碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車充電更快，續航更長
2022-09-23 18:31:40
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二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優點，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261315 本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
，封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試，工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半導體就是這樣。在首度商業化時，碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴，盡管認識到了與硅基產品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優勢，大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小產品
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
多半仍以機械結構為主，造價高昂，且產品相當笨重，更需要經常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎的新一代大功率電力設備應運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管。 當T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
的碳化硅功率器件。 而作為車載產品，且承擔的是充電這一功率變換部分，整車廠對于產品中元器件使用的要求，也相應提高。為了更好的滿足這樣的要求提升，車規級器件則成了首選。泰科天潤作為中國碳化硅（SiC
2023-02-27 14:35:13
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應用于工業領域，受到大家的喜愛，不斷地推陳出新，大量的更高電壓等級、更大電流等級的產品相繼推出，市場反應碳化硅元器件的效果非常好，但似乎對于碳化硅元器件的普及還有
2017-12-13 09:17:4421987 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。
2022-10-14 17:52:065310 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
據柏松介紹，中國電子科技集團2021年已經量產車載充電器用的碳化硅功率器件，2022年第二代產品的裝車量超過100萬臺。
2023-02-15 13:48:45133 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發
電、光伏發電等新能源領域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移
2023-02-16 15:28:25
4 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內碳化硅功率器件供應商的產品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片，碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，還要碳化硅模塊。我們重點介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當今最嚴格的能效法規（Energy
2023-02-21 10:06:42898 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 在半導體材料領域，碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬
2023-05-10 09:43:241338 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578 
7.1.3雙極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.2單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術
2022-02-09 09:25:05378 7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396 8.1.6功率JFET器件的實現8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術
2022-02-21 09:29:28537 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面
2023-07-30 15:50:14969 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力，封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701 
目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結構和漂移區參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內容進行分析。
2023-08-31 14:14:22286 ? 隨著新能源汽車的快速發展，碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨特的優勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優點和缺點。
2023-09-26 16:59:07475 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220 中游器件制造環節，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:361191 
碳化硅器件在UPS中的應用研究
2023-11-29 16:39:00240 
隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
2023-12-21 09:43:38353 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢，主要體現在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09286 隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力，將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353 傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時，其性能已經接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現，為電力電子行業帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域以及未來發展趨勢。
2024-02-21 09:27:13210 隨著全球能源危機和環境問題的日益突出，高效、環保、節能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性，正在逐步取代傳統的硅基功率器件，引領著電力電子技術的發展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優勢、應用以及面臨的挑戰和未來的發展趨勢。
2024-02-22 09:19:21170 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125
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