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Qorvo推出創新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

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2020-11-03 14:09:492695

緊湊型模塊的結構組成是怎樣的

模塊是光通信傳輸系統中非常重要的有源器件,是進行光電和電光轉換的光電子模塊,能夠在光通信中起到光電信號轉換的作用。隨著通信市場的高速發展,光模塊也在隨之不斷演進,如今,以小型封裝為主的緊湊型模塊已經獲得了廣泛普及。
2020-12-25 16:25:32665

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規模推出SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427

采用緊湊型封裝的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模塊可提供即時電源

采用緊湊型封裝的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模塊可提供即時電源
2021-03-18 20:16:4811

雙通道微型模塊接收器子系統在緊湊型封裝中兼有高速 ADC 和驅動器

雙通道微型模塊接收器子系統在緊湊型封裝中兼有高速 ADC 和驅動器
2021-03-21 12:16:379

緊湊型交換機模塊CSM1277

本部分概述非管理緊湊型交換機模塊 CSM 1277 的功能。
2021-05-17 10:48:1229

東芝新推出1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

Qorvo推出新一代1200V碳化硅場效應晶體管(FET)系列

2022年5月11日 –移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)系列,這些產品在導通電阻方面具備業界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:571487

Qorvo推出新一代1200V碳化硅場效應晶體管

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系
2022-05-25 10:46:531004

比亞迪半導體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司,在SiC功率器件領域,比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。
2022-06-21 14:40:571216

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規級認證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

國產SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規認證

2022年11月,上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101),該產品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯(總部位于德國紐倫堡)和全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市) 在開發SiC(碳化硅) 功率模塊方面,已有十多年的良好合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

德承發布全新高效緊湊型嵌入式工業電腦DX-1200,為工控領域增添生力軍

強固型嵌入式電腦品牌 – Cincoze 德承,全新推出Rugged Computing - DIAMOND 產品線的高效緊湊型嵌入式電腦DX-1200,利用緊湊規劃克服了體積限制,讓效能與強固得以充分發揮。
2023-05-18 11:27:53332

凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異,開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動,能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26488

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10423

至信微發布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上,至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17286

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發布了其全新車規級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202

安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術的1200V SPM31智能功率模塊

智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59346

Qorvo發布緊湊型E1B封裝1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝1200V碳化硅(SiC模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35333

Qorvo發布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝1200V碳化硅(SiC模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19283

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力,也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

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