`肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
、柔性輸電等新能源領域中應用的不斷擴展，現代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環境時仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應用方面的最大優勢在于近乎理想的動態特性。在反向恢復瞬態，當二極管從正向導通模式轉變為反向阻斷模式時，有很低的反向恢復時間，而且在整個工作溫度范圍內保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
` 肖特基二極管也叫熱載流子二極管，通過金屬和半導體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘從而實現整流。相對于普通的PN結二極管，肖特基二極管的反向恢復“慣性”很低。因此肖特基二極管適合于高頻整流或者
2019-01-02 13:57:40
分類和特性肖特基勢壘二極管快速恢復二極管Si晶體管分類和特性高耐壓MOSFET晶體管的選擇方法選擇流程SOA、額定、溫度發揮其特征的應用事例Si二極管和MOSFET的種類非常多，耐壓和電流變動幅度也很大
2018-11-28 14:34:33
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
電源系統應用實現小型與更低損耗的關鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現高耐壓，從而同時實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩定工作。
2019-07-23 04:20:21
VF特征的肖特基勢壘二極管，下面將分別予以說明。雖然作了上述分類，但原則上，Si二極管均屬由陽極和陰極構成的元器件，表示其本質功能和特性的項目基本相同。那么“究竟有什么區別呢？”，答案就是“根據
2018-12-03 14:30:32
種同時放在腦里。可以理解為基本的功能加上各種各樣的形狀來補充。1. 按頻率分類最基本的分類方法。二極管根據其特性分為整流二極管、開關二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為
2019-04-12 00:31:05
。二極管根據其特性分為整流二極管、開關二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應用微細化，被要求使用更高性能的保護元件
2019-05-06 09:15:49
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
凌訊MBR系列肖特基勢壘整流器（標準肖特基）是基于硅肖特基二極管技術的最新器件。肖特基勢壘整流器是非常受設計人員歡迎的器件，因為其具有極快的開關速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管、穩壓二極管、瞬態二極管之間的區別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬-半導體器件。肖特基整流管的結構
2021-11-15 06:47:36
` 在電子產品生產中，都會用到一種材料，它也因此被譽為電子行業的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復
2019-02-20 12:01:29
`肖特基二極管又被稱為肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），是一種低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極管最顯著的特點是反向恢復時間極短，正向導通壓降僅為0.4V左右。下面小編為大家介紹一款PFC的肖特基
2018-09-06 10:17:48
肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V
2020-10-28 09:13:12
，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。現有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導體器件，其反向恢復時間可小到幾個納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基勢壘。 三、肖特基二極管的應用 肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流轉換器，以及作為續流二極管和極性保護二極管使用。此外，肖特基二極管還廣泛用于筆記本電腦的電源適配器、液晶電視和液晶顯示器電源、電動車電瓶充電器以及數字衛星接收機和機頂盒的電源等等。`
2018-12-27 13:54:36
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢壘二極管
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、打電流整流（或續流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管
2020-10-27 06:31:18
1.成本 目前肖特基二極管廣泛應用的最大障礙還是成本。可以說，如果肖特基二極管的成本能夠降到接近于硅器件的水平,那么很多問題就能迎刃而解，而不會是今天這個局面。目前最典型的Sic肖特基=_極管產品
2018-11-14 14:54:30
。 肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2019-02-18 11:27:52
的電功率在金屬和半導體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導體二極管(例如：表現出歐姆電阻行為的歐姆接觸)為轉移提供了更大的勢壘。由于這種特性，肖特基二極管主要用于以下兩個領域：1)整流，即在
2017-04-19 16:33:24
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
和贊許，成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V，反向電壓（VR）也均為
2019-07-23 04:20:37
的影響。 3. 伏安特性一般地肖特基勢壘二極管的伏安特性可表示為 與理想金半接觸伏安特性公式（2-29）相比較式（2-39）多了一個修正因子n。對于理想的肖特基勢壘n=1 當勢壘不理想時n》1且
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產生
2018-12-03 14:31:01
肖特基勢壘二極管結構符號用途?特征對電源部的二次側起到整流作用。低VF（低損耗）、IR大。開關速度快。一般的二極管是利用PN接合來發揮二極管特性，而肖特基勢壘二極管是利用了金屬和半導體接合產生
2019-04-30 03:25:24
形成的勢壘層為基礎制成的二極管，也稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬半導體結二極管。PS2045L主要特點是正向導通壓降小、反向恢復時間短、開關損耗低。它是一種低功耗、超高速的半導體器件，缺點是耐壓比較
2021-11-26 16:28:38
編輯-Z肖特基二極管是什么？肖特基二極管（肖特基勢壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導體器件。這種器件是由多數載流子傳導的，所以它的反向飽和電流比由少數載流子傳導的PN結大得多。由于肖特基二極管中
2021-10-18 16:45:00
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z一、什么是MBR10100FCT肖特基二極管肖特基二極管MBR10100FCT（肖特基勢壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導體器件。這種器件是由多數載流子傳導的，所以它的反向飽和電流比由
2021-09-11 16:42:45
制成的二極管。也稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬-半導體結二極管。MBR20200FCT主要特點是正向壓降小、反向恢復時間短、開關損耗低。MBR20200FCT是一種低功耗、超高速的半導體器件，缺點
2021-09-13 17:01:40
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結勢壘，肖特基二極管的正向傳導閾值電壓和正向壓降均低于PN結勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。肖特基二極管規格書下載：
2022-01-18 10:35:14
二極管的結電容分兩種：勢壘電容和擴散電容。而一般數據手冊給到的結電容參數，通常指的是勢壘電容。上面這個是ES1J超快恢復二極管數據手冊的結電容參數Cj=8pF。同時我們知道，對于常用的二極管來說
2021-10-08 10:37:02
二極管是作為單向開關的兩端設備。肖特基是一種金屬-半導體二極管，以極低的正向電壓著稱，其中金屬形成陽極，n 型半導體充當陰極。這種二極管是以德國物理學家華特·蕭特基命名的。它也被稱為肖特基勢壘二極管
2022-03-19 22:39:23
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二極管是利用金-屬半導體接面做為肖特基勢壘，而發生整流的效果，和普通二極管中由半導體-接面產生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，能夠提高切換的速度
2018-11-05 14:29:49
與Si的比較開發背景SiC的優點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
的需求，在中國構建了與羅姆日本同樣的集開發、生產、銷售于一體的一條龍體制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20，兩者二極管的反向電壓都為20V，正向
2019-04-17 23:45:03
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
耗散，因此降低了熱和電傳導損耗。它的高結溫能力提高了高環境溫度下或無法獲得充分冷卻的應用中的可靠性。肖特基二極管的應用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
電路損耗，提高電路工作頻率。在PFC電路中用SiC SBD（肖特基勢壘二極管）代替原來的硅FRD（快速恢復二極管）可以使電路在300kHz以上工作，效率基本保持不變，而使用100kHz以上硅FRD的電路效率急劇下降。隨著工作頻率的增加，電感器等無源元件的體積相應減小，整個電路板的體積減小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
了參數的一致性。肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，肖特基二極管被廣泛應用于變頻器、開關電源、驅動器等電路，作為低壓、高頻、大電流
2018-10-19 11:44:47
減少，反向恢復時間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢壘二極管的簡稱，它的構造原理與普通PN結二極管有著很大區別：其內部是由陽極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
保護元件具備更高性能，在這種趨勢下逐漸拉大與TVS (Transient Voltage Suppressor) 的差別。特點只有ZD利用了反向特性。肖特基勢壘二極管高頻二極管
2019-04-11 00:08:21
的SBD系列映射圖。請使用以下鏈接了解各系列詳情。電源系統Si肖特基勢壘二極管超低VFRBxx1系列[tr]低VF[td]RBxx5系列[tr]低IR[td]RBQ系列（新產品）[tr]超低IR[td
2018-12-04 10:10:19
一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導體器件，其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒)。正向導通壓降僅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導體器件，其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
本人想了解下肖特基勢壘二極管制造技術和工藝，望高手指點
2011-02-23 22:07:19
應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復特性在內，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC
2018-12-05 10:04:41
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
有什么區別呢?今天就讓立深鑫帶領大家一起去分析一下肖特基二極管與一般整流二極管相比特別之處在于哪里? 肖特基二極管是利用金屬半導體接面作為肖特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二二極管中由半導體
2018-10-22 15:32:15
肖特基勢壘二極管結構符號用途?特征對電源部的二次側起到整流作用。低VF（低損耗）、IR大。開關速度快。一般的二極管是利用PN接合來發揮二極管特性，而肖特基勢壘二極管是利用了金屬和半導體接合產生
2019-04-11 02:37:28
肖特基二極管包括普通功率肖特基勢壘二極管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、結勢壘控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky，JBS
2019-02-12 15:38:27
理想的開關。肖特基二極管最重要的兩個性能指標就是它的低反向恢復電荷(Qrr)和它的恢復軟化系數。 低Qrr在二極管電壓換成反向偏置時，關閉過程所需時間，即反向恢復時間trr大大縮短。下表所列肖特基
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于硅器件難以勝任的場合，或在一般應用中產生硅器件難以產生的效果。 肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導通過程中沒有額外載流子注入和儲存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
開關電源小型化，并降低產品噪音。 2、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導通電壓比硅快速恢復二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
,RB095BM-30,RB098BM-30肖特基勢壘二極管產品實物圖 RB085BM-30和RB095BM-30的存儲溫度范圍Tstg均為-40~+150℃，RB078BM30S、RB088BM-30
2019-03-21 06:20:10
羅姆（ROHM）是全球著名半導體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢壘二極管，型號分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60A
2019-07-15 04:20:07
一般的二極管是利用PN結的單方向導電的特性，而肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基
2021-01-13 16:36:44
是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。與普通的二極管不一樣，SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結
2019-04-12 11:37:43
，可以應用于不同的環境。RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30肖特基勢壘二極管均采用SOD-923封裝，具有極好的互換性。 圖2 產品封裝圖
2019-04-18 00:16:53
肖特基二極管的作用 肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管
2016-12-06 18:25:12
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。
2023-02-08 13:43:17
612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
電子發燒友App
?
?
?
工商網監
評論