N溝道 P溝道 MOS管什么電平導通啊跟增強型的 一樣嗎 初學者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
MOS體內寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復造成的損耗。 體內寄生二極管反向恢復損耗計算 這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復損耗一樣。公式如下： Pd_recover
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFCMOS管的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
急劇提升。在高頻開關中，MOS管的損耗分為導通損耗和開關損耗兩種，導通損耗也就是通常所說的DS兩極導通后的歐姆熱損耗，然而在特別高的高頻下，導通損耗是次要的，開關損耗上升為主要矛盾，所謂開關損耗就是從
2018-11-20 16:00:00
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管。現在又些問題，開關損耗主要是導通和關斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
，MOS管處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。 選好額定電流后，還必須計算導通損耗
2020-07-10 14:54:36
請問大神，MOS管的導通工耗是等于，通過他的電流乘管子的壓降嗎？
2016-04-22 13:35:00
PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有
2012-11-12 15:40:55
高端驅動中，通常還是使用NMOS。3，MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小
2012-12-18 15:37:14
通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。五、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-12-10 17:51:58
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計算。運放那邊輸出開路時，MOS管導通，具體是怎么工作的。1、剛開始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計
2021-04-27 12:03:09
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關閉， 電源是12V為啥AB兩點的電壓也有11多V，MOS是如何導通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導通和截止
2019-07-03 07:00:00
MOS的參數選擇以及導通速度的計算
根據MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導通速度，這個方法對不對？
有沒有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導通內阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
電源工程師知道，整個電源系統中開關MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關斷損耗，因為這兩種損耗與傳導損耗或驅動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-29 08:43:49
時，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細計算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來源2.1 MOS開關損耗MOS在開關電源中用作開關器件，顧名思義，MOS會經常的開通和關斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
在BUCK型開關電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關電源中主要的損耗是導通損耗和交流開關損耗，導通損耗主要是指MOS管導通后的損耗和肖特基二極管導通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
I2C時鐘設置計算方法I2C時鐘設置計算方法
2023-10-20 08:17:10
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
、 IGBT的關斷損耗計算 同理設開關頻率為Fsw情況下，那么直接計算損耗為： 9、二極管的導通損耗 該部分損耗和IGBT導通損耗計算方法一致，只不過將占空比設置成1-Don即可。在此不做重復
2023-02-24 16:47:34
請問LED燈的阻抗計算方法是什么？
2020-03-06 14:43:47
或者是通過TI官網UC3842手冊上的方法學習Rstart的計算方法。
2021-10-29 07:04:40
STM32三種定時器有何區別？STM32定時器時鐘的計算方法是什么？
2021-11-23 07:04:09
soc計算方法，BMS中的SOC的計算其實可以分為三大部分：1、電芯層級的SOC計算（軟件中最真實的SOC計算，不涉及任何濾波處理）；2、模組或者電池包層級的SOC計算（電芯到電池包級別的SOC映射
2021-07-27 06:13:05
承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復造成的損耗。體內寄生二極管反向恢復損耗計算這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復損耗一樣。公式如下：Pd_recover=VDR × Qrr × fs其中
2019-09-02 08:30:00
阻小的MOS管40N120會降低導通損耗。 MOS在開啟和關閉時，一定不是瞬間完成。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程。在此期間，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，稱為開關損失
2021-12-29 16:53:46
計算導通損耗。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在"導通"時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度
2013-10-29 17:27:29
/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通過程中的損耗
2018-10-19 10:10:44
像2301那種mos導通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的
2020-04-16 15:44:28
什么是晶體管？目錄晶體管?由來概略晶體管數字晶體管的原理MOSFET特性導通電阻安全使用晶體管的選定方法元件溫度計算方法負載開關常見問題
2019-04-10 21:55:53
通過程的損耗能量Pon表示導通過程的平均損耗功率（有功功率）Vds、Id分別表示瞬時電壓和電流Ts表示開關周期t0、t1表示導通過程的開始時間與結束時間關閉過程損耗關閉過程損耗與導通過程損耗計算方法
2021-11-18 07:00:00
MOS管或對之進行等級劃分。 柵極電荷和導通阻抗之所以重要，是因為二者都對電源的效率有直接的影響。對效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導損耗和開關損耗。`
2018-12-17 14:16:21
功率開關管功耗計算方法
2019-04-12 12:27:35
器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。
2018-11-08 14:13:40
聽說多級阻抗PCB有獨特的計算方法？一起來看看吧
2023-04-14 15:50:20
被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。 了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個電路工作能順利進行下去。不會因為MOS管的不合適而影響后面的各項工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
基于場路耦合的電機性能快速計算方法的實現
2021-01-26 06:14:06
本文以Intersil 公司專用于DSSS無線設計的PRISM芯片組為例，說明處理增益的計算方法，適合于從事RF收發器應用的中國設計工程師閱讀。
2021-06-01 06:29:47
這個mos管是如何導通，控制電源開斷
2019-07-02 23:34:55
如何計算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開關MOS的損耗如何計算？
2021-03-02 08:36:47
所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的mos管能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時，兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。4.計算導通損耗。在實際情況
2019-11-21 09:14:39
平衡車角度計算方法
2017-09-25 11:01:09
平衡車角度計算方法
2017-10-31 12:34:34
計算 這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復損耗一樣。公式如下： Pd_recover=VDR × Qrr × fs 其中：VDR 為二極管反向壓降， Qrr 為二極管反向恢復電量，由器件提供之
2019-09-06 09:00:00
`<p> 揭秘高效電源如何選擇合適的mos管 目前，影響開關電源電源效率的兩個損耗因素是：導通損耗和開關損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析。 導通損耗 導通損耗
2018-11-06 13:45:30
問下具體的計算方法是咋樣的。有木有大佬來解釋下！！！
2019-04-06 12:43:02
機器視覺計算方法
2015-08-14 09:23:59
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
電機轉子運動慣量的計算方法哪些，如何避免轉子慣性失配？
2021-02-02 07:25:12
電源損耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的開通損耗及導通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損；3.副邊整流管的損耗；4.橋式整流的損耗。5.采樣電阻損耗；6.吸收電路的損耗；7.其它損耗：PFC電感損耗
2018-09-18 09:13:29
值有利于減小導通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。 五、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-02-21 12:02:20
比如一個電源，全橋架構，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態損耗怎么樣計算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對角的二極管導通，此時功耗為1.5V*10*2=30W，同理負半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
這個圖上的R1怎么取值，怎么選這個三極管，以及計算方法 ，我很急，謝謝大家幫幫我把。萬分感謝
2013-07-03 12:26:15
親愛的大家，我使用的是PIC24FJ64GB004。在ADC部分，A/D轉換時鐘周期計算有一個注釋“基于TCY=2*TOSC，打瞌睡模式和鎖相環被禁用。”所以如果我使用的是PLL（32MHZ，FCy 16Mhz），那么ADCS的計算方法是什么？請參考附件圖像。謝謝，Gaurav Patni。
2019-09-25 07:04:20
這個電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導通。
2019-04-23 20:20:48
請問伺服電機的選型計算方法是什么？
2021-09-28 08:45:32
大家幫忙看下這兩個電路圖，我不太明白其MOS管是如何導通的？
2018-12-26 15:28:56
最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
阻抗計算方法，希望有所幫助
2013-06-10 16:58:32
最大的兩個損耗因素是：導通損耗和開關損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析。 導通損耗 導通損耗具體來講是由MOS管的導通阻抗Rds產生的，Rds與柵極驅動電壓Vgs和流經MOS管的電流有關。如果想要
2016-12-23 19:06:35
pcb載流能力的計算方法
2008-03-06 15:56:22
63 電力變壓器設計計算方法與實踐把變壓器電磁計算同電工基礎理論緊密聯系在一起，按電磁計算過程一一展開，清晰地分析了變壓器的電路、磁路、漏磁效應、阻抗、附加損耗、機
2008-11-11 11:21:390 線路電能損耗計算方法:線路電能損耗計算方法 A1 線路電能損耗計算的基本方法是均方根電流法，其代表日的損耗電量計算為： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 10KVA變壓器損耗的計算方法來說負載曲線的平均負載系數越高，為達到損耗電能越小，要選用損耗比越小的變壓器；負載曲線的平均負載系數越低，為達到損耗電能越小，要選用損耗比越
2011-06-15 17:48:14
60950 針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態下的特性參數，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計算
2011-09-01 16:42:33111 甲類單端的簡易計算方法甲類單端的簡易計算方法甲類單端的簡易計算方法
2016-01-19 15:37:380 特征阻抗的計算方法
2017-06-09 14:53:1227 電源工程師知道，整個電源系統中開關MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關斷損耗，因為這兩種損耗與傳導損耗或驅動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-22 17:35:5953 反激電源磁芯計算方法匯總
2021-11-03 14:28:1048 電源工程師們都知道開關MOS在整個電源系統里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開通損耗和關斷損耗，由于這兩個損耗不像導通損耗或驅動損耗一樣那么直觀，所以有部分人對于它計算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 詳解MOS驅動電路功率損耗的構成以及計算方法
2022-04-13 08:35:0020804 
變頻器制動電阻設計計算方法一(簡單計算)
2023-01-03 14:36:493103 エンジニアコラム第20篇 EMC計算方法和EMC仿真（5）傳導抗擾度（CI）的試行計算方法什么是ISO 11452-4標準HE法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:261213 
エンジニアコラム第19篇 EMC計算方法和EMC仿真（4）傳導抗擾度（CI）的試行計算方法什么是IEC 62132-4 DPI法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:261567 
EMC計算方法概述2021/11/16大家好！我是ROHM的稻垣。本文是第16篇，從本文開始我們來談一談電磁兼容性（EMC）的計算方法和仿真。
2023-02-14 09:26:282228 上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡單”的前提下，介紹一種利用現有數據求出電源IC損耗的方法。
2023-02-23 10:40:511440 
MOS管在電源應用中作為開關用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
MOS管噪聲計算方法 噪聲是電路設計和性能評估中的一個關鍵問題，特別是在高頻率和低功耗應用中。MOSFET是一種廣泛應用于各種電路的半導體器件。因此，正確計算MOS管噪聲是非常重要的。本文將介紹
2023-09-19 16:49:581117 不同殼溫下SOA曲線的計算方法
2023-12-04 17:54:04324 
EMC計算方法和EMC仿真（1） ——計算方法簡介
2023-12-05 14:56:08384 
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