本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:09
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成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產業線。行業分析人士表示，氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發展潛力巨大
2023-03-15 11:09:59
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
的大多數器件不可避免要問的一個問題，而且通常問的是無源器件，比如濾波器、耦合器和天線。但隨著微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管和氮化鎵
2019-06-21 07:43:10
改進控制技術來降低器件功耗，比如諧振式開關電源。總體來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件已越來越多
2018-05-08 10:08:40
效率低下，發熱嚴重。GaN HEMT(氮化鎵晶體管)可以替代高壓高頻電動機應用中的MOSFET和IGBT器件，這類參數比較寬的半導體器件為大功率密度電動機開辟了新的應用領域，它們可以處理更高的電壓、電流
2019-07-16 20:43:13
本帖最后由 tmm0717 于 2021-5-21 17:51 編輯
1、產品型號：ETA4054-SOT23-52、應用產品：電子玩具、藍牙耳機、鋰電保護3、產品特點：高耐壓16V4、聯系：***
2021-05-21 17:47:35
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
充電器變得高效起來，發熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導體產品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網絡、雷達、廣播、工業、科研和醫療領域。MACOM的產品線借助于
2017-08-14 14:41:32
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
硅RF外側擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內具有滿足WiMAX基礎設施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業、科學以及醫療(ISM)應用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓
2019-07-05 06:56:41
硅RF外側擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內具有滿足WiMAX基礎設施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業、科學以及醫療(ISM)應用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓
2019-07-09 08:17:05
因為，為了應對全球共通的 “節能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
技術而成功研發，并實現了量產化。 另外，伴隨著功率元器件的高耐壓化，還開發了外圍使用的新系列電阻產品，即高耐壓電阻KTR系列。以往在高電壓發生部位（例：相機的閃光燈用電壓部，使氙氣型閃光燈瞬時產生
2018-09-26 09:44:59
作為高等院校脈沖功率技術專業師生的教學參考書。目錄緒論0.1高功率脈沖電源的進展0.2能量壓縮的基本概念0.3高功率脈沖電源概述參考文獻第一章 電容儲能高功率脈沖電源1.1引言1.2電容器組放電技術
2018-04-11 19:18:50
簡介這篇文章闡述了一種被飛思卡爾使用的高功率射頻功放的熱測量方法。半導體器件的可靠性和器件的使用溫度有很大的關系，因此，建立使用了高功率器件的系統的可靠性模型，這些高功率器件的精確的溫度特性非常關鍵。
2019-06-27 07:52:25
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
阻，電容器，肖特基勢壘二極管以及電感等少量的外置元器件，可簡單地構建高性能的高耐壓DC/DC轉換器。因為是電流模式控制，所以，相位補償簡單，可獲得高速的瞬態響應。開關頻率可在50kHz～750kHz
2018-12-05 10:00:48
的材料特性，各自都有各自的優點和不成熟處，因此在應用方面有區別 。一般的業界共識是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
E5270-6- 使用外部直流電源評估高功率器件
2019-09-12 06:47:42
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
基于UC3854B的高功率因數電源的研制
2012-05-21 17:30:37
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產品特點：·230uA工作靜態電流·3.3 V至36 V寬工作電壓范圍·500mΩ的內部功率MOSFET·2 MHz固定開關頻率·無采樣電阻的精密電流限制·> 90%的效率·輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調·低關機模式電流:
2020-01-16 13:40:13
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對10kW LLC轉換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試，該轉換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
射頻放大器的首選器件。隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件的耐壓
2019-07-31 07:30:42
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
通過低內阻和高開關速度，減小了損耗，降低了散熱要求。變壓器的縮小，以及無需散熱措施，氮化鎵的應用大幅減小了充電器的體積。鋰電池作為現代便攜設備的主要能量來源，出貨量非常巨大。隨著現在手機和平板大功率快充
2023-02-21 16:13:41
SiC功率器件和高溫器件（包括用于噴氣式引擎的傳感器）。西屋公司已經制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高電壓的SiC整流器和其他SiC低頻功率器件，用于工業和電力系統。
2019-03-03 07:00:00
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
、開關速度和可靠性都在不斷提高。這些器件已成功解決低電壓(低于100伏)或高電壓容差(IGBT和超結器件)中的效率和開關頻率問題。然而，由于硅的限制，因此無法在單個硅功率FET中提供所有這些功能。寬帶隙
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
不易損傷，不燃性結構涂裝3、選用高品質瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點 氧化膜電阻在直流下容易發生電解使氧化物還原，性能不太穩定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:49:07
、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統中。目前，已研制出的高功率溝槽柵結構IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT器件通常采用的結構，它避免了模塊內部大量的電極引線
2017-11-07 11:11:09
（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統中。目前，已研制出的高功率溝槽柵結構IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT器件通常采用
2017-05-25 14:10:51
不易損傷，不燃性結構涂裝3、選用高品質瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點 氧化膜電阻在直流下容易發生電解使氧化物還原，性能不太穩定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:47:00
電子模擬功率負載的研制
2012-08-15 13:57:25
硅效率在該應用中非常差。由于測量到的高緩沖功率水平，超快硅測試僅限于低功率。砷化鎵和碳化硅緩沖功率表現出類似的行為，表明砷化鎵有限Trr引起的額外損耗在很大程度上被SiC器件較高的原生電容所抵消。圖
2023-02-22 17:13:39
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氧化物半導體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
繼電保護測試儀用高電壓功率放大電路的研制，大功率 高帶寬電壓！！！
2013-07-16 13:04:25
原理下，隨著微細加工技術的發展，實現了開關更加高速、大規模集成化。在功率元器件領域中，微細加工技術的導入滯后數年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。但是，通過微細化可以改善的性能僅限于100V
2019-07-08 06:09:02
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
功率密度33W PD解決方案: MK2787/MK2788特性介紹:高耐壓: MK2788 110V Vcc 耐壓，無需穩壓電路低應力: 專利軟驅技術，有效降低原副邊功率管應力高集成度: 集成650V
2021-11-12 11:53:21
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量）和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
將功率MOSFET外置的DC/DC轉換器控制器IC和高耐壓MOSFET相組合，可以構成高耐壓DC/DC轉換器。然而，非單體元器件、而是作為一個IC實現80V的高耐壓，則需要高超的制造工藝技術。用于制造
2018-12-03 14:44:01
功率。導通電阻為30毫歐姆的硅MOSFET或氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）單元也會耗散相同的功率，正如前面所述。如今，1200 V的器件很容易達到這一數字，比如額定電流為60A、裸片電阻為20毫
2023-02-05 15:16:14
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構，將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:24
40 除了少部分其他應用之外, 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在功率管理系統中幾乎都用作開關。這種應用引發了大量的MOSFET技術創新，并為滿足應用的需要推出種類繁多的
2006-03-11 13:44:18611 
一種低高度高耐壓繼電器的研制 1 引言
根據IEC335《家用及類似用途電器的安全》、IEC730《家用及類似用途電自動控制器的
2009-12-08 09:23:15771 基于LPC2119的微弧氧化電源控制系統的研制
摘 要:本文介紹了一種自行研制的微弧氧化電源控制系統，硬件部分采用philips公司的基于ARM的LPC2119處理器代替傳
2010-01-12 09:31:482067 
近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 設計指南-熱功率器件設計中的幾點思考
2018-06-23 11:00:003239 白板向導-熱功率器件設計中的幾點思考視頻教程
2018-06-26 07:35:004008 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。
2018-09-30 14:36:333921 西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導率特性的規避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:1015118 
從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質因子要比SiC高出二十倍。對于各種應用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結構更穩定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:551281 功率器件的選擇要根據應用環境、工作條件和性能要求等因素進行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的電壓等級，以確定功率器件的耐壓性能。此外，還要考慮功率器件的封裝形式，以確定功率器件的散熱性能。最后，要考慮功率器件的成本，以確定功率器件的性價比。
2023-02-16 14:11:10419 間的氣體空隙，減小界面接觸熱阻，因而在功率器件熱管理中發揮著重要的作用。本文綜述了近年來國內外熱界面材料的研究進展，包括單一基體的熱界面材料、聚合物基復合熱界面材料和
2022-11-04 09:50:18896 
碳化硅功率器件主要應用于新能源車的電驅電控系統，相較于傳統硅基 功率半導體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級、開關損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優勢，有助于實現新能源車電力電子驅動系統輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發優質節能功率半導體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30301 
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