目前，國內外大多數電力電子功率器件都采用硅基半導體材料，經過幾十年的不斷改良和優化，其性能已接近硅材料的理論極限。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料功率器件在各項性能指標上較現有硅基功率器件有飛躍性的提升。

憑借其卓越性能而被不斷應用于光伏發電、電動汽車、軌道交通和風力發電等領域，引領著電力電子領域的一次技術革命。全球碳化硅功率器件市場規模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，年均復合增長率達34%。

三安光電股份有限公司

三安光電股份有限公司成立于2000年，主要從事碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、藍寶石等半導體新材料、外延、芯片與器件的研發、生產與銷售。

三安光電子公司湖南三安作為國內為數不多的碳化硅垂直產業鏈制造平臺（6英寸），產業鏈包括長晶-襯底制作-外延生長-芯片制備-封裝，2022年碳化硅產能已達1.2萬片/月，二期工程將于2023年貫通，達產后配套年產能將達到50萬片。

北京世紀金光半導體有限公司

北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年，是一家貫通碳化硅全產業鏈的綜合半導體企業。其前身為中原半導體研究所，始建于1970年，至今有50年歷史積淀。

專注于戰略新興半導體的研發與生產，已創新性的解決了高純碳化硅粉料提純技術、6英寸碳化硅單晶制備技術、高壓低導通電阻SiC SBD、MOSFET結構及工藝設計技術等。目前已完成從碳化硅功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業應用開發和解決方案提供等關鍵領域的全面布局。

6英寸碳化硅單晶已量產，功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的SiC SBD，額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的SiC MOSFET，50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。

杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年，專業從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產。公司功率半導體產品線對標英飛凌，打造從外延、設計、制造到封測的國內平臺型IDM龍頭。

士蘭微旗下士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC MOSFET技術的開發，已將SiC MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，并已向客戶送樣，預計2023年底形成月產6000片6英寸碳化硅芯片的生產能力。

2022年10月，士蘭微籌劃非公開發行募資65億元，募投項目之一便是用于“碳化硅功率器件生產線建設項目”，并在2023年4月26日定增獲上交所審核通過，達產后將新增年產14.4萬片SiC MOSFET/SBD功率半導體器件芯片的生產能力。

華潤微電子有限公司

華潤微電子有限公司的成立最早可以追溯到1983年，原四機部、七機部、外經貿部和華潤集團聯合在香港設立的香港華科電子公司。目前，公司擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化運營能力，產品聚焦于功率半導體、智能傳感器領域。

華潤微早在2020年就深度布局了碳化硅，并于當年7月正式向市場投放了1200V和650V工業級SiC SBD功率器件產品系列，同時，其6英寸商用碳化硅晶圓生產線正式量產。

2021年12月，華潤微正式推出自主研發量產的SiC MOSFET新品，并推出了第二代650V/1200V SiC JBS產品。2022年，華潤微碳化硅器件整體銷售規模同比增長約2.3倍，待交訂單超過1000萬元，投片量逐月穩步增加。車規級SiC MOSFET和碳化硅模塊研發工作進展順利，已完成多款SiC MOSFET模塊產品出樣。華潤微給2023年寬禁帶半導體的目標是整體銷售上億元。

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司成立于2011年，是中國碳化硅功率器件產業化領軍企業，專業從事碳化硅芯片和碳化硅功率器件的研發與制造，包含各種封裝形式的SiC SBD、SiC MOSFET和碳化硅模塊，并提供應用解決方案。

泰科天潤的碳化硅功率器件產品規格范圍覆蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、TO268、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。

公司總部坐落于北京，在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸碳化硅半導體工藝晶圓生產線。湖南6英寸碳化硅半導體工藝晶圓生產線于2019年動工，2021年批量面對市場。目前，產線正處于擴產階段，預計2023年將實現10萬片/年的碳化硅晶圓片產能。

嘉興斯達半導體股份有限公司

嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年，專業從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發、生產及銷售服務，主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。

2020年投資約2億元建設全碳化硅功率模組產業化項目，投資建設年產8萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心，2022年公司完成定增募資35億元，用于投資IGBT和碳化硅芯片項目等。公司車規級碳化硅模塊開始在海外市場小批量供貨，另外，使用公司自主芯片的車規級SiC MOSFET模塊預計2023年開始在主電機控制器客戶批量供貨。

揚州揚杰電子科技股份有限公司

揚州揚杰電子科技股份有限公司成立于2000年，產品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、碳化硅、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產品解決方案。

揚杰科技采取IDM與Fabless并行，多渠道加速碳化硅產能建設。目前揚杰已經向市場推出碳化硅模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產品，SiC MOSFET已取得關鍵性進展。

2023年4月20日，揚杰投資10億元在江蘇揚州建設6英寸碳化硅晶圓產線，規劃產能5000片/月，后續擬進一步布局6~8英寸碳化硅芯片生產線建設。揚杰科技還通過投資控股湖南楚微半導體，進一步完善了公司在晶圓制造上的核心能力，楚微半導體二期建設規劃為新增3萬片/月的8英寸硅基芯片生產線項目和5000片/月的6英寸碳化硅基芯片生產線項目。

深圳基本半導體有限公司

深圳基本半導體有限公司成立于2016年，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司掌握碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等。

基本半導體自主研發的汽車級碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的定點，成為國內第一批碳化硅模塊量產上車的頭部企業，采用自研芯片的碳化硅功率器件已累計出貨超過3000萬顆。

2023年4月24日，基本半導體位于深圳的車規級碳化硅芯片產線順利通線，該產線具備年產1.8萬片6英寸SiC MOSFET晶圓的能力，二期計劃擴產至7.2萬片，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。

聞泰科技股份有限公司

聞泰科技股份有限公司成立于2006年，是集研發設計和生產制造于一體的產品集成、基礎半導體和光學企業，主要為全球客戶提供手機、平板、筆電、服務器、IoT、汽車電子等終端產品研發制造，半導體功率器件、模擬芯片的研發設計、晶圓制造和封裝測試，光學模組的研發制造服務。

聞泰科技旗下安世半導體是全球知名的半導體IDM公司，集芯片設計、晶圓制造和封裝測試等全產業鏈環節于一體，前身是原飛利浦半導體標準產品事業部，擁有60多年半導體研發和制造經驗。

安世半導體產品廣泛用于全球各類電子設計，豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、GaN場效應晶體管、碳化硅二極管、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

安世半導體最近已接連發布650V碳化硅二極管、首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET、80V ASFET產品PSMN1R9-80SSE等創新產品，這些產品的線性模式性能對于高效可靠地管理浪涌電流必不可少，更能滿足超高性能、低損耗和高效率的功率半導體需求。

安徽長飛先進半導體有限公司

安徽長飛先進半導體有限公司成立于2018年，專注于碳化硅功率半導體產品研發及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。目前該公司可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。

2023年6月26日，長飛光纖發布公告稱，公司子公司長飛先進擬投資人民幣60億元建設第三代半導體功率器件生產項目。該項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產線，建設完畢后將形成年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產6100萬個功率器件模塊的能力。

審核編輯：黃飛

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