等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。由于PECVD可以在低溫條件下較快生長二氧化硅，所以用PECVD生長二氧化硅薄膜被廣泛應用于半導體光電子器件、
2020-09-29 15:07:21
9585 我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
，有如下反應：42 （2） 上式表明，被氧俘獲的電子釋放出來，這樣半導體表面載流子濃度上升，從而半導體表面電阻率減小。三、氧化物半導體甲烷傳感器的研究進展 盡管甲烷是分子結構最簡單的一種碳氫
2018-10-24 14:21:10
高科技術領域及許多行業中已得到應用：1在電子工業中的應用（1）多芯片式封裝用陶瓷多層基板：封裝用的納米氧化鋁陶瓷多層基板的制造方法有厚膜印刷法、生坯疊片法、生坯印刷法、厚薄膜混合法等四種。（2）高壓鈉燈
2016-10-21 13:51:08
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網`
2013-07-15 16:47:00
開始著手研究基于新材料、新結構的濾波器。薄膜體聲波諧振器(FBAR)是一種全新的射頻濾波器[2]。FBAR器件尺寸遠小于傳統的基于電磁波的介質濾波器，其工作頻率更高，且擁有更好的帶外抑制性能和更低
2019-06-21 06:55:09
匯集于薄膜的某一處，并按設計指定的位置和標準的線距向外延伸，作為柔軟的、可任意彎曲的、密封的引出導線與整機的后置電路相連。 硬性薄膜硬性薄膜開關是指開關的圖形和線路是制作在普遍的印刷線路覆銅板上。硬性
2015-01-07 13:46:11
回來，電路斷開，回路觸發一個信號。薄膜開關結構嚴謹，外形美觀，密封性好。具有防潮濕，使用壽命長等特點。廣泛應用于電子通訊、電子測量的儀器，工業控制，醫療設備，汽車工業，智能玩具，家用電器等領域。
2019-07-23 02:06:13
對LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質膜方面以對LIPON膜的研究為主；陽極膜方面以對鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環交通的提高。在薄膜鋰電池結構方面，三維結構將是今后研究的一個重要方向。
2011-03-11 15:44:52
光電子應用正在推動砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場進入一個新時代！在GaAs射頻市場獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
Molex 的薄膜電池由鋅和二氧化錳制成，讓最終用戶更容易處置電池。大多數發達國家都有處置規定;這使得最終用戶處置帶有鋰電池的產品既昂貴又不便。消費者和醫療制造商需要穿著舒適且輕便的解決方案
2024-01-26 15:51:04
蘇試宜特實驗室通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，直接掰開看斷面，這樣準確嗎？通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的；如果是金屬材料可能在切割時，樣品結構發生變化就不行了，所以要看是什么材料的氧化層。
2021-09-30 18:45:38
Verilog設計內外延時
2012-08-15 16:31:14
% 的能源浪費，相當于節省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統層面的能源利用率的提高。當我們發現，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產制造環節減少80
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
`二氧化鈦是一種高折射率材料，適于電子槍蒸鍍，膜層致密，牢固，抗化學腐蝕。可分為白色和黑色。顏色的不同主要因為生產環境的因素，白色是在大氣中燒結而成的，而黑色是在真空中燒結而成。在試用中，黑色比白色
2018-11-20 10:03:19
以晶態V2O5(c-V2O5)為原料,采用熔融淬冷法成功制取了V2O5薄膜電極,研究了該電極電化學阻抗譜(EIS)的基本形狀及其隨電位的變化,并用等效電路擬合了不同電位下的EIS,同時系統地測試分析了與電極材料性質和電極荷電狀態相聯系的一些參數。對引起這些界面參數變化的可能原因進行了解釋。
2011-03-10 12:11:28
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導體（MOS）結構。為確保透明，我們可以調整這種設計，將這些不透明金屬改變為透明導電材料如氧化銦錫，它廣泛應用于透明
2020-11-27 16:30:52
材料，將常規集成電路工藝和微機械加工獨有的特殊工藝相結合，全面繼承了氧化、光刻、擴散、薄膜、外延等微電技術，還發展了平面加『[技術、體硅腐蝕技術、固相鍵合技術、LIGA技術等，應用這些技術手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
的，有時甚至是有毒的材料，導致世界范圍內嚴重的生態挑戰。此外，電子產品的生產制備過程中消耗了大量的比如鎵銦等稀缺元素（銦鎵鋅氧化物已廣泛用于許多薄膜晶體管中，例如有源矩陣有機發光二極管背板，射頻識...
2021-09-16 07:21:41
的存在，致使金屬腐蝕的時候形成致密結構，也叫薄膜。因此改變了金屬的表面狀態，使金屬的電極電位向正方向改變，形成耐腐的鈍態。 2、防銹油：防銹油是利用油膜封閉金屬表面的氣孔，達到隔離與氧氣接觸，從而
2018-08-20 18:34:36
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
是碳性材質印刷制成，并且沒有保護涂層，受空氣氧化逐漸形成脫落層，到最后導致斷路而壽命終止，這是薄膜開關最容易出故障的地方，主要有環境所決定，不管使用與否，物理損壞時間是3-10年。一般適用范圍最為廣泛
2012-07-27 09:46:32
薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結構，所以，按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設計。考慮到開關觸點的分離和回彈的可靠性，薄膜的厚度一般選擇在0.125-0.2mm為最佳,過薄回彈無力，觸點分離不靈敏。過厚反應遲鈍增加操作力度。
2019-10-11 09:12:12
的存在，致使金屬腐蝕的時候形成致密結構，也叫薄膜。因此改變了金屬的表面狀態，使金屬的電極電位向正方向改變，形成耐腐的鈍態。 2、防銹油：防銹油是利用油膜封閉金屬表面的氣孔，達到隔離與氧氣接觸，從而
2018-08-20 18:31:28
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
扮演著關鍵的角色。與此同時，美國國防部還通過了高級研究計劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導體技術 (WBST) 計劃，該計劃在氮化鎵的早期開發中發揮了積極的推動作用。該項計劃于 2001 年正式啟動，力求
2017-08-15 17:47:34
激光器生長在氮化鎵/藍寶石模板上，位錯密度在108cm-2量級，如今氮化鎵激光器都生長在位錯密度為106cm-2量級或更低的氮化鎵自支撐襯底上，如圖3所示。 圖4、（a）由于外延結構各層生長
2020-11-27 16:32:53
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網
2013-07-15 16:49:07
。為了開發這些新的可彎曲產品，設計師現在可以使用現有的材料，如薄膜和塑料，來取代今天的硬電路板和大型電子元件。但他們很快就會有新的選擇。威斯康星大學麥迪遜分校進行的研究發現了一種利用木材制造功能微波放大器
2022-04-15 15:25:08
真正將集成模塊的概念付諸實現，在很大程度上取決于集成和封裝的工藝技術。1傳統封裝結構與互連方式存在的主要問題1 封裝技術是研究電力電子集成模塊的核心問題電力電子集成的基本思路可以分成單片集成和多芯片
2018-08-28 11:58:28
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
:NMKE.0.2010-01-007【正文快照】：1前言隨著納米薄膜技術的發展,如今采用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法可以制備出品質滿足體聲波器件所需擇優取向的PZT壓電薄膜,通過對其晶向結構和形貌的表征表明,制備
2010-04-24 09:00:23
肖特基二極管結構：肖特基二極管在結構原理上與。PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層）、二氧化硅消除邊緣區域的電場（提高管子耐壓）、N一外延層、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當SiO2膜較薄時，膜厚與時間成正比。SiO2膜變厚時，膜厚與時間的平方根成正比。因而，要形成
2019-08-16 11:09:49
物半導體在光電子器件中已經得到廣泛應用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測器都要用到p型寬帶隙氧化物半導體。目前這類氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結構氧化物[2]-[8]。在這類氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導電性以外,最近又報道了它的高溫熱電特全文下載
2010-04-24 09:00:59
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
硅來添加電子。 如果在任何其他寬帶隙氧化物中這樣做，結果可能是破碎的晶體和晶格斑點，這樣的話電荷會被卡住。氧化鎵能夠適應通過“離子注入”標準工藝添加以及外延生長（沉積額外的晶體）過程中添加的摻雜劑
2023-02-27 15:46:36
由于透明導電薄膜具有優異的光電性能，因而被廣泛地應用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
采芯網轉載：金屬氧化膜電阻器也是膜式電阻器的一種，它是用錫和銻等金屬鹽溶液(如四氯化錫和三氯化銻鹽溶液)，噴霧到熾熱的陶瓷骨架表面水解沉積而形成的電阻器。金屬氧化膜電阻器的導電膜均勻，其結構多為帽蓋
2016-12-09 18:22:57
“重組”氫氣和氧氣，用以釋放能量，將是理想狀態。 斯坦福大學研究人員在不同溫度條件下測試三種金屬氧化物，分別是釩酸鉍、氧化鈦和氧化鐵，所獲結果超出預想：溫度升高時，電子通過這三種氧化物的速率加快，所
2016-03-07 15:18:52
各位大神，目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
of Houston)的 Ignatiev 研究小組報道了PrxCa12xMnO3 ( PCMO) 氧化物薄膜電阻轉換特性后,人們才開始投入大量的精力和財力對 RRAM進行研究。
2019-10-10 09:02:30
通過對氧化鋁薄膜式濕度儀工作原理的介紹，分析了此類濕度儀的良好性能，并比較了壓力露點與常壓露點的數值差異針對寶鋼冷軋廠能源車間的在線實際應用較詳細地分析了影響
2009-03-16 09:26:33
17 采用靜電力自組裝和原位化學氧化聚合相結合的方法制備了聚吡咯/納米二氧化鈦(PPy/TiO2)復合薄膜，并進行了表面電阻測試及紫外–可見光譜分析、原子力顯微鏡分析。利用平面叉
2009-05-12 21:38:2717 通過對陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進行研究,將陽極氧化參數對多孔Al2O3 薄膜的結構和形態的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:5013 自旋閥結構薄膜及其自由層的特性研究劉 鵬（清華大學微電子學研究所，北京，100084）摘 要：基于自旋閥結構的磁傳感器因其優良的性能，在傳感器家族中具有越來越重要
2009-12-14 10:52:5534 GdFeCo/ TbFeCo 磁超分辨磁光記錄薄膜研究
用磁控濺射法制備了GdFeCo/ TbFeCo 交換耦合兩層薄膜,利用不同溫度的克爾磁滯回線和VSM 磁滯回線研究了讀出層( GdFeCo)
2010-02-22 15:31:1211 。本文將介紹薄膜電子拉力試驗機的原理、應用及操作方法。二、薄膜電子拉力試驗機的原理薄膜電子拉力試驗機采用電子力學原理，通過高精度的力傳感器和精密的機械結構，對樣品
2023-10-25 16:03:00
美國深特公司獨特的超薄膜氧化鋁(HTF)水分傳感器技術是在薄膜技術和氧化金屬學的基礎上發展而來，利用此技術制造的傳感器的測量靈敏性要遠遠大于利用其它技術制造的傳感器，
2011-01-01 22:47:0925 熱壁外延（HWE）在導電玻璃上生長GaAs薄膜引 言 目前，太陽電池應用最大的障礙就是成本高，世界商品化生產的太陽電池主要是單晶硅、多晶硅和非晶硅電池
2009-02-23 21:30:571108 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結晶軸方向，生長一層導電類型
2009-03-09 13:23:416889 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 海洋薄膜(Ocean Thin Films)現發布其用于氧化銦錫(ITO)薄膜上的獨有的 PixelTecTM 圖案式光學涂層技術。
2011-10-10 09:58:44669 本文將著重介紹氧化物無機 半導體材料 的光電化學研究領域的一些新進展. 本文簡述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復合涂層、SnO2: F 薄膜的發展概況及應用
2011-11-01 17:49:4847 壓電薄膜的制備、結構與應用
2017-10-17 14:16:1229 薄膜電容（Film Capacitor）器又稱塑料薄膜電容（Plastic Film Capacitor）。其以塑料薄膜為電介質。 薄膜電容器結構 薄膜電容內部構成方式主要是： 以金屬箔片（或者是
2017-12-01 17:16:4510905 微弧氧化是在金屬及其合金表面生成陶瓷膜的一種表面處理技術，微弧氧化生成的陶瓷膜具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、絕緣等優良性能，在航天、航空、汽車、電子、造船等領域具有廣闊的應用前景。微弧氧化已經成為一個研究熱點，電源是制約微弧氧化發展的一個重要因素，本文針對微弧氧化電源展開研究。
2018-11-26 08:00:006 中國科學院半導體研究所照明研發中心與北京大學納米化學研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團隊合作，開發出了石墨烯/藍寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預處理改性石墨烯，促進AlN薄膜生長實現深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:262919 
薄膜開關是整體結構密封，不易氧化，具有良好的防水、防塵、防油、防有害氣體侵蝕的特點，適合用于各種惡劣環境。
2019-11-14 11:53:072774 本文介紹了用μ-PCD方法對氧化物半導體薄膜晶體管的遷移率和Vth漂移的評價結果。
2021-12-20 15:22:23855 
引言 近年來，氧化鋅薄膜因其低成本、低光敏性、無環境問題、特別是高遷移率而被研究作為薄膜晶體管中的有源層來代替非晶硅。此外，氧化鋅的低溫制造使得在塑料薄膜上制造成為可能。氧化鋅(ZnO)半導體由于
2022-01-06 13:47:53582 引言 氧化鋅(ZnO)半導體由于在低沉積溫度下具有高電子遷移率，非常適用于有機發光二極管器件。其作為一種新的半導體層取代了薄膜晶體管中使用的非晶硅半導體，在表征方面取得了重大進展。氧化鋅的濕法圖形化
2022-01-14 13:15:45872 
薄膜晶體管TFTs采用氧化鋅等非晶氧化物半導體，如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO，由于其在平板顯示器上的高應用潛力，目前是深入研究的課題。由于其相對于
2022-01-14 13:54:35434 
引言 對于在涂有氧化錫的玻璃基板上制造的薄膜光伏組件中，有時會觀察到電化學腐蝕效應。電化學腐蝕效應可能發生在薄膜光伏(PV)模塊中，這些組件在氧化錫鍍覆玻璃上制造，在高壓和高溫下工作。目前的研究表明
2022-01-17 13:27:47589 
近十年來，濕化學法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結構的技術和研究取得了迅速發展。這種結構最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關。
2022-03-11 13:57:22828 
）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發光（PL）光譜進行表征，以允許對它們的結構和光學性質進行檢查。XRD結果表明，當薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時間時，ZnO的強度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:20930 
本文介紹了我們華林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34563 
本文介紹了我們華林科納采用射頻磁控濺射系統，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備出表面紋理的氧化鋅。研究了合成膜的形貌、光學和電學性質對蝕刻劑濃度的影響，得到了具有良好捕光特性的高效表面紋理氧化鋅薄膜。
2022-05-09 17:01:311343 
據麥姆斯咨詢報道，近期，一支由中國礦業大學、中國空間技術研究院、哈爾濱工業大學的研究人員組成的團隊設計并研制出一種基于超材料的寬帶微波/紅外兼容隱身結構器件，該結構包括基于氧化銦錫（ITO）薄膜制備
2022-09-28 09:50:362397 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二維半導體薄膜在任意表面的異質外延技術 上海超級計算中心用戶北京大學陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數和三維架構基底上異質外延生長半導體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術
2022-10-19 20:20:571531 
如果按薄膜電容的內部結構來劃分，我們可以把薄膜電容分為卷繞式結構和疊片式結構，如果沒有見過薄膜電容生產過程的人，估計很難想象它們內部到底有什么區別，今天就來用詳細的圖片介紹薄膜電容的內部結構。
2022-11-28 16:07:031290 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區域實現外延生長。
2022-11-29 16:05:151708 如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。
2022-12-21 10:21:58557 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:22876 氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制造P型半導體。近期斯坦福、復旦等團隊已在實驗室實現了氧化鎵P型器件，預計將逐步導入產業化應用。
2023-02-27 18:06:43944 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結構，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩定的結構。目前學術上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012113 
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，有著顯著的優勢和巨大的發展潛力，越來越得到國內外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
近年來，薄膜陶瓷基板在電子器件中的應用逐漸增多。在制備和應用過程中，介電常數是一個極其重要的參數，不同介電常數的薄膜陶瓷基板在性能方面存在較大差異。本文旨在研究介電常數對薄膜陶瓷基板性能的影響，為薄膜陶瓷基板的制備和應用提供理論依據和實驗數據。
2023-06-21 15:13:35632 
金剛石異質外延已發展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質量的異質外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質外延單晶金剛石的發展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:23845 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測器研究機構和生產商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界面的表面形貌、晶體質量和界面性能進行了系統研究。
2023-11-23 15:14:40232 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
薄膜電容是一種常見的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優點，廣泛應用于各種電子設備中。薄膜電容的工藝與結構對其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對薄膜電容的工藝與結構進行詳細的介紹
2024-01-10 15:41:54444 
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