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隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發投入，國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

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期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，深圳市森國科科技股份有限公司蘭華兵做了題為“碳化硅MOSFET芯片設計及發展趨勢”的主題報告。SiC器件具有優異的特性，未來在高壓、高頻、大功率、環境惡劣的場景下將逐漸替代硅基功率器件。第三代半導體目前主流器件形式為碳化硅襯底-碳化硅外延功率器件，用以實現AC->AC(變壓器)、AC>DC(整流器)、DC->AC(逆變器)、DC->DC(升降壓變換器)，碳化硅器件更適合高壓和高可靠性情景，應用在新能源汽車和工控等領域。

他認為，SiC功率器件的未來，要提高器件的可靠性和效率。

可以從三個方面入手：

1、提高材料質量和工藝穩定性：碳化硅功率器件生產過程中需要控制材料質量和工藝穩定性，尤其是在制造高質量晶體時。此外，還需要采用先進的微細加工技術，提高器件的精度和一致性，從而提升器件的可靠性和效率。

2、 優化設計和結構：在碳化硅功率器件設計方面，需要考慮材料的特性和應用場景的要求，選擇最優的結構和參數。同時，還需要通過設計優化減少能量損失和熱效應，優化器件的電熱特性和穩定性。

3、改進封裝技術：碳化硅功率器件的封裝方式對器件的性能和可靠性影響很大。因此，需要優化封裝材料和結構，提高溫度承受能力和抗電氣應力能力。此外，還需要采用先進的封裝工藝，提高封裝可靠性和耐久性。

碳化硅功率器件的未來趨勢是朝著尺寸縮小的方向發展。

針對此趨勢，可以從以下方面進行更深入的探討：

1. 更小的芯片尺寸。碳化硅器件尺寸的縮小，可以通過采用更先進的制造工藝來實現，目標是在不增加器件大小的情況下提高芯片功率密度和效率。隨著尺寸的縮小，碳化硅器件的電路集成度不斷提高。高集成度的器件可以帶來更低的損耗和更小的體積，同時也可以實現更高的性能。

2. 更高的工作溫度。碳化硅器件的尺寸縮小還可以降低器件的熱阻，使得器件能夠在更高的溫度下正常工作。這對于一些高溫工作條件下的應用非常有益，例如航空航天、軍事和汽車行業等。

碳化硅功率器件隨著市場規模的快速增長，降低成本是未來大趨勢，可以從以下方面進行更深入的探討：更大尺寸的襯底，比如6寸到8寸；更高效的襯底長晶效率，大幅度提升良率；更低損耗的水冷激光切割；更高效的外延生長效率；進一步擴大晶圓代工的生產規模，以規模化降低生產成本。

在介紹新能源汽車應用方面，Yole 預測預計到 2027 年，SiC 器件市場將從 2021 年的 10 億美元業務增長到 60 億美元以上，主要包括新能源汽車、泛新能源市場。新能源汽車從400V平臺向800V平臺躍遷已是業內共識，可使汽車電池在10分鐘內充滿80%電量，解決“里程焦慮”和“充電焦慮”。SiC逆變器使得電源頻率增加，電機轉速增加，相同功率下轉矩減小，體積減小。800V 架構時代來臨，SiC 在高壓下較 IGBT 性能優勢更為明顯，損耗降低幅度更大。SiC 在新能源車主逆變器及 OBC 中滲透率將快速提升。至 2025 年全球新能源汽車消耗 SiC 襯底數量將達到 199.6 萬片/年。

報告還分享了泛新能源、光伏逆變、儲能、充電樁等領域的應用現狀與趨勢。此外，報告結合當前碳化硅材料及器件特性探討了最新技術進展，報告指出，提高器件的可靠性和效率，器件尺寸縮小，降低成本是SiC 功率器件未來重要的發展方向。SiC功率器件及模塊在新能源汽車及泛新能源，風光儲充的產業機會坡長雪厚。

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審核編輯：劉清