隨著半導體制程工藝不斷取得突破，行業(yè)流傳著一個被稱為“摩爾定律”的著名論斷。它是英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾在1965年提出的，其核心內(nèi)容為：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。這一定律不僅僅是對行業(yè)發(fā)展趨勢的一種分析預測，同時也成了半導體制程發(fā)展的動力——一切都是為了做出更小尺寸且性能穩(wěn)定的晶體管。從上世紀五十年代至今大約70年的時間，一共發(fā)展出了BJT、MOSFET、CMOS、DMOS以及混合型的BiCMOS和BCD等制程工藝技術(shù)。 ? ?1. BJT? ??

雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管。晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動，由于同時涉及到電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性器件。

回溯它誕生的歷史。由于存在著用固體放大器代替真空三極管這一想法，1945年夏，Shockley提出開展半導體基礎(chǔ)研究的建議，1945年下半年，貝爾實驗室成立了以Shockley為組長的固體物理學研究小組。在這小組里，不僅有物理學家，也有電路工程師和化學家，包括作為理論物理學家的Bardeen和實驗物理學家Brattain。1947年12月，一件被后世認為是里程碑式的事件璀璨地發(fā)生了——Bardeen和Brattain成功發(fā)明了世界上第一個具有電流放大作用的鍺點接觸晶體管。

Bardeen和Brattain的第一個點接觸式晶體管

而在此后不久，Shockley于1948年發(fā)明了雙極結(jié)型晶體管。他提出了晶體管可以由兩個pn結(jié)構(gòu)成，一個正向偏置、另一個反向偏置，并于1948年6月取得了專利。在1949年他把結(jié)型晶體管工作的詳細理論發(fā)表了出來。兩年多后貝爾實驗室的科學家和工程師開發(fā)出流程來實現(xiàn)結(jié)型晶體管的量產(chǎn)（1951里程碑），開啟了電子技術(shù)的新紀元。而為了表彰在晶體管發(fā)明上的貢獻，肖克利、巴丁和布拉頓共同獲得了1956 年諾貝爾物理學獎。

NPN雙極結(jié)型晶體管的簡單結(jié)構(gòu)示意圖

關(guān)于雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)，常見的BJT有NPN型和PNP型。詳細內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。發(fā)射極對應(yīng)的雜質(zhì)半導體區(qū)域為發(fā)射區(qū)，該區(qū)域摻雜濃度較高；基極對應(yīng)的雜質(zhì)半導體區(qū)域為基區(qū)，該區(qū)域?qū)挾群鼙?，摻雜濃度很低；集電極對應(yīng)的雜質(zhì)半導體區(qū)域為集電區(qū)，該區(qū)域面積大，摻雜濃度很低。

BJT技術(shù)的優(yōu)點是高響應(yīng)速度、高跨導(輸入電壓變化對應(yīng)輸出電流變化大)、低噪聲、高模擬精度、強電流驅(qū)動能力；缺點是集成度低(縱向深度無法隨橫向尺寸縮小)、功耗高。 ?

? ?2. MOS? ??

金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor FET)，即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導體(S)導電溝道開關(guān)的場效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管。1962年由貝爾實驗室正式宣布成功開發(fā)，這成為半導體發(fā)展史上最重要的里程碑之一，為半導體存儲器的問世直接奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 ? MOSFET按導電溝道類型可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為：耗盡型-當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道；增強型-對于N(P)溝道器件，柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。 MOS與三極管的主要區(qū)別包括但不限于以下幾點： ?

三極管多子和少子同時參與導電，屬于雙極型器件；而MOS僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱為單極型晶體管。 ?

三極管屬于電流控制型器件，功耗比較高；而MOSFET屬于電壓控制型器件，功耗小。 ?

三極管導通電阻大，MOS管導通電阻小，只有幾百毫歐姆。在現(xiàn)在的用電器件上，一般都用MOS管做開關(guān)來用，主要是因為相對于三極管MOS的效率是比較高的。 ?

成本上三極管就比較占優(yōu)勢，mos管相對價格較高。

現(xiàn)在大部分場景下都是用MOS管取代三極管了，只有在一些小功率或者對功耗不敏感的場景下，考慮到價格優(yōu)勢我們才會使用三極管。

? ?3. CMOS? ??

互補型金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor）：CMOS技術(shù)采用了互補的p型和n型金屬氧化物半導體晶體管（MOSFET）來構(gòu)建電子器件和邏輯電路。下圖所示為常見的CMOS反相器，用于“1→0”或“0→1”的轉(zhuǎn)換。

下圖為典型的CMOS剖面圖。左邊是NMS,右邊是PMOS，兩個MOS的G極連在一起為共連柵極輸入，D極連在一起為共連漏極輸出。VDD接PMOS的源極，VSS接NMOS的源極。

1963年，仙童半導體公司的Wanlass和Sah發(fā)明了CMOS電路。1968年，美國無線電公司（RCA）研發(fā)出第一個CMOS集成電路產(chǎn)品，此后CMOS電路獲得了巨大的發(fā)展。它的優(yōu)點是功耗低、高集成度(STI/LOCOS工藝可進一步提升集成度)；缺點是存在鎖效應(yīng)(MOS管間采用PN結(jié)反偏作為隔離，受干擾易形成增強回路燒毀電路)。 ?

? ?4. DMOS? ??

雙擴散金屬氧化物半導體（Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor）：與普通MOSFET器件結(jié)構(gòu)類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。采用了雙擴散工藝。

下圖展示了標準N溝道DMOS的剖面圖，這種類型的DMOS器件通常用于低側(cè)開關(guān)應(yīng)用，其中MOSFET的源極連接到地。此外還有P溝道DMOS，這種類型的DMOS器件通常用于高側(cè)開關(guān)應(yīng)用，其中MOSFET的源極連接到正電壓。類似于CMOS，互補DMOS器件在同一芯片上使用N溝道和P溝道MOSFET來提供互補的開關(guān)功能。

根據(jù)溝道的方向，DMOS可以分為兩種類型，即垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管VDMOS（Vertical Double-Diffused MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）。

VDMOS器件設(shè)計有垂直溝道，與橫向DMOS器件相比它具有更高的擊穿電壓和電流處理能力，但是導通電阻仍然比較大。

LDMOS器件設(shè)計有橫向溝道，是非對稱功率MOSFET器件。與垂直DMOS器件相比，它允許更低的導通電阻和更快的開關(guān)速度。

與傳統(tǒng)MOSFET相比，DMOS具有更高的導通能力和更低的電阻，因此被廣泛應(yīng)用于高功率電子器件中，例如電源開關(guān)、電動工具和電動汽車驅(qū)動器等。 ? ?5. BiCMOS? ??

Bipolar CMOS, 是CMOS和雙極器件同時集成在同一塊芯片上的技術(shù)，其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路，而在要求驅(qū)動大電容負載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優(yōu)點，又獲得了BJT電路高速、強電流驅(qū)動能力的優(yōu)勢。

意法半導體的BiCMOS SiGe（硅鍺）技術(shù)將射頻、模擬和數(shù)字部分集成在單顆芯片上，能夠大幅減少外部元器件的數(shù)量，同時優(yōu)化功耗。

? ?6. BCD? ??

Bipolar-CMOS-DMOS, ?這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管Bipolar，CMOS和DMOS器件，稱為BCD工藝，1986年由意法半導體（ST）率先研制成功。

Bipolar適用于模擬電路?，CMOS適用于數(shù)字和邏輯電路，DMOS適用于功率和高壓器件。BCD則結(jié)合了三者的優(yōu)點。經(jīng)過持續(xù)改進，BCD廣泛應(yīng)用于電源管理、模擬數(shù)據(jù)采集和功率執(zhí)行器等領(lǐng)域的產(chǎn)品。從ST官網(wǎng)來目前目前對于BCD來說成熟的工藝還在100nm左右，90nm尚在原型設(shè)計中，40nmBCD技術(shù)屬于其正在開發(fā)中的下一代產(chǎn)品。

審核編輯：黃飛

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