晶體管是模擬電路中基礎(chǔ)的器件，對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)，了解晶體管工作的條件和判斷晶體管的工作狀態(tài)都是非常基礎(chǔ)的，本文將帶大家一起學(xué)習(xí)或回顧一下。
2016-11-21 10:44:08
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晶體管有4種工作狀態(tài)，分別是截止、放大、飽和，以及倒置。
2023-02-20 15:07:122793 
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電，以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負(fù)-正-負(fù)（NPN）外延放大器晶體管，最常見(jiàn)于無(wú)線電
2023-02-16 18:22:30
和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者，只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下應(yīng)優(yōu)先選用場(chǎng)效晶體應(yīng)管。三、三極管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)別特征：1、三極管之所以又被稱為雙極型管子，是因?yàn)楣茏釉?b class="flag-6" style="color: red">工作時(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與
2019-04-08 13:46:25
晶體管。????嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。因此，三極管是晶體管的一種。????在日常生活中，晶體管有時(shí)多指
2019-12-16 13:33:31
`<p><font face="Verdana">三極管的三種工作狀態(tài)</font&
2008-07-14 10:23:22
三極管有3種工作狀態(tài)，分別是截止狀態(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)，有些朋友對(duì)這3種狀態(tài)還不太理解，下面跟大家分享一下自己理解方法。 三極管的截止狀態(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)
2020-09-02 17:28:02
不同外，其工作原理都是相同的。 二、晶體三極管的三種工作狀態(tài) 三極管的三種狀態(tài)也叫三個(gè)工作區(qū)域，即：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。 （1）、截止區(qū)：三極管工作在截止狀態(tài)，當(dāng)發(fā)射結(jié)電壓Ube小于
2020-12-25 15:24:23
三極管有放大、飽和、截止三種工作狀態(tài)，放大電路中的三極管是否處于放大狀態(tài)或處于何種工作狀態(tài)，對(duì)于學(xué)生是一個(gè)難點(diǎn)。筆者在長(zhǎng)期的教學(xué)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，只要深刻理解三極管三種工作狀態(tài)的特點(diǎn)，分析電路中三極管處于
2019-03-05 07:00:00
晶體管三相漏電保護(hù)開(kāi)關(guān)電路如圖8-7所示。電路工作原理漏電保護(hù)開(kāi)關(guān)合閘后，380V交流電經(jīng)變壓器T2變壓后由次級(jí)輸出，然后經(jīng)VD3整流和電容器C1濾波，為VT1、VT2提供工作電源。正常
2023-02-03 16:52:22
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
工作點(diǎn)穩(wěn)定。由于溫度對(duì)管子參數(shù)β、Icbo、Ube的影響，最終都集中反映在Ic的變化上，為了消除這種影響，我們通過(guò)晶體管偏置的直流或電壓的負(fù)反饋?zhàn)饔檬轨o態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定下來(lái)，常見(jiàn)的兩種偏置電路及工作點(diǎn)穩(wěn)定
2021-06-02 06:14:09
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開(kāi)關(guān)方式工作，需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開(kāi)關(guān)工作方式時(shí)，因?yàn)殡娫措妷汉图姌O電阻的限制，集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
。需要說(shuō)明的是，晶體管有很多種類型，每種類型又分為N型和P型，下面圖中的電路符號(hào)就是一個(gè)N型晶體管。 晶體管電路有導(dǎo)通和截止兩種狀態(tài)，這兩種狀態(tài)就可以作為“二進(jìn)制”的基礎(chǔ)。從模電角度來(lái)說(shuō)晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開(kāi)關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測(cè)量，并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
，由于得不到電流放大所以不被采用。1.4.3 三種接法的比較利用晶體管的三種接法可以組成三種基本的放大電路。它們的主要特點(diǎn)及應(yīng)用大致歸納如下：1. 共射電路具有較大的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)，同時(shí)
2019-03-07 06:30:00
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
與漏極間流過(guò)電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過(guò)電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。基本工作特性比較這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān)，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開(kāi)關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號(hào)的晶體管。 5．開(kāi)關(guān)三極管的選用小電流開(kāi)關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開(kāi)關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 22:11 編輯
眾所周知，一個(gè)普通的雙極型晶體管有二個(gè)PN結(jié)、三種工作狀態(tài)（截止、飽和、放大）和四種運(yùn)用接法（共基、共發(fā)、共集和倒置
2012-02-13 01:14:04
ΔuO = ΔiCRC 。實(shí)質(zhì)上，這種控制作用就是放大作用。 3. 晶體管的工作狀態(tài) 當(dāng)給晶體管的兩個(gè) PN 結(jié)分別施加不同的直流偏置時(shí)，晶體管會(huì)有放大、飽和和截止三種不同的工作狀態(tài)。這幾種工作狀態(tài)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
晶體管;根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造工藝的不同可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結(jié)構(gòu)的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)
2017-08-03 10:33:03
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
短路，只有一個(gè)端子。它是一個(gè)三端器件：源極、漏極和柵極。閾值電壓（Vth）沒(méi)有外部控制。 獨(dú)立柵極 FET（IG 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種四端子器件（圖 7）。這種布置是一種雙柵極器件，其柵極通過(guò)掩蔽
2023-02-24 15:20:59
*β》Ic。在飽和狀態(tài)下，晶體管的集電極和發(fā)射極之間的電壓會(huì)很小，可以理解為開(kāi)關(guān)。這樣，當(dāng)基極電流為0時(shí)，集電極電流為0（這稱為三極管截止），相當(dāng)于關(guān)斷;當(dāng)基極電流較大時(shí)，相當(dāng)于導(dǎo)通。在截止和飽和狀態(tài)
2023-02-08 15:19:23
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開(kāi)關(guān)。它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過(guò)改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來(lái)控制通過(guò)一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
表親非常相似的特性，不同之處在于，對(duì)于第一個(gè)教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對(duì)于
2023-02-03 09:44:48
QSPI特點(diǎn)QSPI三種工作模式
2020-12-31 06:36:55
QT2晶體管圖示儀有測(cè)試貼片三極管的工裝嗎？
2015-01-08 20:22:02
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測(cè)量，并對(duì)電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制
2017-09-12 11:10:57
的晶體管是電流控制電流型的.一般不可以直接代換的除非稍微改變一下電路結(jié)構(gòu)。二、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管選用技巧:（1）晶體三極管選型技巧:必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作
2019-04-09 11:37:36
影響。 什么是BTI?簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)，就是晶體管處于“開(kāi)”狀態(tài)時(shí)的一種電荷積聚效應(yīng)，在晶體管通道及其門絕緣介質(zhì)之間形成電荷積累，這會(huì)改變晶體管開(kāi)關(guān)變換狀態(tài)的電壓，隨著時(shí)間的推移晶體管開(kāi)關(guān)狀態(tài)變換動(dòng)作會(huì)越來(lái)越慢。隨著芯片
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
：發(fā)射極、基極和集電極;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三極是：源極、柵極、漏極。由于晶體管的三極性，它們也有三種使用方式：接地發(fā)射極（也稱為公共發(fā)射放大器/ CE配置），接地基極（也稱為公共基極放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36:05
一對(duì)匹配的PNP和NPN晶體管協(xié)同工作以有效地放大振蕩信號(hào)。在創(chuàng)建電路時(shí)，可以使用第二種類型的開(kāi)關(guān)選項(xiàng)非常有用。PNP 晶體管應(yīng)用如果您剛剛開(kāi)始使用這些組件，如果您不小心，工業(yè)傳感器可能會(huì)給您的知識(shí)
2023-02-03 09:50:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場(chǎng)控制材料的電導(dǎo)率。 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D，因?yàn)榫哂械?b class="flag-6" style="color: red">三維度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點(diǎn)是什么？ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用？怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡(jiǎn)稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，因此其結(jié)構(gòu)
2018-01-15 11:59:52
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡(jiǎn)稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，因此其結(jié)構(gòu)
2018-01-25 11:27:53
單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開(kāi)三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng)，還是那句話只談應(yīng)用不談原理，希望通過(guò)下面的“圖解
2020-03-04 07:00:00
式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)高壓側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管也同樣會(huì)面對(duì)1和2中提到的問(wèn)題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無(wú)法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)IC，似乎也沒(méi)有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。 `
2019-04-16 11:22:48
（MOS管）。 晶體管一、晶體管的命名 通常使用的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等等，其中最常用的是三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。 按
2012-07-11 11:36:52
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
開(kāi)關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供一個(gè)低阻抗的通路。 加速電路三 在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開(kāi)關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲(chǔ)存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
)條件下，數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知，絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上"，僅用IC標(biāo)記沒(méi)有問(wèn)題，但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài)，合并標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)
2019-04-22 05:39:52
額定值，在不超過(guò)VIN(max)條件下，數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知，絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上"，僅用IC標(biāo)記沒(méi)有問(wèn)題，但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài)，合并
2019-04-09 21:49:36
還有一個(gè)問(wèn)題，為什么共發(fā)射極接法下輸入和輸出電流反相，而共基和共集電接法則同相呢？
晶體管放大原理來(lái)自于電子管，電子管柵極小電流對(duì)陰極電流的控制是因?yàn)楫?b class="flag-6" style="color: red">種電荷間斥吸作用，通過(guò)極近的距離實(shí)現(xiàn)控制效應(yīng)
2016-07-14 23:12:48
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大，加速開(kāi)關(guān)過(guò)程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中，加速電容的值要通過(guò)觀察開(kāi)關(guān)波形來(lái)決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
轉(zhuǎn)換器，將性能與兩種可比場(chǎng)景進(jìn)行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級(jí)
2023-02-27 09:37:29
電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
型的.一般不可以直接代換的.除非稍微改變一下電路結(jié)構(gòu)。三、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管選型訣竅：晶體三極管：必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時(shí)對(duì)電壓的極性要求不同，所以是
2019-03-27 11:36:30
跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因?yàn)橛?b class="flag-6" style="color: red">三種極性
2017-09-19 10:22:59
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
或 MOSFET 相比，絕緣柵雙極性晶體管器件的優(yōu)勢(shì)在于，它比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管提供了更大的功率增益，并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實(shí)際上，它是一種集成了雙極性晶體管的達(dá)靈頓
2022-04-29 10:55:25
如何用單片機(jī)讓三極管出現(xiàn)三種不同的電平狀態(tài)？
2023-10-10 06:56:03
進(jìn)程類型進(jìn)程的三種狀態(tài)
2021-04-02 07:06:39
工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過(guò)電流和瞬態(tài)過(guò)電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過(guò)沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
2023-05-16 15:39:132196 晶體管的三種工作狀態(tài)是什么 晶體管，又稱為晶體管放大器，是一種電子器件，它可以放大電流或?qū)﹄娏鬟M(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。晶體管作為現(xiàn)代電子設(shè)備的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、電子游戲機(jī)、音頻和視頻
2023-08-25 15:29:424372 晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要組成部分，可用于放大、開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極和共基極。下面將詳細(xì)介紹這三種接法
2023-08-25 15:35:173145 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它具有放大和開(kāi)關(guān)功能。在電子電路中，晶體管的應(yīng)用非常廣泛，可以說(shuō)是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一。晶體管的工作狀態(tài)主要有三種：截止狀態(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。下面我們來(lái)詳細(xì)了解一下
2024-01-03 15:08:26699 
晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，常用于電子電路中作為放大器、開(kāi)關(guān)等功能的實(shí)現(xiàn)。晶體管具有三種基本的工作狀態(tài)，包括截止狀態(tài)、飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)。 截止狀態(tài)是指在晶體管的輸入電壓
2024-02-02 17:06:12516
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