大家好，看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔，雖然比較基礎，但是概括的比較好，適合電力電子專業的初學者，總體內容如下。
2022-11-25 09:20:30
1195 摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊
2023-12-14 09:37:05472 
轉眼2024年的第一個周末了，也許只有到了隆冬，我們才會知道，我們身上有著一個不可戰勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時，我們聊了Hybrid(Si IGBT+SiC MOS
2024-01-07 09:35:17433 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
數明半導體近日正式發布國內首款單通道帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅動器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:583395 
SiC MOSFET并聯的動態均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
半導體內部形成一定的電場，就可以實現IGBT的導通。有了絕緣柵，在開關時，只需要在IGBT切換狀態的瞬時間內給門級注入/抽取一點能量，改變內部電場，就可以改變IGBT的工作狀態。這個過程很容易做
2023-02-16 15:36:56
請問大家IGBT模塊怎么做能起到保護，在瞬間起動超負荷大電流大電壓的情況下能起到保護，可以在接線IGBT模塊前增加其他配件嗎？
2018-04-09 17:16:53
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應用呢？
2021-11-02 07:39:10
`我需要通過LC電路產生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
員已經在Si IGBT上使用SiC MOSFET觀察到系統級價格的顯著優勢，并且我們預計隨著150 mm晶圓的規模經濟，SiC MOSFET的價格將繼續下降。 圖7：在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅動，以充分獲得低導通電阻。也就是說，兩者的區別之一是驅動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
導通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現優異，但存在開關速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關速度方面表現都很優異
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
半導體有限公司的第一大股東，是行業龍頭天科合達。11月中旬，天科合達舉辦了“8英寸導電型SiC襯底”新產品發布會，預計項目明年量產。這一量產時間，緊跟全球步伐。SiC大規模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
/電子設備實現包括消減待機功耗在內的節能目標。在這種背景下，削減功率轉換時產生的能耗是當務之急。不用說，必須將超過Si極限的物質應用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開關損耗大 的問題，其結果是由此產生的發熱會限制IGBT的高頻驅動。SiC材料卻能夠以高頻器件結構的多數
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
通時產生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關速度與寄生電容下面通過與現有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關的全SiC功率模塊的開關
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協同為該項目提供資金支持，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。
2019-07-30 06:18:11
對無線數據的無線需求不斷促使研發人員尋找新的技術來擴大無線數據容量和網絡能力。業界專家們普遍認為，即使當前和規劃中的基礎設施全面展開，數據需求仍然會繼續超過現有的能力，辯論已經從這“是否”會發生轉為
2019-07-17 07:54:10
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
寄生效應過多，它們的性能可能會下降到硅器件的性能，并可能會導致電路故障。傳導EMI會伴隨SiC MOSFET產生的快速電壓和電流開關瞬變，內部和外部SiC寄生效應會受到這些開關瞬變的影響，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
項目名稱：特種電源開發試用計劃：在I項目開發中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項目名稱：電池充放電檢測設備試用計劃：申請理由：現有的充放電設備的功率密度較低，打算使用SiC來提供功率密度。 使用項目：電池充放電檢測設備計劃：了解并測試demo的驅動，現有產品的的驅動是否適用于
2020-04-24 18:09:35
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術合作協議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
同設計和不同技術來提高速度的IGBT，以及改變轉換器的拓撲和工作模式，當然會導致該方法中使用的參數和常數的數值發生變化。但是，可以預期，擬議公式的結構不會改變。
2023-02-22 16:53:33
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到，一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
和可再生能源，如果沒有冷卻組件，效率也會更好，而且有助于降低成本、尺寸和環境負擔。 SiC仍處于進化曲線的起點，它還能走多遠呢？系統工程師急切地等待著發現，但我們可以根據SiC如何模仿硅器件的發展做出一些
2023-02-27 14:28:47
的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發備受期待。但是，傳統的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
眾所周知，SiC材料的特性和優勢已被大規模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發工程師所關心的重點之一，因為在出現基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436486 
羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉移和對更高性能的關注，使得這些傳統模塊不太適合大功率應用，這就帶來了 SiC 基功率器件的應運而生。
2019-11-08 11:41:5317040 SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領域和 IGBT爭搶份額。我們都知道，IGBT 結合了 MOS 和 BJT 的優點，第三代寬禁帶半導體SiC
2020-03-20 15:56:284190 SiC IGBT的發展至少也有30年了，大眾視野中很少會提及到SiC IGBT產品，并不是沒有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點需要突破和解決，下面我們就來看看SiC IGBT的現狀和挑戰。
2020-10-30 14:13:295850 本文檔的主要內容詳細介紹的是SKM200GB12F4SIC2高速IGBT4模塊的數據手冊免費下載
2020-12-03 08:00:00
4 5代，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發當中。目前在規劃自建SiC產線，預計到明年有自己的產線。 提到SiC大家可能有些陌生，碳化硅（SiC）其實是一種廣泛使用的老牌工業材料，1893年開始大規模生產，至今一直在使用。不過自然界中很難找到碳化硅
2020-12-25 16:11:371983 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261103 
IGBT 和 SiC 電源開關有哪些市場和應用? 高效的電源轉換在很大程度上取決于系統中使用的功 率半導體器件。由于功率器件技術不斷改進，大功率應 用的效率越來越高并且尺寸越來越小。此類器件包括
2022-03-18 12:07:166422 超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結構如圖 1 所示。N+ 區域定義為源區，相應的電極稱為發射極（Emitter）。背面 P+ 區域定義為漏區，相應的電極稱為集電極（Collector）。
2022-06-17 09:25:411002 比亞迪IGBT，IPM，FRD,SIC，應用領域，微型電動車，新能源汽車， 審核編輯 黃昊宇
2022-07-18 09:48:183031 
Microchip 的新 SiC 產品系列通過采用具有更少部件和更簡單控制方案的兩電平拓撲克服了 IGBT 的困難。沒有開關限制，功率轉換單元可以減小尺寸和重量，為更多充電站騰出空間，并延長重型汽車、電動公交車和其他電池供電的商用車的續航里程和運行時間。
2022-08-03 09:12:251029 近幾年來，電動汽車、電化學儲能、以及光伏和風電等新能源市場的快速發展，市場對功率器件的需求量大增，特別是電動汽車的興起，讓IGBT常年處于供應緊張狀態，且未來幾年都沒有緩解的跡象。此時，SiC器件也乘勢而起，開啟了汽車領域的滲透之路，那么，未來這兩種功率器件將誰主沉浮呢？
2022-09-07 09:41:4410946 近幾年來，電動汽車、電化學儲能、以及光伏和風電等新能源市場的快速發展，市場對功率器件的需求量大增，特別是電動汽車的興起，讓IGBT常年處于供應緊張狀態，且未來幾年都沒有緩解的跡象。此時，SiC器件
2022-09-07 10:19:233541 
萬片12英寸芯片生產項目建設;7.5億元用于SiC功率器件生產線建設項目建設;11億元用于汽車半導體封裝項目(一期)建設;16.5億元用于補充流動資金。 據了解，士蘭微此次投建年產36萬片12寸晶圓產線項目，達產后將新增年產12萬片FS-IGBT、12萬片T-DPMOSFET、12萬片SGT
2022-10-19 16:02:141168 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 今天我就來嘮一嘮IGBT在軟開關拓撲中的應用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。
2023-02-07 16:01:251073 
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞 ? SiC肖特基勢壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102 
EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態參數如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間
2023-02-23 09:20:462 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點，根據特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術更優），MCU的供應商是意法半導體，基本可以結論，Sic和IGBT會是未來的重點方向。
2023-03-24 10:18:36630 所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統，需要更高的碳化硅（SiC）技術來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅動這些更高效的SiC器件可以使用數字而不是模擬柵極驅動器來實現，許多非汽車或非車輛應用將受益。
2023-05-06 09:38:501694 各位“貞”朋友好，今日推薦貞光科技代理品牌，優秀原廠——索力德普，貞光科技是索力德普代理商和解決方案供應商，負責索力德普IGBT、高壓FRD、特種MOS、Power IC及寬禁帶SiC功率器件等產品的銷售和技術服務。
2022-08-11 14:29:17626 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
本文將詳細介紹各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現在的產能應用情況等，探討車企大規模進入功率半導體行業背后的原因，助力車規級功率半導體產業的健康持續發展。
2023-11-02 11:40:30296 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 
在經過多年的技術積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導的鍵合部件領域。然而，在當今功率設備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？
2023-11-30 16:12:41243 
基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
一、產品介紹 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器
2023-12-13 16:36:19135 
報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
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