R系列IGBT-IPM的內部結構電路
2010-02-18 21:59:51
1805 
IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發展起來的。在VDMOS結構的漏極側N+層下，增加一個P+層發射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成
2010-11-09 17:01:073893 
目前國內大部分生產廠商已經采用IGBT結構的感應加熱電源，這種結構的加熱電源能夠維持長時間高效工作，且安全性比較高，因此比較受到生產商和消費群體的歡迎。
2016-03-18 11:36:361559 隨著快充市場的飛速發展和競爭加劇，對整體方案降本的要求更加嚴苛，為了更好地支持客戶提升競爭力與優化性價比，晶豐明源推出了契合市場需求、集成具有IGBT結構的復合功率管快充方案：BP87112&BP6211B，幫助客戶在內卷化的競爭中贏得先機。
2022-07-10 11:35:352309 IGBT 功率模塊工作過程中存在開關損耗和導通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結構產生溫度梯度。并且結構層不同材料的熱膨脹系數( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 為了理解IGBT進入退飽和的過程機理，我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結構上的區別：簡單來看，IGBT在MOSFET的基本結構上增加了一個P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區域的電子
2023-01-17 13:59:2912950 
IGBT，中文名稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優點。
2023-02-20 17:21:123602 
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導體器件。它結合了MOSFET和雙極晶體管的優點，具有MOSFET輸入電阻低、雙極晶體管輸出電流大的特點，是目前常用的高壓、大電流開關器件之一。
2023-02-28 18:12:262207 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成，是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件，是實現電能轉換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發展方向之一。
2023-09-22 16:54:103344 
IGBT的結構中絕大部分區域是低摻雜濃度的N型漂移區，其濃度遠遠低于P型區，當IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01596 
IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成PN 結 J1，并由此引出漏極，柵極和源極則完全與MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12786 
VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。IGBT基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。導通IGBT硅片的結構與功率
2012-07-09 14:14:57
、設計和應用的工程技術人員和高等院校相關專業師生閱讀參考?！ ”緯诮榻BIGBT和IPM結構與特性的基礎上，結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢，全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術，突出
2011-11-25 15:46:48
而言，其工作頻率在 20KHz 以下，工作電壓在 72V 以下，故 IGBT 和 Mosfet 都可以選擇，所以也是探討比較多的應用。**特性對比： **Mosfet 和 IGBT 在結構上的主要差異
2022-09-16 10:21:27
目前國內大部分生產廠商已經采用IGBT結構的感應加熱電源，這種結構的加熱電源能夠維持長時間高效工作，且安全性比較高，因此比較受到生產商和消費群體的歡迎。然而。雖然國內采用IGBT取代晶閘管和電子管
2018-10-09 14:30:21
技術取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無需再使用更為復雜的IGBT結構。在電動汽車、軌道交通領域
2023-02-16 15:36:56
IGBT模塊在列車供電系統中的應用及保護 摘 要：介紹了IGBT模塊的結構、特點及其在列車供電系統中的應用，探討了對IGBT的保護問題?！ ￡P鍵詞：IGBT;應用;保護 2O世紀8O年代初
2012-06-01 11:04:33
IGBT的內部結構及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內部結構是怎樣組成的？IGBT的特點有哪些？
2021-10-15 06:01:58
的。IGBT故障的原因是什么？IGBT的故障模式表現為某些關鍵電氣參數退化（例如漏電流、閾值電壓）或功能喪失（無法關閉）。故障原因可能是由于環境條件或操作條件造成的。IGBT是晶閘管嗎？雖然IGBT的結構
2023-02-02 17:05:34
以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 2、傳統的功率MOSFET為了等一下便于理解IGBT，我還是先講下Power MOSFET的結構。所謂功率MOS就是要承受大功率
2020-08-09 07:53:55
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
2019-09-11 11:31:16
，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過這兩者的復合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時也是兼顧低飽和
2019-03-27 06:20:04
的固態半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在應用中，IGBT和MOSFET都可以用作靜態電子開關。 在結構
2022-06-28 10:26:31
H橋IGBT功率單元及試驗裝置的母線結構
2019-11-05 06:25:44
和IGBT的結構特點MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合
2022-04-01 11:10:45
、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 MOS管與IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示
2020-07-19 07:33:42
、中、右圖分別為傳統IGBT、二極管和RC-IGBT的結構示意圖。圖中的RC-IGBT為雙向導電IGBT基本的結構。該結構基于IGBT的薄片工藝，將二極管的陰極集成到IGBT的陽極中，于是傳統IGBT
2019-09-26 13:57:29
的基礎上，講解了IGBT的結構和工作特性、IGBT模塊化技術、IGBT驅動電路設計、IGBT保護電路設計、IGBT應用電路實例等內容?！?b class="flag-6" style="color: red">IGBT驅動與保護電路設計及應用電路實例》題材新穎實用、內容豐富
2021-07-24 17:13:18
`本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上，結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢，全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術，突出實用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
和總結了IGBT的典型應用電路設計實例，以供從事IGBT應用電路設計的工程技術人員在實際設計工作中參考。全書共分為6章，在概述了IGBT的發展歷程與發展趨勢的基礎上，講解了IGBT的結構和工作特性
2022-02-17 11:29:03
不一樣了。。。故事，就從這兒說起吧。。。史前時代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+ buffer, N- base外延，最后在外延層表面形成元胞結構。它
2021-05-26 10:19:23
近幾年，國內IGBT技術發展也比較快，國外廠商壟斷逐漸被打破，已取得一定的突破，國內IGBT行業近幾年的發展大事記：（1）2011年12月，北車西安永電成為國內第一個、世界第四個能夠封裝6500V
2021-03-22 19:45:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 編輯
有哪位高手可以解釋一下N- LAYER , N+ BUFFER LAYER , 以及P+襯底的作用，希望能夠詳細一點，我在晚上實在查不到，如果可以的話，按這張圖的每一個區都解釋下，十分感謝！{:soso_e101:}
2011-09-08 23:52:42
優化工藝，將PWell拐角——即電場最強處的N型區去掉，達到了既能降低IGBT的VCEsat，又不明顯降低IGBT的耐壓的目的。（a）SPT IGBT結構示意圖（b）SPT+ IGBT結構示意圖圖
2015-12-24 18:23:36
電動汽車、風能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡介圖 1 功率MOSFET和IGBT結構示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環和溫度循環特性，并增加IGBT 結構強度，大大提高了IGBT的壽命預期。2.混合動力車輛中功率半導體模塊的要求1）工作環境惡劣（高溫、振動）IGBT位于逆變器
2018-12-06 09:48:38
、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT結構 上圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵
2019-03-05 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管基礎IGBT結構及工作原理IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
），到現在的超結IGBT（SJ-IGBT），新結構層出不窮，并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
IGBT資料包含了以下內容：
IGBT 的基本結構IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效應和安
2007-12-22 10:41:42
251 AtecD 系列高頻/AtecF 系列中頻感應加熱電源
1、AtecD 高頻和AtecF 中頻系列產品簡介AtecD高頻和AtecF 系列中頻感應加熱電源為新型DSP＋IGBT 結構的高效節能產品；該產品為IGB
2010-04-07 10:34:5167 簡要介紹絕緣柵極晶體管（IGBT）的結構、特點及其在鐵路供電系統中的應用。重點討論IGBT模塊在鐵路客車DC600V供電系統逆變器中的應用與保護。IGBT模塊具有損耗小，便于組裝，開
2010-12-25 17:20:09101 IGBT在客車DC 600V系統逆變器中的應用與保護
1．1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211331 
IGBT(NPT型結構)的寄生組件和等效電路
2010-02-17 17:21:381855 
D型IPM的結構及IGBT的等效電路
2010-02-17 23:20:201442 
IGBT的結構和工作原理
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵
2010-03-04 15:55:315186 汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用
針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環和溫度循環特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231302 
1.IGBT的基本結構
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國
2010-05-27 17:29:3812136 
AtecD高頻和AtecF系列中頻感應加熱電源為新型DSP＋IGBT結構的高效節能產品；該產品為IGBT逆變、并采用DSP進行全數字式精確控制，在各種工況下能始終保證IGBT工作在ZCS開關狀態；全空冷結構降低了系統損耗，并徹底消除了設備來自水系統的故障；完善的限制保護
2011-02-27 21:32:3497 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2017-05-03 10:15:387851 GTR和MOSFET復合，結合二者的優點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設備的主導器件。
2017-06-05 17:01:133268 本文主要介紹了IGBT的結構、工作原理以及如何用萬用表判斷IGBT的好壞。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體
2018-01-12 09:30:5959643 
提出一種采用IGBT集電極漏電流對其芯片性能退化進程進行監控的健康狀態監測方法?；?b class="flag-6" style="color: red">IGBT基本結構、半導體物理和器件可靠性物理學，對IGBT電氣特征量一一集電極漏電流的產生機理、運行規律與性能
2018-01-16 15:59:324 溝槽柵場終止型代表了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的最新結構。由于溝槽柵結構與平面柵結構在基區載流子輸運、柵極結電容計算等方面存在較大的不同，沿用平面柵結構的建模方法不可避免會存在較大的偏差
2018-02-01 14:25:100 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2018-06-28 09:51:43154740 
IGBT作為具有開關速度快，導通損耗低的電壓控制型開關器件被廣泛應用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領域?，F在IGBT的使用比較關注的是較低的導通壓降以及低的開關損耗。作為開關器件，研究它的開通和關斷過程當然是必不可少的，今天我們就來說說IGBT的開通過程。
2019-01-01 15:04:0048899 
NPT-IGBT 結構雖然沒有緩沖層，但是它的反向阻斷能力依然很差，因為芯片的尺寸是有限的，在切割芯片時，如果切割線穿過了承受高壓的pn結，晶格損傷和應力會引起很大的反向漏電流，導致擊穿電壓和長期穩定性的降低。
2018-12-28 15:55:2714571 
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT，所以今天我們來聊一聊IGBT的設計的相關要點，當然只是從我們比較關心的幾點出發，概括性地來說一說。而沒有深入到物理參雜等方面，希望可以對你們有所幫助。
2019-06-29 09:44:2329519 
場阻型IGBT（Field-Stop IGBT，FS-IGBT）是近年來出現的一類非常重要的IGBT結構，FS層能實現通態損耗與器件耐壓以及通態損耗與開關損耗之間的良好折中，因此FS型IGBT已經
2019-12-19 17:59:0025 絕緣柵雙極晶體管本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會 IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。
2020-01-08 16:39:0012 IGBT的結構多種多樣，但從縱向結構來看可歸為穿通型，非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據為：臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結耗盡層的擴展是否穿透了N-基區。
2020-04-10 10:21:379421 
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元（1200VIGBT）。
2020-05-02 17:47:002596 本文檔的主要內容詳細介紹的是IGBT的基本結構和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結構，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應和安全工作區，IGBT 的驅動與保護技術，集成
2020-09-10 08:00:0019 電子發燒友網為你提供詳細的介紹IGBT的結構及應用特點，收藏以后用得上資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-12 08:53:3117 IGBT的結構 一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間
2021-06-12 17:22:007913 大家好，今天我們聊一下IGBT模塊內部結構。IGBT作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車與新能源裝備等領域應用極為廣泛，被譽為半導體皇冠上的明珠。作為一名電力電子打工
2022-04-20 11:19:5619847 的典型應用電路設計實例， 以供從事 IGBT 應用電路設計的工程技術人員在實際設計工作中參考。 全書共分為 6 章， 在概述了 IGBT 的發展歷程與發展趨勢的基礎上， 講 解了 IGBT 的結構和工作特性。
2022-04-24 17:39:2235 IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。
2022-08-18 16:37:464063 事實上IGBT的結構與MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+層，“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優點的同時，增加了載流能力和抗壓能力。
2022-08-22 15:57:201421 IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一個有MOS Gate的BJT晶體管。奇怪吧，它到底是MOSFET還是BJT？其實都不是又都是。不繞圈子了，他就是MOSFET和BJT的組合體。
2022-10-09 09:19:472989 高的優點，又具有雙極型功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強的優點。 IGBT的結構 IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率管MOSFET的N+基板(漏極)上
2023-02-22 15:00:120 為了更好了解IGBT，下面我們再來看看它的內部結構：一般，IGBT 有三個端子：集電極、發射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結構其實就相當于是一個四層半導體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實現的，它們構成了 P-N-P-N 排列。
2023-02-22 15:58:183058 
）；2.雙極型：基于PN結的電力二極管、晶閘管、 GTO、GTR 。3.復合型： IGBT(絕緣柵型晶體管) GTR和GTO是雙極型電流驅動器件，由于具有電導調制效應，其流通能力很強，但開關速度較慢，所需
2023-02-23 09:18:560 在電子電路中，MOS管和IGBT管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:254 本文首先介紹了 IGBT 技術的研究現狀，并對 IGBT 不同結構的特點和電學特性做了簡要闡述；最 后列舉了一些最新的研究成果，并探討了 IGBT 的 相關問題，最后對 IGBT 未來的發展方向做了總結展望。
2023-02-24 09:45:072816 在垂直方向上，IGBT結構經歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場截止型（field stop，FS），使器件的整體性能不斷提高。
2023-05-06 17:44:241224 
一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結構和工作原理，不同的行業對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關器件，開通和關斷的過程
2023-05-25 17:16:251262 
貞光科技從車規微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產業鏈供應解決方案！IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率
2023-03-30 17:33:362481 
激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。隨著IGBT技術發展和薄片加工工藝研發
2023-05-16 10:45:11897 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
對于對稱IGBT結構，N基區寬度為200μm，通態集電極電流密度為100Acm-2，P+集電區/N基區結處空穴濃度(P0)，計算得到空穴載流子密度。
2023-07-07 14:48:58190 
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場效應管)復合而成
BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :雙極性晶體管(晶體三極管)，“雙極性"是指工作時有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電。
2023-07-27 10:12:08487 
超結IGBT的結構特點及研究進展
2023-08-08 10:11:410 在現今IGBT表面結構中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的
2023-10-18 09:45:43275 
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導通，電壓為0時可以讓其關斷，那么加一個反壓呢？IGBT會是什么情況？ 關于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結構、工作原理以及反壓對其產生
2023-10-19 17:08:11861 MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
等領域。盡管它們有一些相似之處，但在結構、特性和應用方面存在顯著的差異。 首先，讓我們來看一下IGBT的基本結構。IGBT是一種三極管型器件，結合了MOSFET的驅動能力和雙極型晶體管的低導通壓降特性。它由一個P型襯底、一個N型集電極、一個P型獨立柵控極和一個N型漂移區組成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:33575 開關器件。雖然它們的名稱相似，但在構造、原理和應用方面存在一些不同之處。 結構與構造差異： IGBT是一種由晶體管和MOSFET結合而成的雙極型功率開關器件。它由三個控制結構——門級結、PN結和PNP
2023-12-25 15:09:09399 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
、電動汽車等領域，是現代電力電子技術的核心元件之一。 IGBT的結構主要包括四層：P型襯底、N型發射層、P型基區和N型集電區。其中，P型襯底和
2024-01-03 15:14:22272 
本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可控性。而二極管因為優化了場截止設計，其振蕩發生
2024-01-09 14:24:50234 
電子和工業控制系統中。它是一種用于高電壓和高電流應用的開關和放大器。 IGBT的基本結構由四個摻雜的半導體層組成：N型溝道、P型基區、N型漏結和P型柵結。控制其導通和截止狀態的是其柵極。當IGBT柵極電壓低于閾值時，它處于關閉狀態，沒有電流通過。當柵極電壓高于閾值時，形成電場，電流可以流過
2024-01-22 11:14:57274 絕緣層位于IGBT的N區表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區和N+區）。
2024-02-06 10:29:19226 
在柵極相對于發射極施加正電壓（VGE），可以使集電極與發射極之間導通，從而流過集電極電流（IC）。 下面提供了表示IGBT結構的簡化示意圖（截面圖）和等效電路圖。藍色箭頭指示了集電極電流（IC）的流向。通過與旁邊的等效電路圖進行比較，可以更好
2024-02-06 16:14:54308 
場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優點，具有高頻特性和大電流承受能力。然而，IGBT的短路耐受時間只有10微秒，下面將詳細解釋這個現象。 首先，我們需要了解IGBT的結構。一個典型的IGBT包括一個npn型BJT和一個PMOSFET，它們共同組成了一個三層結構。BJT用于控制大電
2024-02-18 15:54:55250 IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
電子發燒友App
工商網監
評論