12月7日消息，據國外媒體報道，保密文化傳統濃厚的蘋果開始作出了改變，將對外公布在人工智能方面的研究成果，并參加人工智能方面的學術活動。
2016-12-07 19:22:30
483 物聯網是信息化時代的重要產物與標志，其出現給軍隊建設和作戰方式帶來巨大影響，與信息化戰爭更是息息相關。物聯網在軍事領域取得了哪些研究成果，帶來了哪些影響？
2017-01-04 09:23:555865 關鍵詞。未來有哪些實驗室技術研究成果會給LED行業帶來重大影響。小編選擇了新興產業智庫對LED前沿五種技術的分析與大家分享。
2017-01-11 07:52:551906 電子器件散熱研究現狀，分析了進一步的發展方向; 發現針對電力電子器件散熱技術的基礎理論研究成果較為豐富，并且在散熱器的幾何和結構優化及散熱系統風道設計等方面的研究也已十分深入，不少論文針對性的提出了多種
2023-11-07 09:37:08776 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:091026 
我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
領域的研究動態以及研究成果。 電子科技大學教授明鑫帶來了功率GaN器件驅動技術的報告，分享了該技術領域的最新進展。（根據會議資料整理，如有出入敬請諒解。）
2018-11-05 09:51:35
IMT-Advanced系統作為下一代移動通信系統，正日益成為人們關注的焦點。本文介紹了當前該系統在空中接口關鍵技術方面的研究成果，并對其候選技術方案進行了比較。可以看出，IMT-Advanced系統相比于3G和E3G
2019-04-28 09:57:16
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業以及醫療系統應用推動固態功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
和Ag-In瞬態液相鍵合技術進行了研究。 實驗 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的封裝襯底。DBC襯底使用了一個夾在兩片0.2032mm銅板之間
2018-09-11 16:12:04
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
和學習，現申請此開發板。項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究計劃：研究碳化硅功率器件的開關行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機伺服控制系統中的驅動技術。預計成果：以上研究及測試總結報告
2020-04-21 16:04:04
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授，一直在從事高品質的半導體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發情況、研究成果對未來的應用前景產生的影響，森教授進行了訪談。目前，功率半導體的應用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
相關科研單位和高新技術企業，宣傳展示他們在圖像圖形技術領域的研究成果、新產品和市場化內容。歡迎全國技術領域的同仁前來參加！
2013-09-25 16:08:41
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
現在對于儀器儀表行業來說，是機遇與挑戰并存，高新技術的迅猛發展，各項研究成果與技術的突破，預示著儀器儀表行業迎來的是新的契機。精密機械的研究成果、分子層次的現代化學研究成果、基因層次的生物學研究成果
2014-06-23 17:03:46
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
和大家分享一下IEDM的最初體驗以及IEDM的最新研究成果
2021-04-13 06:50:39
半導體材料從發現到發展，從使用到創新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
1.2.1 柔性可穿戴天線研究現狀國內關于柔性可穿戴天線的研究仍處于起步階段，關于柔性可穿戴天線方面的研究成果并不多，主要集中在北京郵電大學、東南大學、西安電子科技大學、華南理工大學等高校。近些年
2018-03-01 10:07:33
隨著半導體材料和工藝的不斷發展，微波/毫米波功率半導體器件的輸出功率量級越來越大， L 波段功率晶體管的脈沖功率已達千瓦量級; X波段功率砷化鎵場效應管連續波達到幾十瓦，脈沖功率達到500W。但限于
2019-07-09 06:15:48
隨著通信技術的發展， 射頻電路在通信系統中得到了廣泛的應用。功率放大器的研究和設計一直是通信發展中的重要課題。近年來，基于模糊神經網絡的射頻器件和電路建模的研究取得了巨大的成果，對大規模集成電路和復雜電路的建模有著巨大的啟發意義， 成為當今研究的熱點之一。
2019-10-08 14:13:27
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
的通信功率控制技術:反向功率控制與前向功率控制,集中式功率控制與分布式功率控制,開環功率控制,閉環功率控制和外環功率控制;還介紹了基于博弈論的CDMA系統功率控制。在前人研究成果的基礎上,參考近年來
2010-04-24 09:24:23
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
碳納米管導電薄膜，設計并制備了具有寬檢測范圍、高靈敏度的疊層結構柔性振動傳感器件，并建立了其摩擦物體表面時振動頻率與物體表面紋理粗糙度的模型。相關研究成果被《先進科學新聞》報道。張珽表示，該柔性仿生指紋
2018-09-21 11:53:21
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
×10-4/℃；化學穩定性好。這種電阻器的電阻率較低，小功率電阻器的阻值不超過100千歐，因此應用范圍受到限制，但可用作補充金屬膜電阻器的低阻部分氧化膜電阻特點1、耐熱、耐濕、超負載穩定性良好2、皮膜堅硬
2013-07-15 16:47:00
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
被用作絕緣體了，而氧化鎵有一組獨特的特性，它可以作為功率切換和射頻電子器件的半導體從而發揮巨大作用。它的特點之一是，通過摻雜的方法，可以在氧化鎵中加入電荷載流子，使其更具導電性。摻雜包括向晶體添加
2023-02-27 15:46:36
論述了金屬氧化物SnO 2 的氣敏機理, 并對通過摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物以及形成復合型、多組分氧化物等方法制備SnO 2 薄膜氣敏傳感器的最新研究成果進行了簡要介紹。
2009-06-27 08:35:49
28 在論述二氧化錫氣敏機理的基礎上，介紹了通過摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現狀，并對
2009-07-03 09:01:0916 在論述二氧化錫氣敏機理的基礎上，介紹了通過摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現狀，并對其
2009-11-23 14:07:1028 95華梵大學機電工程學系專題研究成果報告
2010-07-17 17:41:4020
新型功率器件MCT關斷模型的研究
摘要：介紹了新型功率器件MCT（MOS控制晶閘管）的基本結構，工作原理。詳細地探討了MCT在
2009-07-07 10:39:461921 
中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家實驗室的研究人員利用原子力針尖誘導的局域催化還原反應，實現了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關研究成果日前在線發
2012-11-23 09:29:301359 蘋果在月初曾表示，將會公開發表他們的 AI 研究成果。而首份論文也在日前亮相，主題是電腦的“視覺辨識”。
2016-12-30 18:03:11267 近日，中國科學院大連化學物理研究所二維材料與能源器件研究組研究員吳忠帥團隊利用紫外光還原氧化石墨烯技術，一步法實現了氧化石墨烯的還原與石墨烯圖案化微電極的構筑，批量化制備出不同構型的微型超級電容器。相關研究成果發表在ACS Nano（DOI：10．1021／acsnano．7b01390）上。
2017-04-18 17:45:531828 胡良兵教授及其合作者近年來在纖維素機械性能研究領域取得了一系列開創性的成果。在2015年，他們在PNAS上報道了一種制備同時具有高強度和高韌性的纖維素納米紙。而一個月前，他們又在Nature在線發表關于超級木頭的最新發現，通過一種簡單有效的方法，把原生木材直接處理成為一種超強超韌的高性能結構材料。
2018-04-01 10:28:2911629 數碼相機的像素值早在2015年的時候就有高達2.5億像素的展示了，當時 佳能 表示尚在研發。而近日佳能展示了兩段宣傳片，展示其在數碼相機領域的研究成果——分別是1.2億像素 傳感器 以及適用于超低
2018-04-05 13:36:005740 綜述主要關注金屬材料中NT和HNT諸結構的實驗、原子和理論方面的最新研究成果。
2018-04-25 14:42:124156 
Floris de Lange教授主要研究大腦如何利用先驗的知識經驗對輸入進行主動預測，從而幫助我們知覺外部世界，做出決策。
2018-05-25 15:49:023301 
本文首先介紹了功率半導體器件分類，其次介紹了大功率半導體器件的發展及國內外功率半導體器件的發展，最后介紹了功率半導體器件的研究意義。
2018-05-30 16:07:3914984 近日，中南大學冶金與環境學院賴延清教授團隊針對高能二次電池的研究成果先后在線發表于能源材料領域國際頂級期刊《Advanced Materials》(IF=19.79)和《Energy Storage Materials》(IF≈13.31)。
2018-06-23 10:08:001207 
北京時間8月14日，谷歌DeepMind發布了一項研究成果，該研究報告稱谷歌與Moorfields眼科醫院合作產生了第一階段研究成果，人工智能系統可以準確地診斷超過50種威脅視力的眼科疾病且有助于醫生確定需要緊急治療的患者順序。
2018-08-14 16:36:321379 中首次嵌入了某種類型的AI能力。其研究成果是一種類似于人類大腦的神經計算，只不過是在微型器件中運行。這項研究成果意味著可以在微型器件內進行AI數據處理，從而為邊緣計算創造了無限可能。
2018-11-18 10:30:00992 NVIDIA應用深度學習研究副總裁Bryan Catanzaro表示：“研究論文中總會提出各種又新又酷的想法，但這些想法往往只能被一小部分特定的人群讀懂，而我們正在嘗試讓我們的研究成果變得更加通俗易懂。AI Playground可以讓每個人都能與我們的研究成果進行互動，并從中獲得樂趣。”
2019-04-03 12:21:153724 近日，眾多全球頂級機器人學研究人員帶著他們的前沿成果，亮相ICRA 2019。麻省理工學院、紐約大學和賓夕法尼亞大學等NVAIL（NVIDIA AI實驗室）合作伙伴也參與其中，展示其各自的研究成果——基于NVIDIA平臺進行實時推理。
2019-06-07 12:44:003218 在昨天結束的發布會上，被人稱之為“科學狂人”的馬斯克用難以抑制的興奮向大眾展示了其最新的研究成果——大腦芯片植入！
2019-07-22 10:14:025125 諾基亞貝爾與中國電信共同展示了業內首個基于射線跟蹤信道模型及真實環境的高速鐵路（高鐵）5G模擬系統等聯合研究成果，借助領先的創新技術向與會觀眾全面展示了未來無線通信在嚴苛的高鐵環境下，5G應用仍可實現在任何地方達到100Mbps速率的5G目標。
2019-11-07 14:39:09901 3月28日，在華為開發者大會2020（Cloud）第二天，除了宣布全場景AI計算框架MindSpore在碼云正式開源，華為還全面分享了在計算視覺領域的基礎研究成果。
2020-03-28 13:52:361918 從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質因子要比SiC高出二十倍。對于各種應用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 GaN功率器件具有工作頻率高、導通電阻小、溫度特性好等優點，已成為未來高功率密度電源系統的首選器件。在高功率密度電源系統應用中，如何降低系統EMI噪聲和損耗是當前GaN功率驅動芯片面臨的一個重要挑戰。
2021-03-11 15:01:153105 研究成果表明，基于英特爾? 傲騰? 持久內存的 FEDB 可有效滿足企業超高維稀疏特征在線預估場景的需求，在保證線上推理服務超高性能的同時，大幅降低了企業 AI 整體投入成本，提升了線上服務的質量，進一步掃清了企業 AI 規模化應用的障礙。
2022-03-10 17:38:431939 近日，Nature子刊Nature Neuroscience接收了一項由字節跳動海外技術團隊與新加坡國立大學等機構合作的研究成果。Nature Neuroscience是神經生物學領域最頂級的刊物之一。
2022-05-20 16:53:062895 
PACIS 2022會議上，西安交通大學特聘教授Jae Kyu Lee（國家級引進人才、在全球信息系統領域具有較高學術知名度和專業權威性）帶隊發表了軟通動力參與的陽光互聯網項目研究成果《個性化
2022-09-07 15:35:51468 ? 【華東理工:自供電可穿戴傳感器領域的最新研究成果】 可穿戴電子設備近幾年發展迅速，其目標是輕量化、小型化和高度集成。作為可穿戴電子設備之一的可穿戴表皮傳感器的趨勢是迅速將輸出的生理信號轉換為易于
2023-02-21 01:14:15749 本文首先介紹了 IGBT 技術的研究現狀，并對 IGBT 不同結構的特點和電學特性做了簡要闡述；最 后列舉了一些最新的研究成果，并探討了 IGBT 的 相關問題，最后對 IGBT 未來的發展方向做了總結展望。
2023-02-24 09:45:072816 近日，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟在北京亦莊舉行了汽車芯片標準體系建設研究成果發布儀式。在國家部委領導、地方政府領導、參研單位、行業專家及相關支持單位的共同見證下，聯盟秘書長原誠寅發布了《汽車芯片
2022-07-28 10:10:50544 
48.5W，電光轉換效率（PCE）峰值高達72.6%，30W功率點的PCE大于67%，35W輸出時的PCE仍高達64.5%！研究成果《48Wcontinuous-wave
2022-11-10 10:08:00569 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現大尺寸單晶襯底等優勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發優質節能功率半導體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30301 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢，是國際半導體領域的研究熱點。
2023-08-09 16:14:42522 
2023年7月5日，捷易科技自研的“基于開放性智能設備識別與配置的物聯網終端管理云平臺的開發應用”科學技術研究成果經評審、公示獲準登記，榮獲國家工業和信息化部頒發的科學技術成果登記證書。本次評定
2023-08-01 08:29:31753 
生成式AI正為醫療大模型迭代按下加速鍵。 近日，商湯科技聯合行業合作伙伴，結合生成式人工智能和醫療圖像數據的多中心聯邦學習發表的最新研究成果 《通過分布式合成學習挖掘多中心異構醫療數據
2023-09-12 18:50:02564 
激光填絲焊接的研究為解決無填絲激光焊接在應用中受到的限制提供了有效的解決途徑。然而，通常所說的激光填絲焊接多指大功率或超大功率的激光填絲焊接，這類焊接主要針對較大或較厚的零部件，且已有大量研究成果和文獻報導。
2023-10-20 15:25:01197 
10月26日，2023數字經濟企業研究成果發布暨研討會在京舉辦，中國企業評價協會與中國信息通信研究院公布“數字經濟企業TOP500”。軟通動力以優秀的數字技術服務實力及助力數字經濟發展所做出的貢獻
2023-10-29 15:55:01174 
百度最新研究成果登上Nature子刊封面，文心生物計算大模型獲國際頂刊認可！
2023-11-25 11:25:56614 
英特爾研究院將重點展示31項研究成果，它們將推進面向未來的AI創新。 ? ? ? ?英特爾研究院將在NeurIPS 2023大會上展示一系列富有價值、業界領先的AI創新成果。面向廣大開發者、研究
2023-12-08 09:17:21379 市舉辦。 在NeurIPS 2023上，英特爾研究院將展示其最新AI研究成果，并和產業界、學術界分享英特爾“讓AI無處不在”的愿景。大會期間，英特爾研究院將發表31篇論文，包括12篇主會場論文和19篇研討會論文，并在405號展臺進行技術演示。這些研究的重點是針對AI在科
2023-12-08 19:15:04335
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