2020全球半導體產業(重慶)博覽會 展會主題:“芯”動力 新發展一、時間、地點、規模時間:2020年5月7日-9日地點:重慶國際博覽中心展會規模:展示面積30000㎡,參展企業達500家,專業觀眾
2019-12-10 18:20:16
半導體材料可分為單質半導體及化合物半導體兩類,前者如硅(Si)、鍺(Ge)等所形成的半導體,后者為砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物形成。半導體在過去主要經歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表,相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前,西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導體,其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
半導體二極管按其結構的不同可分為點接觸型和面接觸型兩類。 點接觸型二極管是將一根很細的金屬觸絲(如三價元素鋁)和一塊半導體(如鍺)熔接后做出相應的電極引線,再外加管殼密封而成。其結構圖如圖(a
2021-05-13 07:52:35
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件,當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時,在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量,可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術,其特點是無運動部件,可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么?半導體制冷片有哪些優缺點?
2021-02-24 09:24:02
什么呢?一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。半導體通常采用矽當導體,因為化學元素的矽晶體內,每個原子都能貢獻四個價電子,而矽原子內部原子核帶有四個正電荷。相鄰原子間的電子對,構成了原子間
2018-11-08 11:10:34
在制造半導體器件時,為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體,使之導電性極差,然后再用擴散工藝在本征半導體中摻入雜質形成N型半導體或P型半導體改善其導電性?
2012-07-11 20:23:15
不同廠商有不同的應用場景,而適合構架和解決方案也各不相同,如云側和端側處理構架的設計導向差別較大。對于半導體領域,只要市場規模足夠大,有足夠多的客戶買單,那么就有足夠的動力去做相應的硬件定制。下面對以Nvidia和Intel為代表的半導體廠商方案進行論述。
2019-08-09 07:40:59
器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺
2021-05-25 07:46:36
”對越多;在室溫下,“電子—空穴”對少,故電阻率大。2. 摻雜半導體及其特點 (1) N 型半導體:在本征硅或鍺中摻入適量五價元素形成 N 型半導體, N 型半導體中電子為多子,空穴為少子;電子的數目
2021-05-24 08:05:48
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-20 08:01:20
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件,廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領域。本文將從TSS的定義、工作原理、應用場景等多個方面進行詳細介紹,幫助大家更好地了解這一電子元件。接下來
2024-03-06 10:03:11
的電壓下降到一定程度時,PN結或P-i-N結的電場會恢復正常,電流也會停止并恢復到初始狀態。三、半導體放電管TSS在電力電子領域中的應用TSS廣泛應用于電力電子領域中,它被用于開關變換器、逆變器、直流
2024-03-06 10:07:51
半導體材料從發現到發展,從使用到創新,擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初,就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用,是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成,成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
閾值叫死區電壓,硅管約0.5V,鍺管約0.1V。(硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導體材料,硅管較多,鍺管較少)也就是我們在二極管整流得時候理想是,整個周期都是導通的,但是由于死區電壓的存在,實際上并不是全部導通的,當半導體電壓
2021-09-03 07:21:43
作者: Robert GeeMaxim Integrated核心產品事業部執行業務經理 在半導體測試領域,管理成本依然是最嚴峻的挑戰之一,因為自動化測試設備(ATE)是一項重大的資本支出。那么,有沒有能夠降低每片晶圓的成本,從而提升競爭優勢的方法呢?有,答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
、能耗低、電光轉換效率高、易于大規模生產以及價格較低廉等優點,在CD激光唱片機、光纖通信、光存儲器、激光打印機等獲得廣泛應用,范圍覆蓋了整個光電子學領域。隨著技術的不斷發展和突破,半導體激光器正向發射波長
2019-04-01 00:36:01
之一摩爾曾在1965年作出預言:半導體將會得到高速發展,電子學會隨之獲得廣泛的普及,滲透到寬廣的應用領域中。從半個世紀之后再往回看,這一預言早已得到了完美印證。雖然光纖激光器優勢市場潛力很大,不過
2019-05-13 05:50:35
半導體具有獨特的導電性能。當環境溫度升髙或有光照時,它們的導電能力 會顯著增加,所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件(如熱敏電阻)和各種光 敏元件(如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。更重
2017-07-28 10:17:42
半導體具有獨特的導電性能。當環境溫度升髙或有光照時,它們的導電能力 會顯著增加,所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件(如熱敏電阻)和各種光 敏元件(如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。更重
2018-02-11 09:49:21
半導體溫差致冷是建立在法國物理學家Peltien帕爾帖效應(即溫差效應)基礎上的具體應用。當電流流經兩種不同性質的導體形成接點時,其接點會產生放熱和吸熱現象,即其兩端形成溫差而實現制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
國際半導體芯片巨頭壟斷加劇半導體芯片產業呈現三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
半導體是什么?芯片又是什么?半導體芯片是什么?半導體芯片內部結構是由哪些部分組成的?
2021-07-29 09:18:55
年代,當材料的提純技術改進以后,半導體才得到工業界的重視。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅則是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip),又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
` 誰來闡述一下半導體集成電路是什么?`
2020-03-24 17:12:08
掙脫束縛,會導致載流子濃度上升,從而打破這個平衡,溫度一定后會再次建立平衡。雜質半導體通過擴散工藝,在本征半導體摻入某些元素。一 .N型半導體在本征半導體加入+5價元素磷,由于加入了最外層為5個電子
2020-06-27 08:54:06
鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來,是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料,應用領域非常廣泛,尤其在新一代移動設備中,是良好的高功率放大器,例如:下變頻
2019-05-28 06:06:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅(Si)和第二代化合物半導體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多:半導體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
負有盛名。MACOM公司氮化鎵產品已經是第四代,且極具價格優勢和廣闊的應用前景。2017 電子設計創新大會展臺現場Demo關于MACOM據悉,MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學半導體產品領域
2017-07-18 16:38:20
N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。 在純凈的電子發燒友體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導體。在N型半導體中
2016-10-14 15:11:56
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
物理形狀的東西,比如說具有立方體形狀的啊等等,這個特性再加上這個半導體是純凈的無雜質那它就是本征半導體了。在化學周期表中通常具有正四價的物質那就可以當作半導體來用了比如說硅鍺等,它們的原子結構的最外層
2011-03-26 20:36:16
構成的半導體,其中對硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體資料,容易遭到微量雜質和外界條件的影響而發作變化。目前,只要硅、鍺性能好,運用的比擬廣,硒在電子照明和光電范疇中應用。硅在
2020-03-26 15:40:25
、3-三極管 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
為什么就不能在半導體中摻雜四價元素或六價元素?
2012-11-25 13:30:00
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導體材料,然而,鍺砷化物是專門用于高速,非常大規模集成電路(VLSI)設計。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導體材料
2022-04-04 10:48:17
哪種半導體工藝最適合某一指定應用?對此,業界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49
正方形子組件可能僅包含一種半導體材料或多達整個電路,例如集成電路計算機處理器。劃刻并切割用于生產電子元件(如二極管
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應的半導體磁電轉換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中,半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
(SiC)和氮化鎵(GaN)是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比,兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流,從而可以提高半導體工作溫度。此外,SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
芯片和cpu制造流程芯片芯片屬于半導體,半導體是介于導體和絕緣體之間的一類物質。元素周期表中的硅、鍺、硒的單質都屬于半導體。除了這些單質,通過摻雜生成的一些化合物,也屬于半導體的范疇。這些化合物在
2021-07-29 08:32:53
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS)和硅鍺異質結雙極晶體管(SiGe HBTs)。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅(SOI)芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管(GaAn HFET)功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件,用于當前和未來軍事系統,如衛星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
安森美半導體已成為主要汽車半導體技術的一個全球領袖。 安森美半導體是自動駕駛系統的圖像傳感器、電源管理和互通互聯領域的一個公認的佼佼者。此外,公司的廣泛電源方案組合,包括模塊和碳化硅(SiC)/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
半導體來說更重要,因為這將是公司最近收購Fairchild半導體以來的首次展示。即使在行業氣候中,通過收購來合并正成為一種常見路線,而安森美半導體擴展的業務中,中高壓器件領域的產品陣容大大增強,令公司在
2018-10-23 09:14:38
全球汽車市場發展整體向好,汽車中的半導體含量將持續增長,尤其是動力系統、照明、主動安全和車身應用領域。新能源汽車推動汽車動力系統中半導體成分增高約5倍。燃油經濟性、先進駕駛輔助系統(ADAS)、便利及信息娛樂系統,以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場,推動全球汽車半導體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
常用的功率半導體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
`砷化鎵GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍,非常適合
2016-09-15 11:28:41
行業的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生,它不僅揭示了信息技術進步的速度,更在接下來的半個實際中,猶如一只無形大手般推動了整個半導體行業的變革。
2019-07-01 07:57:50
,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1:氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體,于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
群“芯”閃耀的半導體行業行業全接觸——電子技術與半導體行業 半導體半導體是指常溫下導電性介于導體和絕緣體之間的材料。主要的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺復合材料等。半導體器件可以通過結構和材料上
2008-09-23 15:43:09
模擬電子復習總結(一):半導體二極管一、半導體的基礎知識1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體----純凈的具有
2019-07-10 19:15:30
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發到商業化應用,氮化鎵的發展是當下的顛覆性技術創新,其影響波及了現今整個微波和射頻行業。氮化鎵對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響,并實現了利用傳統半導體技術無法實現
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
一、化合物半導體應用前景廣闊,市場規模持續擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作為第二代和第三代半導體的主要代表,因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
,載流子的產生和復合達到動態平衡。8、N型半導體是在硅或鍺的晶體中摻入磷(或其他五價元素),半導體中的自由電子數目大量增加,自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式,也稱作電子半導體。在N型半導體中
2016-10-07 22:07:14
知識點1:導體、半導體、絕緣體電阻率半導體的電阻率為10-3~10-9 歐.cm。 典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。導體是相對的。知識點2:本征半導體——化學成分純凈的半導體。制造
2020-01-08 10:52:03
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
,有望占據主要市場份額;在其他對輸出功率要求相對較低的領域,將形成GaAs和GaN共同主導的格局。現階段在整個射頻市場,LDMOS、GaAs和GaN幾乎三分天下,但未來LDMOS的市場份額會逐漸縮小
2019-04-13 22:28:48
和電池就好比是人的心臟。而功率器件就好比是人的血液和神經系統。而三代半導體就是在這個領域在未來取代部分的硅器件為整個系統提供更加優良的解決方案的核心材料。經過幾十年的發展,硅材料已經接近完美晶體,對于
2017-05-15 17:09:48
或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。物質存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。物質存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導電性差的材料,如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。 半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展,高頻電路應用越來越廣,今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導性的元素,下表的黑框中即這11種元素半導體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導體兩種形態;B、Si、Ge、Te具有半導性;Sn、As、Sb具有半導體與金屬兩種形態。P的熔點與沸點太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解,所以它們的實用價值不大。
2018-03-08 10:47:1827358 在電子學領域中,半導體扮演著至關重要的角色。然而,為何它們被稱為“半導體”而不是“全導體”呢?本文將詳細探討半導體的定義、特性及其應用,以揭示這一命名背后的奧秘。
2023-12-08 11:01:59547 半導體材料是一種在電子行業中使用廣泛的材料,在元素周期表中它們的位置屬于一些特定的元素群。半導體材料的特殊性使其成為電子設備制造中不可或缺的材料之一。本文將詳盡地探討半導體材料在元素周期表中的位置
2024-01-15 16:55:19666
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