約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點評:今年一月,國內爍科晶體實現8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產,而僅僅幾個月后,國產碳化硅襯底就再傳來了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:003759 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)新能源汽車市場規模急劇上漲,對于碳化硅產業而言,上游產能擴充是現今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里,海內外都持續投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 嚴重供不應求。增加產能的有效方法就是提高襯底尺寸,目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應商Wolfspeed,今年4月剛剛開始在全球首個8英寸碳化硅晶圓廠試產,預計今年年底可以向客戶供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:002422 空間大 ? 國內碳化硅產業近年來發展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距,另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業中,無論是從市場需求,還是
2023-12-12 01:35:001178 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料,是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者,其禁帶寬度達到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小,可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性,反向恢復電流小,開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統的MOSFET,它的導通狀態電阻很大,開關損耗很大,額定工作結溫低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
,同比增長15.77%。2020年H1,中國集成電路產業銷售額為3539億元,同比增長16.1%。碳化硅(SiC)的應用碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,也是目前制造水平最成熟,應用最廣
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板;在引擎室中,由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求,現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產業的發展,作為光伏產業用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
商用。 碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用,至今已有20年商用積累,并在部分高中端電源市場批量應用,逐步向通用市場滲透,具備廣闊的市場前景。 碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強等關鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
的小電流,因此碳化硅肖特基二極管的開關損耗比硅快速恢復二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗,能快速穩定實現器件的正反切換,提高產品的效率和降低產品噪音,同時易于改善EMI。 以下測試結果
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
Wolfspeed通過領導基于碳化硅和氮化鎵的下一代系統的創新和商業化,將電力和無線系統從硅的局限中解放出來。Wolfspeed用于電力和射頻(RF)應用的寬頻帶半導體產品通過提高效率、提高開關
2019-03-13 09:19:18
最大的努力,做的更好!!!價格做得最低!!!品質做的最好!!!速度做得最快!!!從9月20號起公司大幅度降價[/td][/td][/td]我公司小批量{雙雙面板}價格為480-650平米,2個平米以下
2011-05-09 10:47:15
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
能在不影響產量的情況下,制造出10寸的晶片。大尺寸的塊狀基板(如下圖所示)。森教授認為,與目前的碳化硅基板相比,其成本相當,而且能達到更大的尺寸。日本大坂大學、豐田公司等公司,都參與了日本環保部的“在
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術,2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源(SMPS)的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后,可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求,碳化硅場效應管(SiC MOSFET)由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管,基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上,實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。 基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
電子系統的效率和功率密度朝著更高的方向前進。碳化硅器件的這些優良特性,需要通過封裝與電路系統實現功率和信號的高效、高可靠連接,才能得到完美展現,而現有的傳統封裝技術應用于碳化硅器件時面臨著一些關鍵挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V,客戶根據需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 優先穩定正電壓,保證開通穩定。 2)碳化硅MOSFET:不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利,只有科銳一家使用,成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低,但目前技術還不完善。 從LED成本上來看,用
2012-03-15 10:20:43
,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本人維修線路板,有懂貼片元件怎樣識別和小批量購買?請大師幫忙
2020-03-11 03:23:08
中芯國際力爭在2010年實現45納米小批量試產
2010年,中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關鍵模塊的研發;同時力爭實現45納米和40納米技術的小批量試產
2010-03-08 09:33:16471 半導體制備技術。近日,記者在區內企業世紀金光半導體有限公司(以下簡稱“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產,研發的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域,實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
2019-11-09 11:32:515219 據中央紀委國家監委網報道,目前,中國電科山西碳化硅材料產業基地已經實現4英寸晶片的大批量產,6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證,預計年底達到產業化應用與國際水平相當。 此外
2020-06-09 18:58:422344 碳化硅襯底生產的國外核心企業,主要是美國CREE,美國 II-VI,和日本昭和電工,三者合計占據75%以上的市場。技術上,正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過渡,8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:079808 國投創業官方消息顯示,第三代半導體碳化硅單晶襯底企業河北同光晶體有限公司(簡稱“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國投創業等。本輪融資助力同光晶體實現淶源基地6英寸碳化硅襯底項目快速擴產和現有產品優化提升。
2020-12-03 11:05:153054 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發,引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求,國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業,今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節,襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 高端數字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進行小批量試生產,年中實現量產交付,2022年產能為25萬只模塊,2025年之前將提升至150萬只。 ? 本文圖源?基本半導體 這是基本半導體針對即將迎來爆發期的新能源汽車碳化硅市場,提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797 國產替代給力 大族激光光刻機已小批量銷售 臺積電2nm的工藝都要在2025年投產;不知道2nm的工藝需要什么樣的高端光刻機才做得出來。我們看到國產化好消息是,大族激光的光刻機已實現小批量銷售
2022-04-19 17:32:217948 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求,協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產,以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求,協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產,以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 雙方同意對Soitec技術進行產前驗證, 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關鍵半導體賦能技術,支持汽車電動化和工業系統能效提升等轉型目標 意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創新半導體材料設計制造
2022-12-08 12:22:48616 前言:碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節,襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節,目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,根據Yole數據顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內碳化硅功率器件供應商的產品批量應用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經過外延生長就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節,已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅襯底 產業鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483430 從實際情況上看,目前多數SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產,而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底?
2023-06-20 15:01:24765 碳化硅產業鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環節,襯底與外延占據 70%的碳 化硅器件成本。根據中商產業研究院數據,碳化硅器件的成本構成中,襯底、外延、前段、 研發費用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:56733 碳化硅襯底是碳化硅產業鏈中成本最高、技術門檻最高的環節之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動,碳化硅廠商紛紛投資建設8英寸晶圓生產線,。國內外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導體、三星和三菱電機等都宣布參與8英寸碳化硅生產的競爭。
2023-07-14 16:22:58690 從產能來看,湖南三安現有SiC產能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數家國際大客戶驗證,并實現批量出貨,且2023年、2024年供應已基本鎖定。
2023-09-14 11:14:541009 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域,處于寬禁帶半導體產業鏈的前端,是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 2023年9月,科友半導體自產首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 科友半導體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設,加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。
2023-10-18 17:43:40724 業內人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面,碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展,多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產品上取得階段性進展,實現8英寸襯底準量產,部分產品已進入主流新能源汽車企業供應鏈。
2023-10-25 14:55:04411 在碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節,是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:57931 環球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現在情況超出預期,她強調環球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設,預估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認證,并于2025年量產。
2023-10-27 15:07:43394 碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403 單晶生長,以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環節,碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53561 晶盛機電公司決定從2017年開始,碳化硅生長設備及技術研發(r&d)開始,通過研究開發組的技術攻堅,2018年,公司成功開發了6英寸生長碳化硅決定,2020年長征及加工研發試驗生產線建立。”
2023-12-06 14:08:17379 線路板生產該選大批量還是小批量?
2023-12-13 17:22:10335 自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術的研發和商品化。其創始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內外產業化經歷以及廣闊的國際視野,為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業化注入獨特見解。
2023-12-14 10:05:56389 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現,高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎,外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 當前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發展方向。
2023-12-24 14:18:08616 國內主要的碳化硅襯底供應商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環節。部分廠商還自研單晶爐設備及外延片等產品。
2024-01-12 11:37:03864 在這次考察中,考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮,這筆交易總預算高達十億元人民幣,其中包括兩年內生產 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業預期估算,該項目完成后每年潛在銷售額將達到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787 平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優勢。
2024-02-21 09:32:31337 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝,量產晶片的核心位錯達到行業領先水平。
2024-03-22 09:39:2974 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近期國內碳化硅襯底供應商陸續獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協議,公司將為博世供應碳化硅襯底產品
2023-05-06 01:20:002328 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內碳化硅產業經歷了可能是發展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可,簽下
2024-01-08 08:25:342171
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