GaN-on-Si技術可用來降低LED及功率元件的成本，將有助固態照明、電源供應器，甚至是太陽能板及電動車的發展.
2013-09-12 09:33:29
1401 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WBG) 半導體，具有更快的開關速度、更高的擊穿強度和高導熱性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:013651 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。
2023-12-07 09:44:52783 
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 ）。另一方面，功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件（共源共柵Cascode結構）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
D功放的音質也將得到有效的提升。
針對目前主流的GaN Class D應用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時采用自主設計的半橋電路測試平臺對200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
隨著電子技術的不斷發展，靜電防護技術不斷提高，無論是在LED器件設計上，還是在生產工藝上，抗ESD能力都有明顯的進步，但是，GaN基LED畢竟是ESD敏感器件，靜電防護必須滲透到生產全過程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED靜電防護技術 1、一般靜電防護的基本思路： 1）從元器件設計方面，把靜電保護設計到LED器件內，例如大功率LED，設計者在承載GaN基LED芯片倒裝的硅片上，設計靜電保護二極管，這時
2013-02-20 09:25:41
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器，轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
半導體材料可實現比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業應用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
的AC/DC轉換和功率轉換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
在射頻領域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術的供應商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續波（CW）射頻功率晶體管產品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(MACOM GaN)使得二者成本結構趨于相當。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
描述該參考設計為客戶提供有關電源設計中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設計使用 TPS40400 控制器來驅動 CSD87381（對于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
IC、電源控制器和高集成度嵌入式處理器， 將能管理復雜的多電平、多級功率回路，從而正確發揮新一代 SiC/GaN 功率轉換器的優勢。——ADI公司再生能源戰略營銷經理Stefano
2018-10-30 11:48:08
下以更高的轉換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術融入到電源
2018-09-11 14:04:25
GaN技術融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值?；跀凳觌娫礈y試方面的專業知識，TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠實現基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
半導體激光器非常適合與 Si 光子學的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術而制成。GaN-on-SiC 方法結合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
。目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件，以替代昂貴的SiC襯底。有分析預測到2019年GaN的成本將與傳統的Si器件相當，屆時很可能出現一個市場拐點。并且該技術對于供應商來說是一
2019-07-08 04:20:32
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
設計。基于雙向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設計，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅動GaN-Power-IC器件的技術。CCMPFC的開關頻率設置為
2023-06-16 08:59:35
OBC和低壓DC/DC的集成設計可以減小系統的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導體器件GaN帶來了進一步發展的機遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
的頻率交換意味著GaN可以一次轉換更大范圍的功率，減少復雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會產生新的能耗，這對于很多高壓應用都是一項顯著的優勢。當然，一項已經持續發展60年的技術不會一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
作者： Grant Smith，德州儀器 (TI)業務拓展經理簡介功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高
2019-07-12 12:56:17
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此?！ ∪缃翊嬖诘膬煞N主要GaN技術為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術的機遇和挑戰 ④ 針對寬禁帶電力電子技術特性的封裝技術 ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優勢、驅動上的區別、結構和成本的影響）五、活動報名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換?！ 〈送?，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
。在這次活動中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
電子器件制備工藝
2012-08-20 22:23:29
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
穩定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學穩定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強抗輻照能力，同時GaN又是高熔點材料，熱傳導率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
參數極其敏感，因此相較于傳統的Si基半導體器件的驅動電路，GaN的驅動要求更為嚴苛，因此對其驅動電路的研究很有意義。在實際的高壓功率GaN器件應用過程中，我們用GaN器件和當前主流的SJ MOSFET在
2021-12-01 13:33:21
原理下，隨著微細加工技術的發展，實現了開關更加高速、大規模集成化。在功率元器件領域中，微細加工技術的導入滯后數年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。但是，通過微細化可以改善的性能僅限于100V
2019-07-08 06:09:02
”毫不夸張，為滿足市場需求，需求不時完善各種運用電路、易用封裝、復合品、額定電流、額定電壓的產品陣容，要求具有多元化的技術積聚。 在功率電子元器件范圍，羅姆擁有業界頂級水平的產品陣容，在Si基超級
2012-11-26 16:05:09
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:34
29 安森美半導體（ON Semiconductor）加入了領先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業界研究及開發項目，共同開發下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:037275 
科技半導體公司提出的GaN基復合襯底技術，結合企業自身的LED芯片技術，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產成本，改進現有LED的產業鏈結構，同時該技術還可擴展應用到GaN功率器件和MicroLED領域。
2020-04-17 16:37:573363 
作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
依托先進的半導體器件仿真設計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊實現了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設計方案（SFP-SBD：具有側壁場板的GaN基準垂直肖特基功率二極管
2021-07-14 16:46:55959 與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，可大幅提升器件與系統的功率密度、工作頻率與能量轉換效率，隨著5G通信和新能源汽車的迅猛發展，GaN快充技術也隨之受到關注。
2021-12-24 09:46:131449 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:57641 
。與此同時，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩步前進，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當今市場上最好的 GaN 產品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點）和
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導體。 功率氮化鎵技術 GaN 技術，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 依托先進的半導體器件仿真設計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊實現了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設計方案（SFP-SBD：具有側壁場板的GaN
基準垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:380 GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領域擁有廣泛的應用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質襯底上通過金屬有機氣象外延(MOCVD)進行外延制備。由于異質
2023-06-14 14:00:551654 
付出更大的成本？本文會以適配器（Adaptor）的應用來做說明。圖1目標產品應用種類氮化鎵（GaN）是橫向結構的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:082746 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40709 
論文研究氮化鎵GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:473 隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰，GaN功率器件的全面應用至今尚未達成。但是，隨著GaN功率器件輻照強化及驅動方式的創新改良，宇航電源將會得到更大助推。
結合高集成度電源設計，以及優化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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