復測一次，一般正向電阻為幾歐，反向電阻仍
2021-06-25 17:46:42
`編輯-Z不同類型的二極管有不同的特性參數。選用DH40-18A二極管必須了解以下幾個主要參數： DH40-18A參數描述型號：DH40-18A封裝：TO-247特性：大功率快恢復二極管電性參數
2021-07-24 13:48:34
：ITO-220AC特性：超快恢復二極管電性參數：8A，600V芯片材質：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個數：1正向電壓(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌電流Ifsm：125A漏電流(Ir
2021-09-01 15:56:11
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現更高的開關頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，極低反向電流 ，無反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
MOS數字電路設計,并采用E極驅動方式驅動雙極型晶體芯片,以提高高壓開關管的安全耐壓值。內建自供電電路，不需要外部給芯片提供電源，有效的降低外部元件的數量及成本。 DK112 5V2A快充移動電源芯片
2016-03-11 16:17:53
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
故障。在這方面， TVS二極管就非常適用。例如，在擊穿電壓為6.2?V時， ESD5Z5.0T1.G能在幾納秒時間內就對符合IEC61000-4-2標準的高達30?kV的輸入電壓進行鉗位，且鉗位電壓可
2021-11-02 14:51:31
編輯-ZSFF2004在ITO-220AB封裝里采用的2個芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢復二極管。SFF2004的浪涌電流Ifsm為200A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍
2021-09-02 16:15:09
編輯-ZSFF806A在ITO-220AC封裝里采用的1個芯片，是一款超快恢復二極管。SFF806A的浪涌電流Ifsm為125A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度
2021-09-15 16:42:02
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關開關? VF上的正溫度系數? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等
2018-10-29 08:51:19
高速信號應用，實現低電容性能。這些低電容ESD保護二極管的儲存溫度范圍為-55°C至+150°C。ESD二極管的工作結溫為150°C，峰值脈沖功率為100W，峰值脈沖電流為4A。典型應用包括智能手機
2020-05-21 11:01:21
嗨我正在努力設計電路，我試圖使用Viper12電路運行3x 24V指標。我把電路設置如下：這個想法是前置電路在650V時引入齊納二極管，將Viper電路的輸入偏移400V，然而，當發生這種情況時，齊
2018-10-10 17:54:04
比如我想用光敏二極管接收650nm的光線，該采用什么類型的光敏二極管呢？最好有型號，封裝信息的，這個光敏二極管越小越好！！！
2015-04-29 14:59:32
電子設備和工業設備。目前推出的650V耐壓產品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優勢組合，高頻開關減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
2023-02-22 15:27:51
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
電場而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
（16A400V）只能做一下幾種封裝：TO-220的鐵封和塑封、TO-252。Type封裝所屬分類MUR1640FCTITO-220AB快恢復二極管MUR1640CTTO-220AB快恢復二極管
2016-12-14 11:45:54
參數描述型號：D92-02封裝：TO-247/3P特性：超快恢復二極管電性參數：20A，200V芯片材質：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個數：2正向電壓(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為
2019-06-12 02:34:10
用萬用表二極管檔量測，一個二極管，正向0.6V,反向1.9V,想問一下這是什么二極管？不用懷疑二極管二極管已經壞掉，因為裝有該二極管的產品可以正常使用，拆掉或換其它的二極管，產品無法工作。
2016-04-28 10:47:54
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
`海飛樂技術快恢復二極管現貨替換DSEP8-12A海飛樂技術目前產品范圍包括有：快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋變頻
2019-04-26 10:02:54
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
的工作點，緩沖功率是二極管電容和Trr的函數。對于本文詳述的PSFB，對于500V/20A輸出的工作點，分析模型可用于預測二極管電容和Trr的緩沖損耗。這樣就可以比較三種二極管類型的行為，如圖6所示。圖6
2023-02-22 17:13:39
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數均相當于或優于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
。 正向導通壓降VF：衡量二極管正向導通性能最重要的參數，對工程師而言，需要更關注VF與Tj的依賴性關系。這里以基本半導體650V 10A TO-220封裝碳化硅肖特基二極管為例進行說明。 圖（5
2023-02-28 16:55:45
基于基本半導體碳化硅肖特基二極管1D20065K（650V/20A），電流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢復二極管（環境溫度25℃） 碳化硅肖特基二極管（環境溫度25℃） 硅快恢復二極管在
2023-02-28 16:34:16
`肖特基二極管DFLS260-7, 最大連續正向電流2A, 峰值反向重復電壓60V, 表面貼裝安裝, PowerDI 123封裝, 2引腳產品技術參數安裝類型表面貼裝封裝類型PowerDI 123
2020-11-02 10:14:46
僅0.4v（0.4--1.0V）左右，而整流電流卻可達到幾千安。而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。快恢復二極管是什么？快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下
2016-04-19 14:29:35
NPN:VCE 大于等于7.5VPMOS：VDS大于等于7.5V，ID大于等于4A二極管2：VDZ2 = 10V,500mW二極管1：VDZ1 = 3.6V,500mW
2017-06-09 18:02:35
我發現現在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復二極管已經可以通吃整個二極管應用了？
2019-05-16 00:12:23
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關頻率范圍內（通用應用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
SVF4N65F 場效應管特點■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關速度快■ 提升了dv/dt能力驪微電子供應
2022-03-30 15:29:34
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續正向電流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續正向電流6A，工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
650V,8A,-263-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術是為高性能電力電子應用而優化的,包括服務器電源、電動汽車充電系統、儲能系統、太陽能(PV
2023-07-26 11:18:14
650V,8A,到220-2包,第六代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術是為高性能電力電子應用而優化的,包括服務器電源、電動汽車充電系統、儲能系統、太陽能(PV
2023-07-26 14:51:51
650V,10A,QFN包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術是為高性能電力電子應用而優化的,包括服務器電源、電動汽車充電系統、儲能系統、太陽能(PV
2023-07-26 14:59:31
650V,10A,到220-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術是為高性能電力電子應用而優化的,包括服務器電源、電動汽車充電系統、儲能系統、太陽能
2023-07-26 15:41:25
650V,20A,到220-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術是為高性能電力電子應用而優化的,包括服務器電源、電動汽車充電系統、儲能系統、太陽能
2023-07-26 16:16:20
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26731 
?正溫度系數，易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
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正溫度系數，易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:021767 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55615 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539 
Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。 優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34695 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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工商網監
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