三極管是最重要的電子元器件之一，成功制作世界上第一只半導(dǎo)體三極管的美國物理學(xué)家約翰·巴丁(John Bardeen)和他的同事布拉頓（Brattain）并獲得了諾貝爾物理學(xué)獎。三極管的看家本領(lǐng)，是可以以小電流控制大電流，頗似武俠中的四兩撥千斤。

下圖是2種類型的三極管NPN和PNP的結(jié)構(gòu)和電路圖符號示意。

positive? ?正極? [?p?z?t?v]

negative 負(fù)極??[?neg?t?v]

很多初學(xué)者都會認(rèn)為三極管是兩個 PN 結(jié)的簡單湊合。這種想法是錯誤的，兩個二極管的組合不能形成一個三極管。我們以 NPN 型三極管為例（見圖 2 ），兩個 PN 結(jié)共用了一個 P 區(qū) —— 基區(qū)，基區(qū)做得極薄，只有幾微米到幾十微米，正是靠著它把兩個 PN 結(jié)有機(jī)地結(jié)合成一個不可分割的整體，它們之間存在著相互聯(lián)系和相互影響，使三極管完全不同于兩個單獨(dú)的 PN 結(jié)的特性。三極管在外加電壓的作用下，形成基極電流、集電極電流和發(fā)射極電流，成為電流放大器件。

三極管的電流放大作用與其物理結(jié)構(gòu)有關(guān)，三極管內(nèi)部進(jìn)行的物理過程是十分復(fù)雜的，初學(xué)者暫時不必去深入探討。從應(yīng)用的角度來講，可以把三極管看作是一個電流分配器。一個三極管制成后，它的三個電流之間的比例關(guān)系就大體上確定了（見圖 3 ），用式子來表示就是

β 和 α 稱為三極管的電流分配系數(shù)，其中 β 值大家比較熟悉，都管它叫電流放大系數(shù)。三個電流中，有一個電流發(fā)生變化，另外兩個電流也會隨著按比例地變化。例如，基極電流的變化量 ΔI b ＝ 10 μA ， β ＝ 50 ，根據(jù) ΔI c ＝ βΔI b 的關(guān)系式，集電極電流的變化量 ΔI c ＝ 50×10 ＝ 500μA ，實(shí)現(xiàn)了電流放大。

三極管自身并不能把小電流變成大電流，它僅僅起著一種控制作用，控制著電路里的電源，按確定的比例向三極管提供 I b 、 I c 和 I e 這三個電流。為了容易理解，我們還是用水流比喻電流（見圖 4 ）。這是粗、細(xì)兩根水管，粗的管子內(nèi)裝有閘門，這個閘門是由細(xì)的管子中的水量控制著它的開啟程度。如果細(xì)管子中沒有水流，粗管子中的閘門就會關(guān)閉。注入細(xì)管子中的水量越大，閘門就開得越大，相應(yīng)地流過粗管子的水就越多，這就體現(xiàn)出“以小控制大，以弱控制強(qiáng)”的道理。由圖可見，細(xì)管子的水與粗管子的水在下端匯合在一根管子中。三極管的基極 b 、集電極 c 和發(fā)射極 e 就對應(yīng)著圖 4 中的細(xì)管、粗管和粗細(xì)交匯的管子。電路見圖 5 ，若給三極管外加一定的電壓，就會產(chǎn)生電流 I b 、 I c 和 I e 。調(diào)節(jié)電位器 RP 改變基極電流 I b ， I c 也隨之變化。由于 I c ＝ βI b ，所以很小的 I b 控制著比它大 β 倍的 I c 。I c 不是由三極管產(chǎn)生的，是由電源 VCC 在 I b 的控制下提供的，所以說三極管起著能量轉(zhuǎn)換作用。

如圖，假設(shè)三極管的β=100，RP=200K，

此時的Ib=6v/(200k+100k)=0.02mA,Ic=βI b=2mA

當(dāng)RP=0時，Ib=6v/100k=0.06mA，Ic=βI b=2mA。以上兩種狀態(tài)都符合Ic=βI b，我們說，三極管處于"放大區(qū)"。假設(shè)RP=0,Rb=1k,此時，Ib=6v/1k=6mA按Ic=βI b計(jì)算，Ic應(yīng)等于600mA，而實(shí)際上，由于圖中300歐姆限流電阻（Rc）的存在，實(shí)際上Ic=(6v/300)≈20mA,此時，Ic≠βI b，而且，Ic不再受Ib控制，即處于"飽和區(qū)"，當(dāng)RP和Rb大到一定程度，使Ube<死區(qū)電壓(硅管約0.5V，鍺管約0.3）此時be結(jié)處于不導(dǎo)通狀態(tài)，Ib=0，則Ic=0，處于"截止區(qū)"。

單純從“放大”的角度來看，我們希望 β 值越大越好。可是，三極管接成共發(fā)射極放大電路（圖 6 ）時，從管子的集電極 c 到發(fā)射極 e 總會產(chǎn)生一有害的漏電流，稱為穿透電流 I ceo?，它的大小與 β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制，卻成為集電極電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關(guān)系，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩(wěn)定性。所以，選擇三極管時，并不是 β 越大越好，一般建議取硅管 β 為 40 ～150 ，鍺管取 40 ～ 80 。

在常溫下，鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點(diǎn)幾微安到幾微安。?I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關(guān)系，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單（圖 7 ），三極管的基極開路，在集電極與發(fā)射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯(lián)在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。

嚴(yán)格地說，三極管的 β 值不是一個不變的常數(shù)。在實(shí)際使用中，調(diào)整三極管的集電極電流 I ， β 值會隨著發(fā)生變化（圖 8 ）。一般說來，在 I c 很小（例如幾十微安）或很大（即接近集電極最大允電流 I CM ）時， β 值都比較小，在 1mA 以上相當(dāng)寬的范圍內(nèi)，小功率管的 β 值都比較大，所以，同學(xué)們在調(diào)試放大電路時，要確定合適的工作電流 I c ，以獲得最佳放大狀態(tài)。另外， β 值也和三極管的其它參數(shù)一樣，跟溫度有密切的關(guān)系。溫度升高， β 值相應(yīng)變大。一般溫度每升高 1℃ ， β 值增加 0.5 ％～ 1 ％。

器件為BC847

溫度為-20℃時，Ic等于3.745mA, 溫度為50℃時，Ic等于5.897mA。

從-20℃變到50℃

?變化=（5.897mA-3.745mA)/3.745mA=57.46%。

?呈線性變化

變化率=57.46%/70℃=0.821%/℃。

換用40239時，?變化為67.24%。

溫度為-20℃時，IB等于9.27uA,溫度為50℃時

IB等于10.4uA。

從-20℃變到50℃

IB變化=（10.4uA-9.27uA)/9.27uA=12.19%。

IB呈線性變化

IB變化率=12.19%/70℃=0.174%/℃。

三極管有一個極限參數(shù)叫集電極最大允許電流，用 I CM 表示。I CM 常稱為三極管的額定電流，所以人們常常誤認(rèn)為超過了 I CM 值，由于過熱會把管子燒壞。實(shí)際上，規(guī)定 I CM 值是為避免集電極電流太大時引起 β 值下降過多。一般把 β 值降低到它的最大值一半左右時的集電極電流定為集電極最大允許電流

I CM 。

三極管的電流放大系數(shù) β 值還與電路的工作頻率有關(guān)。在一定的頻率范圍內(nèi)，可以認(rèn)為 β 值是不隨頻率變化的（圖 9 ），可是當(dāng)頻率升高到超過某一數(shù)值后， β 值就會明顯下降。為了保證三極管在高頻時仍然具有足夠的放大能力，人們規(guī)定：當(dāng)頻率升高到使 β 值下降到低頻（ 1000Hz ）值 β 0 的 0.707 倍時，所對應(yīng)的頻率稱為 β 截止頻率，用 f β 表示。f β 就是三極管接成共發(fā)射極電路時所允許的最高工作頻率。

三極管 β 截止頻率 f β 是在三極管接成共發(fā)射極放大電路時測定的。如果三極管接成共基極電路，隨著頻率的升高，其電流放大系數(shù) α （ α ＝ I c ／ I e ）值下降到低頻（ 1000Hz ）值 α o 的 0.707 倍時，所對應(yīng)的頻率稱為 α 截止頻率，用 f α 表示（圖 10 ）。f α 反映了三極管共基極運(yùn)用時的頻率限制。在三極管產(chǎn)品系列中，常根據(jù) f α 的大小劃分低頻管和高頻管。國家規(guī)定， f α ＜ 3MHz 的為低頻管， f α ＞ 3MHz 的為高頻管。

當(dāng)頻率高于 f β 值后，繼續(xù)升高頻率， β 值將隨之下降，直到 β ＝ 1 ，三極管就失去了放大能力。為此，人們規(guī)定：在高頻條件下， β ＝ 1 時所對應(yīng)的頻率，稱為特征頻率，用 f T 表示。f T 常作為標(biāo)志三極管頻率特性好壞的重要參數(shù)。在選擇三極管時，應(yīng)使管子的特征頻率 f T 比實(shí)際工作頻率高出 3 ～ 5 倍。

f α 與 f β 的物理意義是相同的，僅僅是放大電路連接方式不同。理論分析和實(shí)驗(yàn)都可以證明，同一只三極管的 f β 值遠(yuǎn)比 f α 值要小，它們之間的關(guān)系為f β ＝（ 1 － α ） f α

這就說明了共發(fā)射極電路的極限工作頻率比共基極電路低得多。所以，高頻放大和振蕩電路大多采用共基極連接。

先講二極管

要想很自然地說明問題，就要選擇恰當(dāng)?shù)厍腥朦c(diǎn)。講三極管的原理我們從二極管的原理入手講起。二極管的結(jié)構(gòu)與原理都很簡單，內(nèi)部一個PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕缡疽鈭DB。很明顯圖示二極管處于反偏狀態(tài)，PN結(jié)截止。我們要特別注意這里的截止?fàn)顟B(tài)，實(shí)際上PN結(jié)截止時，總是會有很小的漏電流存在，也就是說PN結(jié)總是存在著反向關(guān)不斷的現(xiàn)象，PN結(jié)的單向?qū)щ娦圆⒉皇前俜种佟?

為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢？這主要是因?yàn)镻區(qū)除了因“摻雜”而產(chǎn)生的多數(shù)載流子“空穴”之外，還總是會有極少數(shù)的本征載流子“電子”出現(xiàn)。N區(qū)也是一樣，除了多數(shù)載流子電子之外，也會有極少數(shù)的載流子空穴存在。PN結(jié)反偏時，能夠正向?qū)щ姷亩鄶?shù)載流子被拉向電源，使PN結(jié)變厚，多數(shù)載流子不能再通過PN結(jié)承擔(dān)起載流導(dǎo)電的功能。所以，此時漏電流的形成主要靠的是少數(shù)載流子，是少數(shù)載流子在起導(dǎo)電作用。

反偏時，少數(shù)載流子在電源的作用下能夠很容易地反向穿過PN結(jié)形成漏電流。漏電流只所以很小，是因?yàn)樯贁?shù)載流子的數(shù)量太少。很明顯，此時漏電流的大小主要取決于少數(shù)載流子的數(shù)量。如果要想人為地增加漏電流，只要想辦法增加反偏時少數(shù)載流子的數(shù)量即可。所以，如圖B，如果能夠在P區(qū)或N區(qū)人為地增加少數(shù)載流子的數(shù)量，很自然的漏電流就會人為地增加。

其實(shí)，光敏二極管的原理就是如此。光敏二極管與普通光敏二極管一樣，它的PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｒ虼耍饷舳O管工作時應(yīng)加上反向電壓，如圖所示。當(dāng)無光照時，電路中也有很小的反向飽和漏電流，一般為1×10-8 —1×10 -9A(稱為暗電流)，此時相當(dāng)于光敏二極管截止；當(dāng)有光照射時，PN結(jié)附近受光子的轟擊，半導(dǎo)體內(nèi)被束縛的價(jià)電子吸收光子能量而被擊發(fā)產(chǎn)生電子—空穴對，這些載流子的數(shù)目，對于多數(shù)載流子影響不大，但對P區(qū)和N區(qū)的少數(shù)載流子來說，則會使少數(shù)載流子的濃度大大提高，在反向電壓作用下，反向飽和漏電流大大增加，形成光電流，該光電流隨入射光強(qiáng)度的變化而相應(yīng)變化。光電流通過負(fù)載RL時，在電阻兩端將得到隨人射光變化的電壓信號。光敏二極管就是這樣完成電功能轉(zhuǎn)換的。?

光敏二極管工作在反偏狀態(tài)，因?yàn)楣庹湛梢栽黾由贁?shù)載流子的數(shù)量，因而光照就會導(dǎo)致反向漏電流的改變，人們就是利用這樣的道理制作出了光敏二極管。既然此時漏電流的增加是人為的，那么漏電流的增加部分也就很容易能夠?qū)崿F(xiàn)人為地控制。

強(qiáng)調(diào)一個結(jié)論：

講到這里，一定要重點(diǎn)地說明PN結(jié)正、反偏時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子所充當(dāng)?shù)慕巧捌湫再|(zhì)。正偏時是多數(shù)載流子載流導(dǎo)電，反偏時是少數(shù)載流子載流導(dǎo)電。所以，正偏電流大，反偏電流小，PN結(jié)顯示出單向電性。特別是要重點(diǎn)說明，反偏時少數(shù)載流子反向通過PN結(jié)是很容易的，甚至比正偏時多數(shù)載流子正向通過PN結(jié)還要容易。為什么呢？大家知道PN結(jié)內(nèi)部存在有一個因多數(shù)載流子相互擴(kuò)散而產(chǎn)生的內(nèi)電場，而內(nèi)電場的作用方向總是阻礙多數(shù)載流子的正向通過，所以，多數(shù)載流子正向通過PN結(jié)時就需要克服內(nèi)電場的作用，需要約0.7伏的外加電壓，這是PN結(jié)正向?qū)ǖ拈T電壓。而反偏時，內(nèi)電場在電源作用下會被加強(qiáng)也就是PN結(jié)加厚，少數(shù)載流子反向通過PN結(jié)時，內(nèi)電場作用方向和少數(shù)載流子通過PN結(jié)的方向一致，也就是說此時的內(nèi)電場對于少數(shù)載流子的反向通過不僅不會有阻礙作用，甚至還會有幫助作用。這就導(dǎo)致了以上我們所說的結(jié)論：反偏時少數(shù)載流子反向通過PN結(jié)是很容易的，甚至比正偏時多數(shù)載流子正向通過PN結(jié)還要容易。這個結(jié)論可以很好解釋前面提到的“問題2”，也就是教材后續(xù)內(nèi)容要講到的三極管的飽和狀態(tài)。三極管在飽和狀態(tài)下，集電極電位很低甚至?xí)咏蛏缘陀诨鶚O電位，集電結(jié)處于零偏置，但仍然會有較大的集電結(jié)的反向電流Ic產(chǎn)生。

自然過渡：

繼續(xù)討論圖B，PN結(jié)的反偏狀態(tài)。利用光照控制少數(shù)載流子的產(chǎn)生數(shù)量就可以實(shí)現(xiàn)人為地控制漏電流的大小。既然如此，人們自然也會想到能否把控制的方法改變一下，不用光照而是用電注入的方法來增加N區(qū)或者是P區(qū)少數(shù)載流子的數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)對PN結(jié)的漏電流的控制。也就是不用“光”的方法，而是用“電”的方法來實(shí)現(xiàn)對電流的控制（注2）。接下來重點(diǎn)討論P(yáng)區(qū)，P區(qū)的少數(shù)載流子是電子，要想用電注入的方法向P區(qū)注入電子，最好的方法就是如圖C所示，在P區(qū)下面再用特殊工藝加一塊N型半導(dǎo)體（注3）。?

圖C所示其實(shí)就是NPN型晶體三極管的雛形，其相應(yīng)各部分的名稱以及功能與三極管完全相同。為方便討論，以下我們對圖C中所示的各個部分的名稱直接采用與三極管相應(yīng)的名稱（如“發(fā)射結(jié)”，“集電極”等）。再看示意圖C，圖中最下面的發(fā)射區(qū)N型半導(dǎo)體內(nèi)電子作為多數(shù)載流子大量存在，而且，如圖C中所示，要將發(fā)射區(qū)的電子注入或者說是發(fā)射到P區(qū)（基區(qū)）是很容易的，只要使發(fā)射結(jié)正偏即可。具體說就是在基極與發(fā)射極之間加上一個足夠的正向的門電壓（約為0.7伏）就可以了。在外加門電壓作用下，發(fā)射區(qū)的電子就會很容易地被發(fā)射注入到基區(qū)，這樣就實(shí)現(xiàn)對基區(qū)少數(shù)載流子“電子”在數(shù)量上的改變。

集電極電流Ic的形成：

如圖C，發(fā)射結(jié)加上正偏電壓導(dǎo)通后，在外加電壓的作用下，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子——電子就會很容易地被大量發(fā)射進(jìn)入基區(qū)。這些載流子一旦進(jìn)入基區(qū)，它們在基區(qū)（P區(qū)）的性質(zhì)仍然屬于少數(shù)載流子的性質(zhì)。如前所述，少數(shù)載流子很容易反向穿過處于反偏狀態(tài)的PN結(jié)，所以，這些載流子——電子就會很容易向上穿過處于反偏狀態(tài)的集電結(jié)到達(dá)集電區(qū)形成集電極電流Ic。由此可見，集電極電流的形成并不是一定要靠集電極的高電位。集電極電流的大小更主要的要取決于發(fā)射區(qū)載流子對基區(qū)的發(fā)射與注入，取決于這種發(fā)射與注入的程度。這種載流子的發(fā)射注入程度及乎與集電極電位的高低沒有什么關(guān)系。這正好能自然地說明，為什么三極管在放大狀態(tài)下，集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關(guān)的原因。放大狀態(tài)下Ic并不受控于Vc，Vc的作用主要是維持集電結(jié)的反偏狀態(tài)，以此來滿足三極管放大態(tài)下所需要外部電路條件。?
對于Ic還可以做如下結(jié)論：Ic的本質(zhì)是“少子”電流，是通過電子注入而實(shí)現(xiàn)的人為可控的集電結(jié)“漏”電流，因此它就可以很容易地反向通過集電結(jié)。

Ic與Ib的關(guān)系：

很明顯，對于三極管的內(nèi)部電路來說，圖C與圖D是完全等效的。圖D就是教科書上常用的三極管電流放大原理示意圖。?
看圖D，接著上面的討論，集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關(guān)，主要取決于發(fā)射區(qū)載流子對基區(qū)的發(fā)射注入程度。?

通過上面的討論，現(xiàn)在已經(jīng)明白，三極管在電流放大狀態(tài)下，內(nèi)部的主要電流就是由載流子電子由發(fā)射區(qū)經(jīng)基區(qū)再到集電區(qū)貫穿三極管所形成。也就是貫穿三極管的電流Ic主要是電子流。這種貫穿的電子流與歷史上的電子三極管非常類似。如圖E，圖E就是電子三極管的原理示意圖。電子三極管的電流放大原理因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)的直觀形象，可以很自然得到解釋。?

如圖E所示，很容易理解，電子三極管Ib與Ic之間的固定比例關(guān)系，主要取決于電子管柵極（基極）的構(gòu)造。當(dāng)外部電路條件滿足時，電子三極管工作在放大狀態(tài)。在放大狀態(tài)下，穿過管子的電流主要是由發(fā)射極經(jīng)柵極再到集電極的電子流。電子流在穿越柵極時，很顯然柵極會對其進(jìn)行截流，截流時就存在著一個截流比問題。截流比的大小，則主要與柵極的疏密度有關(guān)，如果柵極做的密，它的等效截流面積就大，截流比例自然就大，攔截下來的電子流就多。反之截流比小，攔截下來的電子流就少。柵極攔截下來的電子流其實(shí)就是電流Ib，其余的穿過柵極到達(dá)集電極的電子流就是Ic。從圖中可以看出，只要柵極的結(jié)構(gòu)尺寸確定，那么截流比例就確定，也就是Ic與Ib的比值確定。所以，只要管子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)確定，的值就確定，這個比值就固定不變。由此可知，電流放大倍數(shù)的β值主要與柵極的疏密度有關(guān)。柵極越密則截流比例越大，相應(yīng)的β值越低，柵極越疏則截流比例越小，相應(yīng)的β值越高。

其實(shí)晶體三極管的電流放大關(guān)系與電子三極管類似。晶體三極管的基極就相當(dāng)于電子三極管的柵極，基區(qū)就相當(dāng)于柵網(wǎng)，只不過晶體管的這個柵網(wǎng)是動態(tài)的是不可見的。放大狀態(tài)下，貫穿整個管子的電子流在通過基區(qū)時，基區(qū)與電子管的柵網(wǎng)作用相類似，會對電子流進(jìn)行截流。如果基區(qū)做得薄，摻雜度低，基區(qū)的空穴數(shù)就會少，那么空穴對電子的截流量就小，這就相當(dāng)于電子管的柵網(wǎng)比較疏一樣。反之截流量就會大。很明顯只要晶體管三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)確定，這個截流比也就確定。所以，為了獲大較大的電流放大倍數(shù)，使β值足夠高，在制作三極管時往往要把基區(qū)做得很薄，而且其摻雜度也要控制得很低。

與電子管不同的是，晶體管的截流主要是靠分布在基區(qū)的帶正電的“空穴”對貫穿的電子流中帶負(fù)電的“電子”中和來實(shí)現(xiàn)。所以，截流的效果主要取決于基區(qū)空穴的數(shù)量。而且，這個過程是個動態(tài)過程，“空穴”不斷地與“電子”中和，同時“空穴”又不斷地會在外部電源作用下得到補(bǔ)充。在這個動態(tài)過程中，空穴的等效總數(shù)量是不變的。基區(qū)空穴的總數(shù)量主要取決于摻“雜”度以及基區(qū)的厚薄，只要晶體管結(jié)構(gòu)確定，基區(qū)空穴的總定額就確定，其相應(yīng)的動態(tài)總量就確定。這樣，截流比就確定，晶體管的電流放大倍數(shù)的值就是定值。這就是為什么放大狀態(tài)下，三極管的電流Ic與Ib之間會有一個固定的比例關(guān)系的原因。

對于截止?fàn)顟B(tài)的解釋：

比例關(guān)系說明，放大狀態(tài)下電流Ic按一個固定的比例受控于電流Ib，這個固定的控制比例主要取決于晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

對于Ib等于0的截止?fàn)顟B(tài)，問題更為簡單。當(dāng)Ib等于0時，說明外部電壓Ube太小，沒有達(dá)到發(fā)射結(jié)的門電壓值，發(fā)射區(qū)沒有載流子“電子”向基區(qū)的發(fā)射注入，所以，此時既不會有電流Ib，也更不可能有電流Ic。另外，從純數(shù)學(xué)的電流放大公式更容易推出結(jié)論，Ic=βIb，Ib為0，很顯然Ic也為0。

三極管封裝與引腳

三極管的封裝形式是指三極管的外形參數(shù)，也就是安裝半導(dǎo)體三極管用的外殼。材料方面，三極管的封裝形式主要有金屬、陶瓷和塑料形式；結(jié)構(gòu)方面，三極管的封裝為TO×××，×××表示三極管的外形；裝配方式有通孔插裝（通孔式）、表面安裝（貼片式）和直接安裝；引腳形狀有長引線直插、短引線或無引線貼裝等。常用三極管的封裝形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。

國產(chǎn)晶體管按原部標(biāo)規(guī)定有近30種外形和幾十種規(guī)格，其外形結(jié)構(gòu)和規(guī)格分別用字母和數(shù)字表示，如TO－162、TO－92等。晶體管的外形及尺寸如圖1所示。

圖1 晶體管的外形及尺寸

?封裝

1.金屬封裝

（1）B型：B型分為B－1、B－2、…、B－6共6種規(guī)格，主要用于1W及1W以下的高頻小功率晶體管，其中B－1、B－3型最為常用。引腳排列：管底面對自己，由管鍵起，按順時針方向依次為E、B、C、D（接地極）。其封裝外形如圖2（a）所示。

（2）C型：引腳排列與B型相同，主要用于小功率。其封裝外形如圖2（b）所示。

（3）D型：外形結(jié)構(gòu)與B型相同。引腳排列：管底面對自己，等腰三角形的底面朝下，按順時針方向依次為E、B、C。其封裝外形如圖2（c）所示。

（4）E型：引腳排列與D型相同，封裝外形如圖3（d）所示。

（5）F型：該型分為F－0、F－1～F－4共5種規(guī)格，各規(guī)格外形相同而尺寸不同，主要用于低頻大功率管封裝，使用最多的是F－2型封裝。引腳排列：管底面對自己，小等腰三角形的庵面朝下，左為E，右為B，兩固定孔為C。其封裝外形如圖2（e）所示。¨

（6）G型：分為G－1～G－6共6種規(guī)格，主要用于低頻大功率晶體管封裝，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2為圓形引出線，G－3～G－6為扁形引出線。引腳排列：管底面對自己，等腰三角形的底面朝下，按順時針方向依次為E、B、C。其封裝外形如圖2（f）所示。

2.塑料封裝

（1）S－1型、S－2型、S－4型：用于封裝小功率三極管，其中以S－1型應(yīng)用最為普遍。S－1、S－2、S－3型管的封裝外形如圖2（g）、（h）、（i）所示。引腳排列：平面朝外，半圓形朝內(nèi)，引腳朝上時從左到右為E、B、C。

（2）S－5型：主要用于大功率三極管。引腳排列：平面朝外，半圓形朝內(nèi)，引腳朝上時從左到右為E、B、C。S－5型的封裝外形如圖2（j）所示。

（3）S－6lA、S－6B、S－7、S－8型：主要用于大功率三極管，其中以S－7型最為常用。S－6A引腳排列：切角面面對自己，引腳朝下，從左到右依次為B、C、E。它們的引腳排列與外形分別如圖5.12（k）、（l）、（m）、（n）所示。

（4）常見進(jìn)口管的外形封裝結(jié)構(gòu)：TO－92與部標(biāo)S－1相似，TO－92L與部標(biāo)S－4相似，TO126與S－5相似，TO-202與部標(biāo)S－7相似。

圖2 晶體管的外形及尺寸（續(xù)）

常見三極管的封裝對照圖如圖3所示。

圖3 常見三極管封裝對照圖

常見三極管封裝實(shí)物圖如圖4所示。

圖4 常見三極管封裝實(shí)物圖

2? 引腳

三極管引腳的排列方式具有一定的規(guī)律。對于國產(chǎn)小功率金屬封裝三極管，底視圖位置放置，使三個引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點(diǎn)上，從左向右依次為E、B、C；有管鍵的管子，從管鍵處按順時針方向依次為E、B、C，其引腳識別圖如圖5（a）所示。對于國產(chǎn)中小功率塑封三極管，使其平面朝外，半圓形朝內(nèi)，三個引腳朝上放置，則從左到右依次為E、B、C，其引腳識別圖如圖5（b）所示。

目前，市場上有各種類型的晶體三極管，引腳的排列不盡相同。在使用中不確定引腳排、列的三極管，必須進(jìn)行測量，或查找晶體管使用手冊，明確三極管的特J跬及相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)和資料。

現(xiàn)今比較流行的三極管901 I～9018系列為高頻小功率管，除9012和9015為PNP型管外，其余均為NPN型管。

常用9011～9018、C1815系列三極管引腳排列如圖6所示。平面對著自己，引腳朝下，從左至右依次是E、C、B。

圖5 國產(chǎn)小功率三極管引腳識別圖

圖6 常用C1815等引腳排列圖

貼片式三極管有三個電極的，也有四個電極的。一般三個電極的貼片式三極管從頂端往下看有兩邊，上邊只有一腳的為集電極，下邊的兩腳分別是基極和發(fā)射極。在四個電極的貼片式三極管中，比較大的一個引腳是三極管的集電極，另有兩個引腳相通是發(fā)射極，余下的一個是基極。常見貼片式三極管引腳外形圖如圖7所示。

圖7 常見貼片式三極管引腳外形圖

審核編輯：黃飛

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