本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06
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極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管?！ ∑鋬烖c是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導體廠商通常都通過參考設計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
至半導體內部導致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質可能遷移到晶片內部導致失效?！ TRB試驗可以使這些失效加速呈現，排查出異常器件。基本半導體碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
上，對介電常數要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應汽車需求而特別開發的產品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求?！ ∠噍^于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管。 當T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
下一代電源半導體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
個關鍵技術方向對現有碳化硅功率器件的封裝進行梳理和總結，并分析和展望所面臨的挑戰和機遇。1、低雜散電感封裝技術目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統 Si器件的封裝方式，如圖 1 所示。該方式
2023-02-22 16:06:08
）功率器件產業化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業生產件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?！ ?、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
來源：羅姆半導體社區? 作為第三代半導體中的明星，碳化硅因為其獨有的特性和優勢受到各方青睞。尤其是時下電動汽車市場的火爆，助推了碳化硅器件的發展與應用。不過，作為新興事物，碳化硅器件的產品良率及價格
2022-12-27 18:08:19853 碳化硅半導體器件供應商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日，毅達資本在官方微信宣布，已完成對致瞻科技的投資。依托核心團隊10余年的碳化硅功率半導體設計和驅動系統研發經驗
2020-11-30 10:33:272199 碳化硅器件在電動汽車中的應用介紹說明。
2021-06-10 10:51:08
72 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 中，基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術，打造
2021-12-31 10:55:432797 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161072 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 。 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅較寬的禁帶寬度保證了其可擊穿更高的電場強度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件，是電動汽車、5G 基站、衛星等新興領域的
2022-11-28 16:51:24498 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許
2022-12-30 13:57:49632 
半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 采用其他材料來代替。 而以碳化硅為代表的第三代半導體，與單晶硅和砷化鎵等傳統半導體材料相比，具有明顯的優勢： （1）碳化硅具有高熱導率（達到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散熱效果好，理論上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:25770 功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內碳化硅功率器件供應商的產品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 在半導體材料領域，碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 具有競爭力的碳化硅來源。天科合達將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額?！?英飛凌是國際著名的半導體公司，其前身是西門子集團的半導體部門，英飛凌技術實力雄厚，在功
2023-05-04 14:21:06438 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規?；a的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展，一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042 目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結構和漂移區參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內容進行分析。
2023-08-31 14:14:22286 汽車領域中得到了廣泛的應用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優勢及應用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導體器件，它的工作原理與傳統的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:421880 ? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ?? 意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現
2023-09-07 08:10:01409 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
目前汽車業仍結構性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產能，預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46241 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力，將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）和傳統硅半導體（Si）是兩種常見的半導體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而，碳化硅相對于傳統硅半導體具有一定的優缺點。 優點： 更高的熱導率：碳化硅的熱導率是傳統硅半導體
2024-01-10 14:26:52231
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