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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

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MLCC的的原材料以及工藝是決定其品質(zhì)的關(guān)鍵所在。在現(xiàn)代電子元器件暢銷的時代中,MLCC電容的需求更是不斷增加。其滿足了小型化電子產(chǎn)品的需求,然而MLCC電容生產(chǎn)工藝流程是怎么樣的呢?
2023-02-06 15:55:242620

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片碳化硅襯底;再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102271

車間生產(chǎn)工藝流程虛擬仿真:化工作流程,提高生產(chǎn)效率

隨著虛擬現(xiàn)實技術(shù)的不斷發(fā)展,越來越多的工廠和企業(yè)開始應(yīng)用VR技術(shù),利用虛擬現(xiàn)實技術(shù)打造出車間生產(chǎn)工藝流程虛擬仿真,以實現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。車間生產(chǎn)工藝流程虛擬仿真是一種通過虛擬現(xiàn)實技術(shù)實現(xiàn)的生產(chǎn)車間全景
2023-05-18 15:08:511045

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片
2023-05-31 10:30:062215

陸芯精密切割解說晶圓的生產(chǎn)工藝流程

陸芯精密切割解說晶圓的生產(chǎn)工藝流程從大的方面來講,晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟,它又可細分為以下幾道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部屬晶片制造,所以有時又統(tǒng)稱它們
2021-12-09 11:37:301301

切割工藝參數(shù)對6英寸N型碳化硅晶片的影響

采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù),最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片
2023-08-09 11:25:311052

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931

碳化硅器件的生產(chǎn)流程碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191

PCB生產(chǎn)工藝流程.zip

PCB生產(chǎn)工藝流程
2022-12-30 09:20:3432

碳化硅晶片制備技術(shù)與國際產(chǎn)業(yè)布局

碳化硅晶片薄化技術(shù),碳化硅斷裂韌性較低,在薄化過程中易開裂,導致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189

碳化硅特色工藝模塊簡介

材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此,在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14294

碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程與革新方法

HTCVD法能通過控制源輸入氣體比例可以到達較為精準的 Si/C比,進而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體,但由于氣體作為原材料晶體生長的成本很高,該法主要用于生長半絕緣型晶體。
2024-02-29 10:30:43178

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