科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:16
1086 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
的平行引導(dǎo)，整個(gè)封裝的換向電感為15nH。 這使得 SEMITRANS 3 非常適合使用中等開(kāi)關(guān)速度和高達(dá) 25 kHz 頻率的中功率和高功率碳化硅設(shè)計(jì)。全碳化硅半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的額定電流為 350A
2023-02-20 16:29:54
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。 (3)碳化硅有高的熱導(dǎo)率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿(mǎn)好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
作用下的界面完整性；此項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)對(duì)碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應(yīng)用于汽車(chē)的模塊。AC/PCT（高溫蒸煮測(cè)試） 高溫蒸煮測(cè)試是把被測(cè)對(duì)象放進(jìn)高溫高濕高氣壓的環(huán)境中，考驗(yàn)晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹(shù)脂材料
2023-02-28 16:59:26
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車(chē)逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車(chē)輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
。 功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí)，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢(shì)，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來(lái)制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
上，對(duì)介電常數(shù)要求嚴(yán)格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無(wú)法滿(mǎn)足他們的要求，需要一種性能更好的升級(jí)產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應(yīng)汽車(chē)需求而特別開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。 在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管關(guān)鍵參數(shù)解讀 從應(yīng)用角度來(lái)說(shuō)，在選擇器件時(shí)，需要優(yōu)先考慮器件能否滿(mǎn)足應(yīng)用要求，然后考慮器件對(duì)設(shè)備整體性能的提升幅度，綜合這兩個(gè)因素，列舉如下二極管的關(guān)鍵參數(shù)： 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開(kāi)始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來(lái)，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
碳化硅已被證明是高功率和高壓器件的理想材料。然而，設(shè)備可靠是非常重要的，我們不僅指短期，而且還指長(zhǎng)期可靠性。性能，成本和可制造性也是其他重要因素，但可靠性和堅(jiān)固性是碳化硅成功的關(guān)鍵。全世界有超過(guò)30
2019-07-30 15:15:17
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來(lái)，因?yàn)樾履茉雌?chē)、光伏及儲(chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
效率方面，相較于硅晶體管在單極(Unipolar)操作下無(wú)法支持高電壓，碳化硅即便是在高電壓條件下，一樣可以支持單極操作，因此其功率損失、轉(zhuǎn)換效率等指針性能的表現(xiàn)，也顯著優(yōu)于硅組件。目前大功率電力設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車(chē)輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái)，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車(chē)充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場(chǎng)合性?xún)r(jià)比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶(hù)在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別適用于對(duì)功率密度提升有需求，同時(shí)更強(qiáng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能簡(jiǎn)化高壓輸入隔離DC/DC變換器拓?fù)淝揖邆涓咝堋⒏呖煽啃缘让黠@優(yōu)勢(shì)，適合應(yīng)用在中大
功率新能源領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)如下：
碳化硅MOSFET高阻斷電壓（一般大于1000V)能夠簡(jiǎn)化拓?fù)?/div>
2016-08-05 14:32:43
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性，需要通過(guò)封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)的高效、高可靠連接，才能得到完美展現(xiàn)，而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時(shí)面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
是一個(gè)接近正弦半波的波形，它的峰值電流非常高，而次級(jí)側(cè)并沒(méi)有濾波電感，因而需要更大的輸出濾波電容。較大峰峰值電流會(huì)增加輸出電容，同時(shí)帶來(lái)輸出電解電容壽命和可靠性的問(wèn)題。 2. 碳化硅MOSFET在諧振
2016-08-25 14:39:53
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:50
17 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車(chē)的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章： 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品：TDK-Lambda CUS350MP-1000醫(yī)療和工業(yè)電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊。
2022-08-04 09:51:111460 碳化硅功率MOSFET芯片G1M080120S產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 09:50:535 來(lái)源：中國(guó)電子報(bào) 日前，國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成，未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872 電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司于近日宣布，將在 AMP 電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。
2022-11-14 10:55:28302 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-05-19 11:27:34548 現(xiàn)在，工程師比以往任何時(shí)候都更多地選擇基于碳化硅 （SiC） 的產(chǎn)品，因?yàn)樗鼈儽然诠?（Si） 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益。除了SiC和Si之間常見(jiàn)的基本設(shè)計(jì)原則，以及需要牢記SiC的不同特性、功能和優(yōu)勢(shì)之外，工程師還必須進(jìn)行建模和仿真，以確保它們能夠滿(mǎn)足其設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-05-24 09:21:091249 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 8.2.6功率MOSFET的實(shí)施：DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)
2022-02-28 11:20:021054 
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來(lái)越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì)，盡可能
2022-11-30 15:28:282648 
來(lái)源：碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列針對(duì)高功率應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、高電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、測(cè)試設(shè)備、不間斷電
2023-07-06 10:35:14375 長(zhǎng)達(dá) 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)模化生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強(qiáng)化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡(jiǎn)化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00320 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 共讀好書(shū) 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
英飛凌和美國(guó)碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明，延長(zhǎng)并擴(kuò)大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)合同。該合作內(nèi)容還包含了一份多年的產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。
2024-01-24 14:26:31302 上漲。 ? 近期，包括羅姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光電、天岳先進(jìn)等國(guó)內(nèi)外企業(yè)紛紛披露碳化硅項(xiàng)目最新進(jìn)展，其中多起投資金額超百億元人民幣。就在這幾日，市場(chǎng)消息顯示，瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議，碳化
2023-07-07 01:15:00943 
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