8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
什么是電阻測(cè)量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？
2021-09-27 08:33:35
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
我有臺(tái)晶體管測(cè)試儀：WQ4832，但是剛買的二手機(jī)，不會(huì)用，不知道有沒有高手能指導(dǎo)指導(dǎo)？
2011-10-21 08:57:17
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
小日本寫的晶體管電路設(shè)計(jì)（上下冊(cè)）兩本書非常不錯(cuò)，我已經(jīng)全部看完了才來發(fā)帖的，非常不錯(cuò)，語言非常樸實(shí)。
2012-09-02 23:32:49
晶體管電路設(shè)計(jì)
2012-10-25 10:14:21
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
請(qǐng)問各位***友：晶體管的輸入信號(hào)不是微弱的電信號(hào)嗎？而常見的資料用輸入信號(hào)的頻率。問題就在這微弱的電信號(hào)與頻率有什么關(guān)系？像六管超外差收音機(jī)接受的電磁波我還能理解，放大其他的我就弄不懂了。。。。希望各位不吝賜教。。。。
2012-11-12 22:34:51
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下，晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
-發(fā)射極間流過電流。如前面的特征匯總表中所示，關(guān)于驅(qū)動(dòng)，需要根據(jù)與放大系數(shù)、集電極電流之間的關(guān)系來調(diào)整基極電流等。與MOSFET顯著不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。另外
2018-11-28 14:29:28
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
和集電極電位的關(guān)系中，可以非常方便地對(duì)晶體管的工作狀態(tài)作出判斷。對(duì)處于共發(fā)射極放大的NPN型晶體管而言，集電極電位>基極電位>發(fā)射極電位時(shí)，晶體管工作于放大狀態(tài)。隨著基極注入電流的增大，流出
2012-02-13 01:14:04
集電極電流的目的。 晶體管的電流分配關(guān)系如下： 其中電流放大系數(shù)α和β之間的關(guān)系是α=β/(1＋β)，β= α/（1－α）ICBO是集電結(jié)反向飽和電流，ICEO是基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極之間的穿透電流
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
的比例關(guān)系。2）偏置電路 當(dāng)晶體管用于實(shí)際的放大電路時(shí)，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先，由于晶體管的BE結(jié)（相當(dāng)于二極管）的非線性，輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流（對(duì)于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
低功耗設(shè)計(jì)中，晶體管控制電路會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結(jié)都會(huì)有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時(shí)，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關(guān)電路的基極上加一個(gè)下拉電阻。在PNP開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，基極增加了一個(gè)下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進(jìn)行選擇。
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
眾所周知，電子系統(tǒng)芯片中的晶體管會(huì)隨著時(shí)間而逐漸老化。它們會(huì)慢慢變舊，反應(yīng)變得遲緩，毛病越來越多，甚至突然崩潰死機(jī)。不過凡事都有兩面性，雖然晶體管老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的電荷量變化小于一個(gè)電子，則不會(huì)有電流通過量子點(diǎn)。因此，電流-電壓關(guān)系不是正常的線性關(guān)系，而是階梯形關(guān)系。該實(shí)驗(yàn)是歷史上第一次手動(dòng)控制電子的運(yùn)動(dòng)，為制造單個(gè)電子晶體管提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。》 絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
，則分析時(shí)則按照單獨(dú)的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側(cè)全部短起來當(dāng)作一個(gè)晶體管，那么此時(shí)的關(guān)系可以看作一個(gè)或門的關(guān)系，只要有一路導(dǎo)通，則晶體管就實(shí)現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
hfe或β表示。hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切，兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近，在高頻時(shí)有一些差異。（二）耗散功率耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
怎樣去設(shè)計(jì)掃描信號(hào)發(fā)生器？掃描信號(hào)發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關(guān)系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
扒開晶體管的外衣
2012-08-20 14:08:55
下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
端上的每個(gè)開關(guān)實(shí)現(xiàn)表1中并聯(lián)的兩個(gè)晶體管器件。圖 5：采用 GaN 的 3KW 500kHz LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的損耗和效率與 Si 和 SiC 的關(guān)系圖5顯示了所有晶體管均為500KHz的3KW半橋
2023-02-27 09:37:29
如果說起來，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對(duì)于音頻質(zhì)量有著極高要求的產(chǎn)品中，才會(huì)出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
上面這段怎么理解啊，這個(gè)是鈴木的晶體管電路上面的，
2019-04-04 02:43:43
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
晶體管和芯片的關(guān)系是什么？ 晶體管和芯片是相互關(guān)聯(lián)的兩個(gè)概念，晶體管是芯片的核心組成部分之一。 晶體管是一種能夠控制電流的電子器件，由美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:05
1513 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372450 晶體管的三個(gè)極的電壓關(guān)系 晶體管作為一種電子器件，是當(dāng)今電子技術(shù)和通信領(lǐng)域中不可或缺的重要元件。晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括一個(gè)基極、一個(gè)發(fā)射極和一個(gè)集電極。它實(shí)現(xiàn)了一種對(duì)電流的控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備
2023-08-25 15:35:205252
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