總的來說,場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2020788 場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路,場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路,其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:002409 MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱,有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241291 繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機(jī)械開關(guān),實(shí)現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管(MOS管)是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管,通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41558 ,和場效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之- -,應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不-樣,普通三極管是電流控制器件,二場效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場中,以場效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛,可是對于場效應(yīng)晶體管的參數(shù),大家都是一籌莫展,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管的參數(shù)有很多,其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等,但普通運(yùn)用時只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應(yīng)晶體管是一種改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件,屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應(yīng)晶體管的K值得問題:在研究學(xué)習(xí)楊建國老師的負(fù)反饋和運(yùn)算放大器基礎(chǔ)這本書的時候,發(fā)現(xiàn)有一道題的一個參數(shù)不知道什么意思,請大咖們幫忙解惑...Page65 : K=0.0502A/V*V 這個參數(shù)是什么意思呢?多謝!~
2019-04-04 11:47:20
MOS管在絕緣柵型場效應(yīng)管中,目前常用二氧化硅作金屬鋁(Al)柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖。(2).場效應(yīng)晶體管是電壓控制電流器件,由VGS控制ID,普通的晶體三極管是電流控制電流器件,由IB控制IC。場效應(yīng)晶體管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時能
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級管,對它的使用也比較熟悉,相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2011-12-19 16:30:31
`一、場效應(yīng)晶體管特點(diǎn)場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn),這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
`在電子元器件行業(yè),場效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”,那是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn),所以在開關(guān)電路中迅速走紅, 可是一提起場效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級管,對它的使用也比較熟悉,相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
場效應(yīng)晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
在開路形態(tài)下保管。4、場效應(yīng)晶體管(包括結(jié)型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱的,漏極和源極可以互換運(yùn)用。但是有的絕緣柵場效應(yīng)晶體管在制造商品時已把源極和襯底銜接在一同了,所以這種管子的源極和漏極
2019-03-22 11:43:43
、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場效應(yīng)晶體管時,要求兩管的各項(xiàng)參數(shù)要一致(配對),要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
場效應(yīng)晶體管NMOS場效應(yīng)晶體管。由此觀之,“雙極”、“單極”是指晶體管中參與導(dǎo)電的載流子類型數(shù),如同通訊系統(tǒng)的“雙工”、“單工”的區(qū)別一樣,而不是應(yīng)該是“雙結(jié)”和“單結(jié)”。轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-11 11:42:48
在場效應(yīng)管對照表中,收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場次晶體管(MOSFET)、肖特基勢壘控制柵場效應(yīng)晶體管(SB)、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的?! ?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
向各位大神求助,我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣,只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性,想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎?我在庫里沒找到晶體管,能幫忙指出在哪可以找到嗎?謝謝!實(shí)在是太菜鳥了,請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型;P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
`電子元器件行業(yè)有今天的成就,那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助,但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場效應(yīng)晶體管混為一談,到底MOS管和場效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系?這對于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫,也叫場效應(yīng)管,是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
意味著單柵電極面向翅片的兩個相對側(cè)(前柵極和后柵極)?! ‰p柵極鰭式場效應(yīng)晶體管在鰭片上方有一個介電層(稱為硬掩模),以抑制電場。介電層可防止頂角處的寄生反轉(zhuǎn)通道。柵極控制從側(cè)面而不是從頂部(圖3
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
`隨著便攜式電子產(chǎn)品的興盛,人們的生活發(fā)生看翻天覆地的變化,然而這一切都與電子元器件行業(yè)的兩位領(lǐng)軍人物有著不可分割的關(guān)系,那就是三極管與場效應(yīng)晶體管,他們深受電子行業(yè)的鐘愛,三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
本文探討了鰭式場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應(yīng)用中的用途,以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?! ∈裁词泅捠?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管? 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個放大器和一個
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應(yīng)晶體管,一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)時,工程師會更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)晶體管來支持電源芯片,這需要考慮場效應(yīng)晶體管的什么性能呢?應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
。場效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種,可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型,P溝道或N溝道共四種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中,N場效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應(yīng)晶體管?晶體三極管選用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
`我們常接觸到場效應(yīng)管,對它的運(yùn)用也比較熟習(xí),相對來說對場效應(yīng)晶體管就陌生一點(diǎn),但是,由于場效應(yīng)晶體管有其共同的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱動搖性好等,在我們的運(yùn)用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`晶體三極管簡稱三極管,和場效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之一,應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不一樣,普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展,我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形,你可能不知道,在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過程中,有一種電子元件,深受電子工程師的青睞,那就是場效應(yīng)晶體管,我們常接觸到晶體三級管,對它
2019-03-26 11:53:04
`一、場效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度,我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高,在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中,不光是開關(guān)電源電路中,還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會用到場效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
穿場效應(yīng)晶體管(TFET)的工作原理是帶間隧穿,其S可以突破60mV/decade的限制,而且TFET的Ioff非常低,所以TFET的工作電壓可以進(jìn)一步地降低。如下圖中的虛線所示,在比較小的柵電壓
2018-10-19 11:08:33
場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2010-01-13 16:01:59133 雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 場效應(yīng)晶體管放大電路的動態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng): MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類,不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:50918
結(jié)型場效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07733
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和雙極晶體管級聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:48:05821
場效應(yīng)晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:03801 功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:109126 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即
2009-05-24 23:11:156579 場效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22743 場效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖
2009-06-08 14:53:551064
新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管
摘要:分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾,介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFE
2009-07-16 09:01:321457 MOS場效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應(yīng)
2009-09-05 15:17:18839 結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)電壓表
這個非常簡單的
2009-09-24 14:45:47835 結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管,簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小,
2010-03-04 15:58:133672 薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)
TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應(yīng)晶體管LCD,是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
和TN技術(shù)不
2010-03-26 17:22:234824 絕緣柵場效應(yīng)晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531496 場效應(yīng)晶體管放大器
場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)
2010-04-16 10:08:574970 場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場效應(yīng)晶體管(簡稱場效應(yīng)管)有結(jié)型(J-FET)和絕緣柵型(MOS-FET)兩類。
場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0611673 本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計(jì)算了不同的霍爾電勢分布與磁靈敏度
2011-09-15 14:53:20107 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個方面介紹了有機(jī)場效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4424660 隧穿場效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
2018-01-03 15:32:4527183 隨著電子設(shè)備升級換代的速度,大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中,不僅是開關(guān)電源電路中,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:525087 判別結(jié)型場效應(yīng)晶體管DS2Y-S-DC5V的管腳。用萬用表的R×lk擋,用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正、反向電阻相等,則這兩個管腳為漏極和源極,余下的一個管腳即為柵極。
2019-08-18 10:32:064180 功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319865 MOSFET的類型很多,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道;根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。
2019-10-11 10:33:297965 功率場效應(yīng)晶體管(VF)又稱VMOS場效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中,它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926489 電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2,把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的漏極,而負(fù)極性電源通過柵極偏置電阻R1,把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:005256 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫,稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:188779 場效應(yīng)晶體管(FET)簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520 場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類,體管(金屬氧化物半導(dǎo)體型)兩大類??煞譃橐韵?種??煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:447386 MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類,不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:007605 結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET(砷化鎵場效應(yīng)晶體管)是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名,其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:423271 場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件,并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電,所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor,縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23698 場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應(yīng)),使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn),這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041373 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比,場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小,因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374167 功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng),即在柵極和源極之間施加一個控制電壓,使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移,從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46800 AGM408M 40V12A mos場效應(yīng)晶體管
2021-11-24 15:47:260 選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38168 【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)
2023-12-13 14:36:44354 場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中,柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54833
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